树脂多层基板和树脂多层基板的制造方法技术

本发明专利技术的树脂多层基板具备层叠多个树脂层(使用了降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层)而形成的基材。第1树脂层在与层叠方向(Z轴方向)上邻接密合的第1树脂层的界面侧，具有经表面处理而重整的重整部。另外，第2树脂层在与Z轴方向上邻接密合的第1树脂层的界面侧，具有经表面处理而重整的重整部。重整部彼此的密合性以及未重整的非重整部与重整部的密合性高于非重整部彼此的密合性。于非重整部彼此的密合性。于非重整部彼此的密合性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂多层基板和树脂多层基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及层叠多个树脂层而形成的树脂多层基板和树脂多层基板的制造方法。

技术介绍

[0002]至今为止，对于作为低介电常数
·
低损耗的材料而被知晓的降冰片烯系聚合物，被期待用作高频回路基板用的材料(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2010
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65206号公报

技术实现思路

[0006]但是，包含降冰片烯系聚合物的树脂层彼此的密合性低，存在难以将这些树脂层层叠而形成多层基板的问题。
[0007]本专利技术的目的在于提供一种树脂多层基板和树脂多层基板的制造方法，该树脂多层基板在层叠包含降冰片烯系聚合物的多个树脂层的构成中，树脂层彼此的界面的密合性得到提高。
[0008]本专利技术的树脂多层基板的特征在于，
[0009]具备层叠多个树脂层而形成的基材，
[0010]上述多个树脂层具有使用了包含下述通式(1)表示的重复单元的至少一种的降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层，
[0011]上述多个第1树脂层之中，在层叠方向上邻接的至少2个第1树脂层的一方在与另一方的第1树脂层的界面侧具有经表面处理而重整的重整部，
[0012]上述重整部彼此的密合性以及未重整的非重整部与上述重整部的密合性高于上述非重整部彼此的密合性。
[0013][0014](通式(1)中，X表示O、
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或
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，取代基R1、R2、R3和R4分别表示含有选自氢、直链或支链的有机基团、或这些有机基团的一部分被卤素或腈基等取代而得的衍生物中的基团的基团。上述有机基团例如为烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷氧基硅烷基、含有环氧基的有机基团、含有醚基的有机基团、含有(甲基)丙烯酸基的有机基团、含有酯基的有
机基团、含有酮基的有机基团。这些基团可以介由烷基、醚基、酯基而键合，可以相同，也可以不同。m为10～10000的整数，n1为0～5的整数。)。
[0015]本专利技术的树脂多层基板的特征在于，
[0016]具备层叠多个树脂层而形成的基材，
[0017]上述多个树脂层具有包含下述通式(1)表示的重复单元的至少一种的使用了降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层、以及第2树脂层，
[0018]相比于上述多个第1树脂层彼此的密合性，上述第2树脂层与上述第1树脂层的密合性更高，
[0019]上述多个第1树脂层中的至少1个以上的上述第1树脂层与上述第2树脂层接合。
[0020][0021](通式(1)中，X表示O、
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CH2‑
或
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CH2‑
CH2‑
，取代基R1、R2、R3和R4分别表示含有选自氢、直链或支链的有机基团、或这些有机基团的一部分被卤素或腈基等取代而得的衍生物中的基团的基团。上述有机基团例如为烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷氧基硅烷基、含有环氧基的有机基团、含有醚基的有机基团、含有(甲基)丙烯酸基的有机基团、含有酯基的有机基团、含有酮基的有机基团。这些基团可以介由烷基、醚基、酯基而键合，可以相同，也可以不同。m为10～10000的整数，n1为0～5的整数。)。
[0022]本专利技术的树脂多层基板的制造方法的特征在于，
[0023]是具备层叠多个树脂层而形成的基材的树脂多层基板的制造方法，
[0024]上述多个树脂层具有使用了包含下述通式(1)表示的重复单元的至少一种的降冰片烯系聚合物的至少1个第1树脂层，
[0025]上述第1树脂层含有与上述降冰片烯系聚合物反应的添加剂，
[0026]使上述第1树脂层的上述降冰片烯系聚合物与添加剂通过表面处理而反应，从而伴随表面处理的效果的衰减，在厚度方向上，反应前的材料与反应后的材料的组成产生梯度。
[0027][0028](通式(1)中，X表示O、
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CH2‑
或
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CH2‑
CH2‑
，取代基R1、R2、R3和R4分别表示含有选自氢、直链或支链的有机基团、或这些有机基团的一部分被卤素或腈基等取代而得的衍生物中的基团的基团。上述有机基团例如为烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷氧基硅烷基、含有环氧基的有机基团、含有醚基的有机基团、含有(甲基)丙烯酸基的有机基团、含有酯基的有机基团、含有酮基的有机基团。这些基团可以介由烷基、醚基、酯基而键合，可以相同，也可以不同。m为10～10000的整数，n1为0～5的整数。)
[0029]根据该构成，包含降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层的密合性得到提高，因此，可以实现层叠了多个第1树脂层的低介电常数且低损耗的树脂多层基板。
[0030]根据本专利技术，可以实现在层叠使用了降冰片烯系聚合物的多个树脂层的构成中，树脂层彼此的界面的密合性得到提高的树脂多层基板。
附图说明
[0031]图1(A)为第1实施方式涉及的树脂多层基板101的剖面图，图1(B)为树脂多层基板101的分解剖面图。
[0032]图2为依次表示树脂多层基板101的制造方法的剖面图。
[0033]图3为第1实施方式涉及的树脂多层基板101A的外部立体图。
[0034]图4(A)为利用了树脂多层基板101A的电子设备301的框体1内部的平面图，图4(B)为电子设备301的剖面图。
[0035]图5(A)为第2实施方式涉及的树脂多层基板102的剖面图，图5(B)为树脂多层基板102的分解剖面图。
[0036]图6(A)为第3实施方式涉及的树脂多层基板103的剖面图，图6(B)为树脂多层基板103的分解剖面图。
具体实施方式
[0037]以下，参照图，举出若干具体的例子，示出用于实施本专利技术的多个方式。各图中，在同一处标记同一符号。考虑到要点的说明或理解的容易性，出于方便而将实施方式分开展示，但是不同的实施方式中示出的构成的部分的取代或组合也是可能的。从第2实施方式起，将省略与第1实施方式同样的内容的记载，仅对不同的点进行说明。特别是，对于由同样的构成带来的同样的作用效果，在各个实施方式中也不再一一提及。
[0038]《第1实施方式》
[0039]图1(A)为第1实施方式涉及的树脂多层基板101的剖面图，图1(B)为树脂多层基板101的分解剖面图。图1(A)和图1(B)中，为了容易理解结构，重整部D1、D2以交叉线阴影表示。
[0040]树脂多层基板101具备基材10、导体图案31、32和层间连接导体V1等。树脂多层基板101也具备除此之外的构成，但在图1(A)和图1(B)中省略图示。
[0041]基材10是具有挠性的矩形的平板，具有互相对置的第1主面VS1和第2主面VS2。导体图案31、32和层间连接导体V1在基材10的内部形成。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂多层基板，其具备层叠多个树脂层而形成的基材，所述多个树脂层具有使用了包含下述通式(1)表示的重复单元的至少一种的降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层，所述多个第1树脂层之中，在层叠方向上邻接的至少2个第1树脂层的一方在与另一方的第1树脂层的界面侧具有经表面处理而重整的重整部，所述重整部彼此的密合性、以及未重整的非重整部与所述重整部的密合性高于所述非重整部彼此的密合性；通式(1)中，X表示O、
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CH2‑
或
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CH2‑
CH2‑
，取代基R1、R2、R3和R4分别表示含有选自氢、直链或支链的有机基团、或这些有机基团的一部分被卤素或腈基等取代而得的衍生物中的基团的基团；所述有机基团例如为烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷氧基硅烷基、含有环氧基的有机基团、含有醚基的有机基团、含有(甲基)丙烯酸基的有机基团、含有酯基的有机基团、含有酮基的有机基团；这些基团可以介由烷基、醚基、酯基而键合，可以相同，也可以不同；m为10～10000的整数，n1为0～5的整数。2.根据权利要求1所述的树脂多层基板，其中，所述另一方的第1树脂层在与所述一方的第1树脂层的所述界面侧具有所述重整部。3.根据权利要求1或2所述的树脂多层基板，其中，所述重整部的玻璃化转变温度比所述非重整部低。4.根据权利要求1或2所述的树脂多层基板，其中，所述重整部的官能团比所述非重整部多。5.根据权利要求1或2所述的树脂多层基板，其中，所述重整部的损耗正切比所述非重整部高。6.一种树脂多层基板，其具备层叠多个树脂层而形成的基材，所述多个树脂层具有包含下述通式(1)表示的重复单元的至少一种的使用了降冰片烯系聚合物的多个第1树脂层、以及第2树脂层，相比于所述多个第1树脂层彼此的密合性，所述第2树脂层与所述第1树脂层的密合性高，所述多个第1树脂层中的至少1个以上的所述第1树脂层与所述第2树脂层接合；
通式(1)中，X表示O、
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CH2‑
，取代基R1、R2、R3和R4分别表示含有选自氢、直链或支链的有机基团、或这些有机基团的一部分被卤素或腈基等取代而得的衍生物中的基团的基团；所述有机基团例如为烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷氧基硅烷基、含有环氧基的有机基团、含有醚基的有机基团、含有(甲基)丙烯酸基的有机基团、含有酯基的有机基团、含有酮基的有机基团；这些基团可以介由烷基、醚基、酯基而键合，可以相同，也...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田亮介，西村道治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：