用于单个粒子分析的系统和方法技术方案

技术编号:32768413 阅读:12 留言:0更新日期:2022-03-23 19:22
提供了使用电感耦合等离子体飞行时间质谱法分析单个粒子的系统和方法。单个粒子可以从全细胞、微生物、病毒等中分离。该系统可以包括弯曲的离子引导件(04b)和离子操纵装置(05),所述离子引导件(04b)包括诸如多极杆、成角度或圆形表面等元件,所述离子操纵装置(05)包括诸如离子隧道、离子漏斗(1313),四极杆(1112)等元件以及每个元件的变体。(1112)等元件以及每个元件的变体。(1112)等元件以及每个元件的变体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于单个粒子分析的系统和方法
交叉引用
[0001]本申请要求于2019年6月14日提交的国际申请号PCT/CN2019/091215的优先权,其中的每一个的内容通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0002]许多单个生物粒子,诸如细胞、微生物、病毒等,具有非常复杂的组成和功能。为了获得功能和表型鉴定的更好结果,通常需要同时对多参数进行定量分析。
[0003]传统的流式细胞仪用于单个细胞的定性和定量分析。其可以在一定程度上满足上述要求。然而,由于可用荧光染料的限制,到目前为止,基于流式细胞仪的单个细胞的分析只能同时检测小于20个参数。
[0004]质量细胞仪是最近开发的新技术,用于同时多参数分析单个细胞。其与流式细胞仪不同,金属同位素代替荧光染料用于结合特异性抗体。用金属同位素标记的抗体用于通过抗原抗体反应与细胞的相应抗原结合,这通常被称为“染色”。通过ICP

TOF MS分析染色的细胞,以获得金属同位素的信息,根据该信息也可以衍生出抗原的信息。理论上,可以在单个细胞中同时检测到超过100个抗原,因为元素周期表中存在许多可用元素。为了避免在细胞和环境中自然存在的元素的干扰,通常使用镧系元素。
[0005]在所有目前的质谱仪中,ICP

TOF MS是用于同时多参数分析单个细胞的最佳选择。这主要是由于ICP优异的原子化和电离性能。引入到ICP中的样品将尽可能地被原子化和电离,这产生了非常高的电离效率。TOF是一种非常快速和多通道的质量分析仪,非常适合瞬态信号检测。/>[0006]在本专利技术中,公开了一种基于ICP

TOF MS的仪器和相关方法,用于分析用金属同位素标记的包括细胞、微生物、病毒等的单个粒子。该仪器包括样品引入装置、ICP电离装置、大气压接口、离子引导装置、离子操纵装置、TOF质量分析仪、离子检测器和信号处理装置。
[0007]样品引入装置用于将用金属同位素标记的单个粒子输送到ICP电离装置,在那里粒子将被蒸发、原子化和电离,以最终产生金属同位素的离子。离子通过大气压接口进入真空,并通过离子引导装置输送到下游离子操纵装置。在离子操纵装置中进一步加工离子,用于改善TOF质量分析仪的性能,诸如占空比。离子在TOF质量分析仪中被分离并依次到达离子检测器。由离子检测器产生的离子信号由信号处理装置处理以形成为质谱。
[0008]虽然离子进入真空,但大量的中性气体分子也与它们一起。这些中性气体分子不仅降低仪器的信号噪声比,而且还增加下一阶段真空泵的负担。在本专利技术中,公开了一种偏轴离子引导装置,以有效地输送离子并除去中性气体分子。同时,它还可以径向地压缩离子束以进一步提高离子传输效率。另外,偏轴离子引导装置的优点包括仪器布局设计的高灵活性和较小的仪器占地面积。
[0009]将氩气用作ICP电离装置中的工作气体,因此将形成许多与氩气相关,包括Ar+,ArCl+,ArC+,ArAr+,ArN+,ArNa+等的离子。除此之外,还有很多C+,N+,O+和其他离子。通常,
这些与靶向离子、金属同位素没有任何关系的离子被称为干扰离子或噪声离子。这些干扰离子的丰度非常高,即甚至高于目标离子的丰度。一方面,其质量可能与靶向离子的质量非常相似,这会影响定性和定量结果的准确性。另一方面,这些干扰离子会产生极其严重的空间电荷效应,这大量降低了很多离子传输并带来较低的灵敏度。特别是对于弱离子信号的情况,空间电荷问题会影响仪器检测极限和再现性。在分析单个细胞中,不同抗原的量可以变化很大,这些高丰度的干扰离子将限制动态范围。在本专利技术中,公开了一种用于选择性地过滤具有任意质量的离子的新型离子操纵装置。在不影响靶向离子的离子传输的情况下,它可以有效地去除干扰离子并降低空间电荷效应。同时,它还避免了高丰度干扰离子对离子检测器的连续轰击,这显著增加了离子检测器的寿命。
[0010]正交加速飞行时间是脉冲质量分析仪。虽然离子飞入TOF质量分析仪的正交加速区域,但它们将被脉冲加速电压加速。不同质量的离子获得相同的动能但不同的速度。在行进相同的飞行路径后,它们的飞行时间是不同的。根据其飞行时间,可以推导出相应的质量信息。通常,在离子的第一个脉冲在TOF质量分析仪中飞行期间,后续离子也将填充到正交加速区域中用于准备下一个脉冲。然而,在正交加速区域中没有任何离子存储装置,因此连续飞入到正交加速区域中的大多数离子将丢失。通常,加速离子与总离子的比例被称为占空比。对于传统的正交加速度TOF质量分析仪,典型的占空比仅为5%~30%。占空比越低,检测到的离子越少。在本专利技术中,公开了一种用于离子聚束和累积的新型离子操纵装置。它可以将连续离子流分成分离的离子组,并调节相邻离子组之间的间隔时间,以与加速电压的脉冲频率同步。因此,占空比可以提高很多。
[0011]目前可用的离子操纵装置包括平坦表面,该平坦表面限于其通过离子聚束或累积存储离子的能力。另外,在滤除干扰离子或噪声离子方面,这样的平坦表面效率低。对于诸如细胞等复杂样品,需要具有增强的离子聚束和累积能力以及滤除干扰离子或噪声离子的更高效率的离子操纵装置。

技术实现思路

[0012]本文公开了一种设计用于分析用金属同位素标记的单个粒子的基于ICP

TOF MS的仪器和相关方法。单个粒子可以从全细胞、微生物、病毒等中分离。在一个实施方式中,仪器包括样品引入装置、ICP电离装置、大气压装置、离子引导装置,和离子操纵装置、TOF质量分析仪、离子检测器以及信号处理装置。
[0013]本文公开了一种用于分析用金属同位素标记的单个粒子的电感耦合等离子体飞行时间质谱仪,所述质谱仪包括样品引入装置,其被配置成顺序地产生所述单个粒子;电离装置,其用于从通过所述样品引入装置接收的所述单个粒子产生所述金属同位素的离子;大气压接口,其用于借助真空输送所述离子;离子引导布置,其被配置成从所述大气压接口接收所述离子并输送所述离子;离子操纵装置,其被配置成从所述离子引导装置接收所述离子,并被配置成执行以下中的一个或多个:(1)选择性过滤具有特定质量的离子,(2)提供离子聚束,以及(3)提供离子储存;飞行时间(TOF)质量分析仪,其被配置成接收所述离子并将具有不同质量的离子分离以在不同时间到达离子探测器;以及信号处理装置,其被配置成处理来自所述离子检测器的离子流信号,并形成质谱以识别所述金属同位素。
[0014]本文公开了一种经由电感耦合等离子体飞行时间质谱仪分析用金属同位素标记
的单个粒子的方法,所述方法包括经由样品引入装置顺序地产生所述单个粒子;借助电离装置从通过所述样品引入装置接收的所述单个粒子产生所述金属同位素的离子;借助真空使用大气压接口输送所述离子;经由离子引导布置从所述大气压接口接收所述离子,并输送所述离子;经由离子操纵装置从所述离子引导装置接收所述离子,并执行以下中的一个或多个:(1)选择性过滤具有特定质量的离子,(2)提供离子聚束,以及(3)提供离子储存;经由飞行时间(TOF)质量分析仪分离具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于分析用金属同位素标记的单个粒子的电感耦合等离子体飞行时间质谱仪,所述质谱仪包括:样品引入装置,所述样品引入装置被配置成顺序地产生所述单个粒子;电离装置,所述电离装置用于从自所述样品引入装置接收的所述单个粒子产生所述金属同位素的离子;大气压接口,所述大气压接口用于借助真空输送所述离子;离子引导布置,所述离子引导布置被配置成从所述大气压接口接收所述离子并输送所述离子;离子操纵装置,所述离子操纵装置被配置成从所述离子引导装置接收所述离子,并被配置成执行以下中的一个或多个:(1)选择性过滤具有特定质量的离子,(2)提供离子聚束,以及(3)提供离子储存;飞行时间(TOF)质量分析仪,所述飞行时间(TOF)质量分析仪被配置成接收所述离子并将具有不同质量的离子分离以在不同时间到达离子探测器;以及信号处理装置,所述信号处理装置被配置成处理来自所述离子检测器的离子流信号,并形成质谱以识别所述金属同位素。2.根据权利要求1所述的质谱仪,其中所述离子引导布置是静电透镜。3.根据权利要求1所述的质谱仪,其中所述离子引导布置是四极杆布置。4.根据权利要求1所述的质谱仪,其中所述离子引导布置是多极杆布置。5.根据权利要求1所述的质谱仪,其中所述离子引导布置是离子隧道。6.根据权利要求1所述的质谱仪,其中所述离子引导布置包括第一弯曲电极和第二弯曲电极。7.根据权利要求6所述的质谱仪,其中所述第一弯曲电极包括凹面,所述凹面包括第一平面以及与所述第一平面相交且不平行于所述第一平面的第二平面。8.根据权利要求7所述的质谱仪,其中所述第二弯曲电极包括凸面,所述凸面包括第三平面以及与所述第三平面相交且不平行于所述第四平面的第四平面。9.一种经由电感耦合等离子体飞行时间质谱仪分析用金属同位素标记的单个粒子的方法,所述方法包括:经由样品引入装置顺序地产生所述单个粒子;借助电离装置从自所述样品引入装置接收的所述单个粒子产生所述金属同位素的离子;借助真空、使用大气压接口输送所述离子;经由离子引导布置从所述大气压接口接收所述离子,并输送所述离子;经由离子操纵装置从所述离子引导装置接收所述离子,并执行以下中的一个或多个:(1)选择性过滤具有特定质量的离子,(2)提供离子聚束,以及(3)提供离子储存;经由飞行时间(TOF)质量分析仪分离具有不同质量的离子以在不同时间到达离子探测器;以及经由信号处理装置处理来自所述离子检测器的离子流信号,并形成质谱以识别所述金属同位素。10.根据权利要求2所述的方法,其中所述单个粒子是单个细胞。
11.根据权利要求2所述的方法,其中所述单个粒子是生物分子。12.根据权利要求2所述的方法,其中所述单个粒子是聚合物微球。13.根据权利要求2所述的方法,其中所述样品引入装置被配置成顺序地产生用金属同位素标记的所述单个粒子。14.根据权利要求2所述的方法,其中所述电离装置是电感耦合等离子体(ICP)电离装置。15.根据权利要求14所述的方法,其中所述电离装置被配置成蒸发、原子化和电离所述单个粒子。16.根据权利要求14所述的方法,其中所述电离装置被配置成从所述单个粒子产生单原子或多原子离子。17.根据权利要求2所述的方法,其中所述电离装置使用微波等离子体焊炬(MPT)、发光放电电离(GDI)或激光电离(LI)。18.根据权利要求2所述的方法,其中所述大气压接口包括两个或更多个锥体形状组件。19.根据权利要求18所述的方法,其中所述两个或更多个椎体形状组件是穿孔的。20.根据权利要求2所述的方法,其中所述大气压接口包括一个或多个相邻的真空腔室。21.根据权利要求20所述的方法,其中为所述真空腔室中每一个设置相应的真空泵。22.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置使用静电透镜。23.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置使用四极杆布置。24.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置使用多极杆布置。25.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置使用离子隧道。26.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置使用离子漏斗。27.根据权利要求2所述的方法,其中所述离子引导布置具有弯曲的形状。28.根据权利要求27所述的方法,其中所述离子引导布置包括具有凹面的第一弯曲电极,其中所述凹面包括第一平面以及与所述第一平面相交且不平行于所述第一平面的第二平面;具有凸面的第二弯曲电极,其中所述凸面包括第三平面以及与所述第三平面相交且不平行于所述第四平面的第四平面;以及所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间的间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间通过。29.根据权利要求27所述的方法,其中所述离子引导布置包括第一电极,所述第一电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分;第二电极,所述第二电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分;以及在所述第一电极与所述第二电极之间的间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一电极与所述第二电极之间通过。30.一种用于在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的离子引导布置,所述离子引导布置包括:具有凹面的第一弯曲电极,其中所述凹面包括第一平面以及与所述第一平面相交且不平行于所述第一平面的第二平面;具有凸面的第二弯曲电极,其中所述凸面包括第三平面以及与所述第三平面相交且不
平行于所述第四平面的第四平面;以及在所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间的间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间通过。31.一种用于分析用金属同位素标记的单个粒子的方法,所述方法包括将权利要求30所述的离子引导布置施加到用金属同位素标记的单个粒子的样品。32.一种引导靶向离子通过离子引导布置以在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的方法,所述方法包括:提供具有凹面的第一弯曲电极,其中所述凹面包括第一平面以及与所述第一平面相交且不平行于所述第一平面的第二平面;以及提供具有凸面的第二弯曲电极,其中所述凸面包括第三平面以及与所述第三平面相交且不平行于所述第四平面的第四平面,其中在所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间设置间隙,并且所述间隙被配置成允许所述靶向离子在所述第一弯曲电极与所述第二弯曲电极之间通过。33.根据权利要求32所述的方法,其中所述第一平面平行于所述第三平面,并且其中所述第二平面平行于所述第四平面。34.根据权利要求32所述的方法,其中所述第一平面不平行于所述第三平面,并且其中所述第二平面不平行于所述第四平面。35.根据权利要求32所述的方法,其中所述第一弯曲电极的所述凹面直接面向所述第二弯曲电极的所述凸面。36.根据权利要求32所述的方法,其中所述第一弯曲电极的所述凹面的长度向内弯曲。37.根据权利要求32所述的方法,其中所述第二弯曲电极的所述凸面的长度向外弯曲。38.根据权利要求32所述的方法,其中将第一电压施加到所述第一弯曲电极,并且将与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二弯曲电极。39.根据权利要求38所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成在施加所述第一电压和所述第二电压时径向地聚焦离子。40.根据权利要求32所述的方法,其中所述靶向离子的所述通过沿着所述第一弯曲电极和所述第二弯曲电极的长度沿轴向方向发生。41.根据权利要求32所述的方法,其中所述靶向离子来自用于标记单个粒子的金属同位素。42.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少90度角引导离子。43.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少180度角引导离子。44.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从上游穿孔的椎体形状组件接收离子。45.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成将靶向离子输送到被配置成进一步处理所述离子的离子操纵装置。46.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从被配置成处理离子的离子操纵装置接收离子。
47.根据权利要求32所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成输送目标离子用于通过飞行时间(TOF)质量分析仪进行随后评估。48.一种在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的离子引导布置,所述方法包括:第一电极,所述第一电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分;第二电极,所述第二电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分;以及在所述第一电极与所述第二电极之间的间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一电极与所述第二电极之间通过。49.一种用于分析用金属同位素标记的单个粒子的方法,所述方法包括将权利要求48所述的离子引导布置施加到用金属同位素标记的单个粒子的样品。50.一种在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的引导靶向离子通过离子引导布置的方法,所述方法包括:向第一电极提供第一电压,所述第一电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分;以及向第二电极提供第二电压,所述第二电极包括弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的一个或多个线性部分,其中在所述第一电极与所述第二电极之间设置间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一电极与所述第二电极之间通过。51.根据权利要求49所述的方法,其中所述一个或多个线性部分设置成与所述第一电极或所述第二电极的所述弯曲部分直接接触。52.根据权利要求49所述的方法,其中所述第一电极或所述第二电极的所述弯曲部分定位在至少两个线性部分之间。53.根据权利要求49所述的方法,其中所述第一电极和所述第二电极包括沿着包括所述弯曲部分和所述一个或多个线性部分的所述第一电极和所述第二电极的长度的相同横截面形状。54.根据权利要求49所述的方法,其中所述第一电极包括凹面,其中所述凹面包括第一平面以及与所述第一平面相交且不平行于所述第一平面的第二平面。55.根据权利要求54所述的方法,其中所述凹面沿所述第一电极的所述弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的所述一个或多个线性部分延伸。56.根据权利要求54所述的方法,其中所述第二电极包括凸面,其中所述凸面包括第三平面以及与所述第三平面相交且不平行于所述第四平面的第四平面。57.根据权利要求56所述的方法,其中所述凹面沿所述第二电极的所述弯曲部分和与所述弯曲部分相邻的所述一个或多个线性部分延伸。58.根据权利要求54所述的方法,其中所述第一弯曲电极的所述凹面直接面向所述第二弯曲电极的所述凸面。59.根据权利要求54所述的方法,其中所述第一弯曲电极的所述凹面的长度向内弯曲。60.根据权利要求54所述的方法,其中所述第二弯曲电极的所述凸面的长度向外弯曲。61.根据权利要求49所述的方法,其中将第一电压施加到所述第一电极,并且将与所述
第一电压不同的第二电压施加到所述第二电极。62.根据权利要求61所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成在施加所述第一电压和所述第二电压时径向地偏转和聚焦离子。63.根据权利要求49所述的方法,其中所述靶向离子的所述通过沿着所述第一电极和所述第二电极的长度沿轴向方向发生。64.根据权利要求49所述的方法,其中所述靶向离子来自用于标记单个粒子的金属同位素。65.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少90度角引导离子。66.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少180度角引导离子。67.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从上游穿孔的椎体形状组件接收离子。68.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成将靶向离子输送到被配置成进一步处理所述离子的离子操纵装置。69.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从被配置成处理离子的离子操纵装置接收离子。70.根据权利要求49所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成输送目标离子用于通过飞行时间(TOF)质量分析仪进行随后评估。71.一种在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的离子引导布置,所述离子引导布置包括:包括第一组极杆的第一弯曲部分,其中具有相反极性的RF电压叠加在相邻的极杆上;包括第二组极杆的第二弯曲部分,其中具有相反极性的RF电压叠加在相邻的极杆上;以及在所述第一弯曲部分与所述第二弯曲部分之间的间隙,其被配置成允许靶向离子在所述第一弯曲部分与所述第二弯曲部分之间通过,其中将第一电压施加到所述第一弯曲部分,并且将与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二弯曲部分。72.一种在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的引导靶向离子通过离子引导布置的方法,所述方法包括:提供包括第一组极杆的第一弯曲部分,其中具有相反极性的RF电压叠加在相邻的极杆上;以及提供包括第二组极杆的第二弯曲部分,其中具有相反极性的RF电压叠加在相邻的极杆上;其中在所述第一弯曲部分与所述第二弯曲部分之间设置间隙,所述间隙被配置成允许靶向离子在所述第一弯曲部分与所述第二弯曲部分之间通过,并且其中将第一电压施加到所述第一弯曲部分,并且将与所述第一电压不同的第二电压施加到所述第二弯曲部分。73.根据权利要求72所述的方法,其中所述第一组极杆被布置成形成凹形轮廓,其中所述凹形轮廓包括第一平面段以及与所述第一平面段相交且不平行于所述第一平面段的第二平面段。
74.根据权利要求73所述的方法,其中所述凹形轮廓沿所述第一弯曲部分的长度延伸。75.根据权利要求73所述的方法,其中所述第二组极杆被布置成形成凸形轮廓,其中所述凸起轮廓包括第三平面段以及与所述第三平面段相交且不平行于所述第三平面段的第四平面段。76.根据权利要求75所述的方法,其中所述凸形轮廓沿所述第二弯曲部分的长度延伸。77.根据权利要求73所述的方法,其中所述第一弯曲部分的所述凹形轮廓直接面向所述第二弯曲部分的所述凸形轮廓。78.根据权利要求73所述的方法,其中所述第一弯曲部分的所述凹形轮廓的长度向内弯曲,并且其中所述第二弯曲部分的所述凸形轮廓的长度向外弯曲。79.根据权利要求73所述的方法,其中所述第一弯曲部分的所述凹形轮廓的长度横向弯曲,并且其中所述第二弯曲部分的所述凸形轮廓的长度沿相同方向横向弯曲。80.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成在施加所述第一电压和所述第二电压时径向地聚焦离子。81.根据权利要求72所述的方法,其中所述第一组极杆和所述第二组极杆具有圆形横截面。82.根据权利要求72所述的方法,其中所述第一组极杆和所述第二组极杆具有四边形横截面。83.根据权利要求72所述的方法,其中所述第一弯曲部分与所述第二弯曲部分之间的距离沿着所述第一弯曲部分面向所述第二弯曲部分的轮廓以及所述第二弯曲部分面向所述第一弯曲部分的轮廓保持相同。84.根据权利要求72所述的方法,其中所述靶向离子的所述通过沿着所述第一弯曲部分和所述第二弯曲部分的长度沿轴向方向发生。85.根据权利要求72所述的方法,其中所述靶向离子是金属同位素离子。86.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少90度角引导离子。87.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成绕至少180度角引导离子。88.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从上游穿孔的椎体形状组件接收离子。89.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成将靶向离子输送到被配置成进一步处理所述离子的离子操纵装置。90.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成从被配置成处理离子的离子操纵装置接收离子。91.根据权利要求72所述的方法,其中所述离子引导布置被配置成输送目标离子用于通过飞行时间(TOF)质量分析仪进行随后评估。92.一种在电感耦合等离子体飞行时间质谱仪中使用的离子操纵装置,所述离子操纵装置包括:第一组极杆,所述第一组极杆以在所述极杆之间具有空间...

【专利技术属性】
技术研发人员:程玉鹏
申请(专利权)人:上海宸安生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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