半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制造方法及半导体结构。半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有隔离沟道；在隔离沟道中形成富硅隔离层，富硅隔离层覆盖隔离沟道的内表面；在隔离沟道内形成隔离氧化层；其中，隔离氧化层填充满隔离沟道。富硅隔离层的形成可以保证有源区的尺寸且增加隔离沟道的深度，以此增强隔离效果，从而改善半导体结构的性能。半导体结构的性能。半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在现有的浅沟道隔离技术(shallow trench isolation，STI)中，沟道较浅造成隔离效果差，而有源区的尺寸较小对器件连接造成限制，相关技术中的工艺很难实现沟道变深的同时有源区的尺寸也相应增大。因此现有技术中的沟道结构很难满足半导体结构的性能要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，以改善半导体结构的性能。
[0004]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：
[0005]提供衬底，衬底上形成有隔离沟道；
[0006]在隔离沟道中形成富硅隔离层，富硅隔离层覆盖隔离沟道的内表面；
[0007]在隔离沟道内形成隔离氧化层；
[0008]其中，隔离氧化层填充满隔离沟道。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，在隔离沟道内形成隔离氧化层，包括：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有隔离沟道；在所述隔离沟道中形成富硅隔离层，所述富硅隔离层覆盖所述隔离沟道的内表面；在所述隔离沟道内形成隔离氧化层；其中，所述隔离氧化层填充满所述隔离沟道。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述隔离沟道内形成隔离氧化层，包括：在所述隔离沟道内形成第一隔离氧化层，所述第一隔离氧化层的至少部分由所述富硅隔离层氧化后形成；在所述隔离沟道内形成第二隔离氧化层，所述第二隔离氧化层覆盖所述第一隔离氧化层，所述第一隔离氧化层和所述第二隔离氧化层作为所述隔离氧化层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述隔离沟道内形成所述第一隔离氧化层后，所述富硅隔离层全部被氧化成第一氧化层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一隔离氧化层，包括：在所述隔离沟道内形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述富硅隔离层，在形成所述第二氧化层后，部分所述富硅隔离层被氧化成所述第一氧化层；通过原位水汽生成工艺对所述富硅隔离层进行氧化，所述原位水汽生成工艺结束后，至少部分的所述富硅隔离层被氧化成所述第一氧化层；在所述隔离沟道内形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述第二氧化层；其中，在形成所述第三氧化层后，所述富硅隔离层全部被氧化成所述第一氧化层，所述第一氧化层、所述第二氧化层和所述第三氧化层作为所述第一隔离氧化层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述隔离沟道包括第一隔离沟道和第二隔离沟道，所述第一隔离沟道的宽度大于所述第二隔离沟道的宽度；其中，所述第一氧化层、所述第二氧化层、所述第三氧化层以及所述第二隔离氧化层作为第一隔离沟道氧化层填充所...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔梦竹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：