一种新型的220F增加爬电距离的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型的220F增加爬电距离的封装结构，包括装置主体，当在使用新型的220F器件时，MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结，当栅

【技术实现步骤摘要】
一种新型的220F增加爬电距离的封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种新型的220F 增加爬电距离的封装结构。

技术介绍

[0002]半导体器件作为整流器、振荡器、发光器、放大器或测光器等广泛应用于射频、微波和光学半导体产品领域中，爬电距离是判断半导体器件绝缘性能的关键特征，爬电距离是沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间或导电零部件与设备防护界面之间的最短路径。但是在实际应用时，当有高电压施加于半导体功率器件的导电引线时，引线和引线之间可能因爬电距离不足，出现塑封料表面漏电，该漏电降低了器件的绝缘强度，反之若使器件满足绝缘安全标准，则该半导体器件的功率则无法相应提高。
[0003]所以，如何设计一种新型的220F增加爬电距离的封装结构，成为当前要解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型的220F增加爬电距离的封装结构。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种新型的220F增加爬电距离的封装结构，包括装置主体，所述装置主体的底部固定有绝缘材料边界，所述绝缘材料边界的底部一侧安装有第一导线，所述第一导线的另一侧安装有第二导线，且第一导线和第二导线中部设置有第一凹槽，所述第二导线的另一侧安装有第三导线，且第二导线和第三导线的中部设置有第二凹槽，所述装置主体的内部安装有硅衬底，且硅衬底的顶部设置有源极和漏极，所述装置主体的外部安装有封装外壳。
[0007]优选的，所述第一导线、第二导线和第三导线之间设置有第一凹槽和第二凹槽，通过第一凹槽和第二凹槽增加MOS管工作时的爬电距离。
[0008]优选的，所述封装外壳为塑料封装外壳，且与装置主体紧密粘接，增加了装置主体的绝缘性能。
[0009]优选的，所述源极和漏极安装在硅衬底上面。
[0010]本技术的有益效果为：
[0011]当在使用新型的220F器件时，MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结，当栅
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源电压VGS＝0时，即使加上漏
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源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏
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源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID＝0，由塑料封装外壳组成的封装外壳紧密包裹住装置主体，且导线的顶端安装有绝缘材料边界，使得装置主体的绝缘性大大的提高，在第一导线、第二导线和第三导线之间设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽使得导线之间的爬电线路增加了凹槽深度的距离，若凹槽越深，则爬线距离则越大，通过这样的设置，使得器件在实际应用时的安全性和功率得到提高。
附图说明
[0012]图1为本技术提出的一种新型的220F增加爬电距离的封装结构的整体结构图；
[0013]图2为本技术提出的一种新型的220F增加爬电距离的封装结构的整体侧面结构剖视图。
[0014]图中：1、装置主体；2、绝缘材料边界；3、第一凹槽；4、第二凹槽；5、第一导线；6、第二导线；7、第三导线；8、源极；9、漏极；10、硅衬底；11、封装外壳。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0016]参照图1
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2，一种新型的220F增加爬电距离的封装结构，包括装置主体1，装置主体1的底部固定有绝缘材料边界2，绝缘材料边界2的底部一侧安装有第一导线5，第一导线5的另一侧安装有第二导线6，且第一导线5和第二导线6中部设置有第一凹槽3，第二导线6的另一侧安装有第三导线7，且第二导线6和第三导线7的中部设置有第二凹槽4，装置主体1的内部安装有硅衬底10，且硅衬底 10的顶部设置有源极8和漏极9，装置主体1的外部安装有封装外壳 11，当在使用新型的220FMOS管时，第一导线5、第二导线6和第三导线7的顶端与通过电路连接与硅衬底10连接，且导线的材质均为导电性能良好的金属铜，第一凹槽4和第二凹槽5使得导线之间的距离比之前大，从而增加了新型220F的爬电距离。
[0017]第一导线5、第二导线6和第三导线7之间设置有第一凹槽3和第二凹槽4，通过第一凹槽3和第二凹槽4增加MOS管工作时的爬电距离，封装外壳11为塑料封装外壳，且与装置主体1紧密粘接，增加了装置主体1的绝缘性能，源极8和漏极9安装在硅衬底10上面。
[0018]工作原理：当在使用新型的220F器件时，MOS管的漏极9和源极8之间有两个背靠背的PN结，当栅
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源电压VGS＝0时，即使加上漏
ꢀ‑
源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏
‑
源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID＝0，由塑料封装外壳11组成的封装外壳11紧密包裹住装置主体1，且导线的顶端安装有绝缘材料边界2，使得装置主体1的绝缘性大大的提高，在第一导线5、第二导线6和第三导线7之间设置有第一凹槽3和第二凹槽4，第一凹槽4和第二凹槽4使得导线之间的爬电线路增加了凹槽深度的距离，若凹槽越深，则爬线距离则越大，通过这样的设置，使得器件在实际应用时的安全性和功率得到提高。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个
以上，除非另有明确具体的限定。
[0021]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的220F增加爬电距离的封装结构，包括装置主体(1)，其特征在于，所述装置主体(1)的底部固定有绝缘材料边界(2)，所述绝缘材料边界(2)的底部一侧安装有第一导线(5)，所述第一导线(5)的另一侧安装有第二导线(6)，且第一导线(5)和第二导线(6)中部设置有第一凹槽(3)，所述第二导线(6)的另一侧安装有第三导线(7)，且第二导线(6)和第三导线(7)的中部设置有第二凹槽(4)，所述装置主体(1)的内部安装有硅衬底(10)，且硅衬底(10)的顶部设置有源极(8)和漏极(9)，所述装置主体(1)的外部安装有封装外壳(11)。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：缪志平，
申请(专利权)人：盛廷微电子江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：