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本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的制造方法及半导体结构。半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有隔离沟道；在隔离沟道中形成富硅隔离层，富硅隔离层覆盖隔离沟道的内表面；在隔离沟道内形成隔离氧化层；其中，隔离氧化层填充满...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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