一种半导体隔离结构的制造方法技术

本发明专利技术提出一种半导体隔离结构的制造方法，包括：提供一衬底，形成保护层于衬底上。形成第一凹槽和第二凹槽于保护层上，且第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。形成第一膜层于保护层上、第一凹槽和第二凹槽内，第一膜层覆盖第一凹槽的底部和侧壁，并填充第二凹槽。形成第二膜层于第一膜层上，且第二膜层填充第一凹槽。刻蚀第二膜层、第一膜层以及衬底，以在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽。填充第一沟槽和第二沟槽，以形成填充体隔离结构。其中，第二膜层的蚀刻率大于第一膜层的蚀刻率。本发明专利技术提出的半导体隔离结构的制造方法，改进了隔离结构的制备方法。制备方法。制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体隔离结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体隔离结构的制造方法。

技术介绍

[0002]图像传感器一般包括逻辑区域和像素区域，在现有的沟槽隔离工艺中，逻辑区域以及像素区域采用不同的沟槽隔离成形方法。其中，像素区的沟槽和逻辑区的沟槽需要经过二次刻蚀以达到较深的深度。但是，通过两次干法刻蚀工艺形成沟槽之后，逻辑区域与像素区域的沟槽的顶部表面存在高度差，容易产生多晶硅残留的问题，并对衬底表面造成二次损伤。
[0003]因此，如何改善沟槽的成形工艺，消除沟槽表面的高度差，避免衬底的二次损伤已经成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请提出一种半导体隔离结构的制造方法，旨在，以消除逻辑区域和像素区域表面沟槽的高度差，避免衬底的二次损伤。
[0005]为实现上述目的及其他目的，本申请提出一种半导体隔离结构的制造方法，包括：提供一衬底；形成保护层于所述衬底上；形成第一凹槽和第二凹槽于所述保护层上，且所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成保护层于所述衬底上；形成第一凹槽和第二凹槽于所述保护层上，且所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；形成第一膜层于所述保护层上、所述第一凹槽和所述第二凹槽内，所述第一膜层覆盖所述第一凹槽的底部和侧壁，并填充所述第二凹槽；形成第二膜层于所述第一膜层上，且所述第二膜层填充所述第一凹槽；刻蚀所述第二膜层、所述第一膜层以及所述衬底，以在所述衬底内形成第一沟槽和第二沟槽；以及填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以形成填充体隔离结构；其中，所述第二膜层的蚀刻率大于所述第一膜层的蚀刻率。2.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的制造方法，其特征在于：形成所述第一凹槽和所述第二凹槽于所述保护层上的方法包括将所述第一凹槽和所述第二凹槽刻蚀至所述衬底的上表面。3.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的制造方法，其特征在于：形成填充体隔离结构的方法包括：移除所述衬底表面的填充体和所述衬底表面的所述保护层。4.根据权利要求1所述的半导体隔离结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明洋，王厚有，冯永波，陶磊，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：