薄膜的检测方法技术

本申请实施例公开了一种薄膜的检测方法，包括：向待测薄膜的第一表面提供激光脉冲激发信号，以在待测薄膜中激发超声波；其中，待测薄膜包括相对的第一表面和第二表面；获取超声波在待测薄膜中传播的信号谱；根据信号谱，确定超声波的至少两个回波的回波参数；其中，至少两个回波为超声波经第二表面反射后回到第一表面的波，回波参数包括回波的信号幅值以及回波到达第一表面的回波到达时间；根据至少两个回波的回波参数，确定超声波在待测薄膜中传播的平均声速；根据平均声速和回波到达时间，确定待测薄膜的厚度。定待测薄膜的厚度。定待测薄膜的厚度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜的检测方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体地，涉及一种薄膜的检测方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件例如三维存储器的制程中，经常需要在晶圆上形成薄膜层，这些薄膜层包括掩膜层、金属薄膜层、刻蚀停止层、以及介质层等。薄膜层的厚度、密度和硬度等物理参数，对于形成半导体结构，以及最终形成的半导体器件的性能有重要影响。例如，掩膜层的厚度和硬度影响半导体结构的图形精度和准确度，金属薄膜层的厚度和密度影响金属互连层的线路电阻。因此，在半导体器件的制程中，对薄膜层的厚度、密度、硬度等物理参数的检测显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提出一种薄膜的检测方法，包括：
[0004]向待测薄膜的第一表面提供激光脉冲激发信号，以在所述待测薄膜中激发超声波；其中，所述待测薄膜包括相对的所述第一表面和第二表面；
[0005]获取所述超声波在所述待测薄膜中传播的信号谱；
[0006]根据所述信号谱，确定所述超声波的至少两个回波的回波参数；其中，所述至少两个回波为所述超声波经所述第二表面反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的检测方法，其特征在于，包括：向待测薄膜的第一表面提供激光脉冲激发信号，以在所述待测薄膜中激发超声波；其中，所述待测薄膜包括相对的所述第一表面和第二表面；获取所述超声波在所述待测薄膜中传播的信号谱；根据所述信号谱，确定所述超声波的至少两个回波的回波参数；其中，所述至少两个回波为所述超声波经所述第二表面反射后回到所述第一表面的波，所述回波参数包括所述回波的信号幅值以及所述回波到达所述第一表面的回波到达时间；根据所述至少两个回波的回波参数，确定所述超声波在所述待测薄膜中传播的平均声速；根据所述平均声速和所述回波到达时间，确定所述待测薄膜的厚度。2.根据权利要求1所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述根据所述至少两个回波的回波参数，确定所述超声波在所述待测薄膜中传播的平均声速，包括：建立以所述平均声速为因变量，所述至少两个回波的信号幅值和回波到达时间的比值为自变量的第一线性回归方程；将所述待测薄膜的至少两个回波的信号幅值和回波达到时间代入所述第一线性回归方程，计算出所述超声波在所述待测薄膜中传播的平均声速。3.根据权利要求2所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述建立以所述平均声速为因变量，所述至少两个回波的信号幅值和回波到达时间的比值为自变量的第一线性回归方程，包括：建立以所述平均声速为因变量，所述至少两个回波的信号幅值和回波到达时间的比值为自变量的第一线性回归模型；向多个不同密度和/或厚度的校准薄膜的第一表面提供激光脉冲激发信号，以在所述校准薄膜中激发超声波；并获取所述超声波在多个所述校准薄膜中传播的多个校准信号谱；根据多个校准信号谱，确定超声波在每一所述校准薄膜中传播的至少两个回波的回波参数；其中，所述回波参数包括回波的信号幅值和回波到达时间；获取多个所述校准薄膜的厚度，并根据每一所述校准薄膜的厚度和所述回波到达时间，确定出所述超声波在每一所述校准薄膜中传播的声速；根据每一所述校准薄膜对应的所述声速，以及所述至少两个回波的信号幅值和回波到达时间，确定所述第一线性回归模型的第一回归系数，得到所述第一线性回归方程。4.根据权利要求1所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述获取超声波在所述待测薄膜中传播的信号谱，包括：从提供所述激光脉冲激发信号的时刻开始，在延迟预设时长后向所述第一表面提供激光脉冲探测信号，所述激光脉冲探测信号与所述激光脉冲激发信号以不同的角度射入至所述第一表面；检测所述激光脉冲探测信号从所述第一表面反射的反射信号；根据所述反射信号的信号谱，确定所述超声波在所述待测薄膜中传播的信号谱。5.根据权利要求1所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述根据所述信号谱，确定所述超声波的至少两个回波的回波参数的步骤，包括：
根据所述信号谱，确定所述超声波的一次回波和二次回波的回波参数；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，王凌，徐俊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：