【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容，尤其涉及一种片上固态超级电容的制备方法及片上固态超级电容。
技术介绍
1、随着无线充电和物联网的快速发展，需要芯片能够实现能量自治。在用于能量存储的电子器件中，超级电容因同时拥有高的功率密度和循环寿命得到了广泛的关注。超级电容可以通过电双层(电双层超级电容)或者近表面的氧化还原反应(赝电容)来存储能量。通常，赝电容的能量密度要远远大于电双层超级电容。为了能与硅基芯片集成，需要将超级电容直接制备在芯片上。其次，由于需要额外的封装来阻止液态电解质的泄露，所以采用固态电解质是最佳的选择。也就是说，全固态超级电容更适合与硅基芯片集成。为了充分利用硅材料，可以对硅衬底进行结构设计，并使其直接作为电极材料。基于这种思想，大量的硅基纳米结构被用来作为制备超级电容的模板。由于硅很容易被氧化，而且是不可逆的，所以通常在硅表面覆盖一层钝化层，比如石墨烯、碳、氮化钛等。然而，这些超级电容都是利用电双层来存储电荷，所以可获得的能量密度都比较小。
2、为了增大能量密度，可以引入金属氧化物，比如氧化钌、氧化镍、氧化锰等，这些材料可以...
【技术保护点】
1.一种片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述硅衬底，以形成若干硅纳米柱，包括：
3.根据权利要求1或2所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述在若干所述硅纳米柱的表面以及所述硅衬底的表面上形成TiVN薄膜，包括：
5.根据权利要求1或4所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述TiVN薄膜的厚度为3～10nm。
6.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述硅衬底，以形成若干硅纳米柱，包括：
3.根据权利要求1或2所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述在若干所述硅纳米柱的表面以及所述硅衬底的表面上形成tivn薄膜，包括：
5.根据权利要求1或4所述的片上固态超级电容的制备方法，其特征在于，所述tivn薄膜的厚度为3～10nm。
6.根据权利要求1所述的片上固态超级电容...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱宝，丁士进，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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