辅助治具及干法蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种辅助治具及干法蚀刻装置，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。由辅助治具的侧壁遮挡作用，延伸等离子气体流通至光刻胶层的边缘的距离，降低光刻胶层边缘过蚀刻，提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。

【技术实现步骤摘要】
辅助治具及干法蚀刻装置


[0001]本技术属于半导体蚀刻
，具体涉及一种辅助治具及干法蚀刻装置

技术介绍

[0002]Mini/Micro
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LED是第三代半导体照明器件的研究热点，受到世界各国研究人员的极大关注。Mini/Micro
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LED为自发光显示技术，采用微型化LED数组结构，具备高亮度、高对比度、广色域、广视角、快速反应时间、轻薄及低耗电等优势。Mini/Micro
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LED的应用范围非常广泛，在各个领域都有着广阔的前景。
[0003]Mini/Micro
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LED器件的制作过程，通常包括：1)在形成于半导体底层上的导电层上形成光刻胶膜层，图形化光刻胶膜层形成光刻胶图形，和2)用所述图形作为掩模形成导电层图形。其中，形成光刻胶图形之前，通常需要对光刻胶膜层进行减薄处理，常用的减薄手段例如是干法蚀刻工艺，利用等离子气体和光刻胶薄膜气相固相反应进行减薄制程。
[0004]减薄制程中，等离子气体以相同的浓度存在蚀刻装置的整个反应腔室中，随着反应的进行，由于待蚀刻样品的光刻胶膜层边缘位置等离子气体的浓度高于光刻胶膜层中间位置等离子气体的浓度，进而造成待蚀刻样品的光刻胶膜层边缘位置蚀刻速率高于中间位置的现象，因此，减薄后的光刻胶膜层的出现边缘低中间高的形貌特征，即，减薄制程中，光刻胶膜层的蚀刻均一性低。而，边缘低中间高的形貌特征在后续光刻胶图形化的制程中，不能获得结构的清晰的光刻胶图形。
[0005]有鉴于此，本技术提出一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，克服上述光刻胶膜层减薄制程中，光刻胶膜层边缘的蚀刻速率大于光刻胶膜层中间的蚀刻速率导致的光刻胶膜层蚀刻均一性低的问题。

技术实现思路

[0006]本技术解决的问题是如何提高光刻胶膜层减薄制程中，光刻胶表面蚀刻均一性。
[0007]为解决上述问题，本技术技术方案提供了一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。
[0008]作为可选的技术方案，所述样品包括半导体基板和设置于所述半导体基板远离所述底板一侧表面上的光刻胶层。
[0009]作为可选的技术方案，所述样品的边缘与所述侧壁的内表面之间间隔第一距离，所述第一距离小于20mm。
[0010]作为可选的技术方案，所述顶表面和所述第一表面之间间隔第二距离，所述第二
距离大于5mm。
[0011]作为可选的技术方案，所述底板上设有内凹的第一凹槽，其中，所述样品放置于所述第一凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第一凹槽的槽壁接触。
[0012]作为可选的技术方案，所述第一凹槽的底部还设有内凹的第二凹槽，所述第二凹槽的槽宽小于所述第一凹槽的槽宽，其中，所述样品放置于所述第二凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第二凹槽的槽壁接触。
[0013]作为可选的技术方案，还包括遮罩，所述遮罩覆盖于所述顶表面上，所述遮罩包括贯孔，所述贯孔与所述开口连通。
[0014]作为可选的技术方案，所述贯孔的面积小于所述开口的面积。
[0015]作为可选的技术方案，所述底板和所述侧壁一体成型。
[0016]本技术还提供一种干法蚀刻装置，所述干法蚀刻装置包括：等离子气体发生装置；金属网，所述金属网包括多个开口；如上所述的辅助治具；以及待蚀刻处理的样品；其中，所述待蚀刻处理的样品放置于所述辅助治具的容置腔内；所述辅助治具放置于所述金属网上；所述等离子气体发生装置产生的等离子气体自所述容置腔的开口朝向所述样品流通，以减薄所述样品中基板一侧表面上的光刻胶层。
[0017]与现有技术相比，本技术提供一种辅助治具和干法蚀刻装置，将待蚀刻处理的样品放置于辅助治具的容置腔内，再置于干法蚀刻装置的蚀刻腔室内，藉由辅助治具的侧壁遮挡作用，延伸等离子气体流通至光刻胶层的边缘的距离，降低光刻胶层边缘过蚀刻，提升光刻胶层的表面蚀刻均匀性。
[0018]以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述，但不作为对本技术的限定。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术一实施例中的干法蚀刻装置的剖面示意图。
[0021]图2为辅助治具和样品的剖面示意图。
[0022]图3为辅助治具和样品的俯视示意图。
[0023]图4为本技术另一实施例中的辅助治具的剖面示意图。
[0024]图5为本技术又一实施例中的辅助治具的剖面示意图。
[0025]图6为本技术又另一实施例中的辅助治具的剖面示意图。
[0026]图7为本技术又另一实施例中的辅助治具的剖面示意图。
[0027]图8为本技术又另一实施例中的辅助治具的剖面示意图。
具体实施方式
[0028]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本
技术，并不用于限定本技术。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]如图1和图2所示，本技术一实施例中，提供一种辅助治具50，其适用于干法蚀刻装置100中，辅助治具50包括底板51和侧壁52，侧壁52设置于底板51的一侧，侧壁52围绕底板51的周边且朝向远离底板51的方向突出，底板51和侧壁52共同限定出容置腔53，容置腔53的一端具有开口；其中，待蚀刻样品60自开口放置于底板51上，样品60的边缘不与侧壁52的内表面521接触，侧壁52远离基板51的顶表面522突出于样品60远离底板51的第一表面。
[0031]本实施例中，样品60放置于辅助治具50的容置腔53中，辅助治具50的侧壁52和样品60的边缘保留间隙，且侧壁52的顶表面522突出于样品60的第一表面(上表面)，其中，侧壁52遮挡蚀刻装置100的蚀刻腔10内的等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辅助治具，适用于干法蚀刻装置，其特征在于，所述辅助治具包括：底板；侧壁，所述侧壁设置于所述底板的一侧，所述侧壁围绕所述底板的周边且朝向远离所述底板的方向突出，所述侧壁和所述底板共同限定出容置腔，所述容置腔的一端具有开口；其中，待蚀刻处理的样品自所述开口放置于所述底板上，所述样品的边缘不与所述侧壁的内表面接触，所述侧壁远离所述底板的顶表面突出于所述样品远离所述底板的第一表面。2.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述样品包括半导体基板和设置于所述半导体基板远离所述底板一侧表面上的光刻胶层。3.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述样品的边缘与所述侧壁的内表面之间间隔第一距离，所述第一距离小于20mm。4.如权利要求3所述的辅助治具，其特征在于，所述顶表面和所述第一表面之间间隔第二距离，所述第二距离大于5mm。5.如权利要求1所述的辅助治具，其特征在于，所述底板上设有内凹的第一凹槽，其中，所述样品放置于所述第一凹槽中，且所述样品的所述边缘不与所述第一凹槽的槽壁接触。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾杨，陈发明，刘佳擎，韦冬，李庆，于波，
申请(专利权)人：苏州芯聚半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：