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本发明提供了一种片上固态超级电容的制备方法及片上固态超级电容，片上固态超级电容的制备方法，包括提供硅衬底，刻蚀所述硅衬底，以形成若干硅纳米柱，在若干所述硅纳米柱的表面以及所述硅衬底的上表面上形成TiVN薄膜，在所述TiVN薄膜上注入凝胶，以...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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