高压MOS控制功率半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及功率半导体器件领域，具体为高压MOS控制功率半导体器件，包括功率半导体器件，所述阴极单元具有MOS控制的晶闸管MCT的单细胞结构，所述阴极单元具有绝缘控制极的双极性晶体管IGBT单胞结构，晶闸管MCT具有一个四层结构和P+掺杂短A1图可见，晶体管IGBT具有一个三层结构和n+掺杂短路区A2图可见，具有一个三层结构和两种形式单胞的IGTH或BRT图B可见，其中之一只有一个P+槽，而另一个还在P+槽内增加一个n+掺杂槽，以及具有一个五层结构和n+掺杂的MOS控制源区的FIBS场控制双极性开关。关。关。

【技术实现步骤摘要】
高压MOS控制功率半导体器件


[0001]本技术涉及功率半导体器件领域，具体为高压MOS控制功率半导体器件。

技术介绍

[0002]MOS功率半导体器件作为MOS半导体器件中的一种，已成为当今功率器件发展的主流，在MOS功率半导体器件中，击穿电压成为衡量MOS功率半导体器件的一个性能指标，MOS半导体器件是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件，MOS半导体器件具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长，并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等，因而应用范围广，但是放大倍数小因此放大能力不如三极管。
[0003]现亟需一款经济实用，MOS半导体器件具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长，并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等，该设备方便实用，从而解决以上的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种高压MOS控制功率半导体器件，在放大倍数小因此放大能力不如三极管，观看时并不太方便，显示出不够经济实用。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：高压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高压MOS控制功率半导体器件，包括功率半导体器件(1)，其特征在于：所述导体器件(1)的顶部底部设有阴极(3)和阳极(4)，所述阴极(3)的内部设有控制极(5)，所述阴极(3)的底部连接有阴极单元(6)，所述导体器件(1)的内部设有半导体层(7)。2.如权利要求1所述的高压MOS控制功率半导体器件，其特征在于：所述导体器件(1)的外部两侧安装有半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪志平，
申请(专利权)人：盛廷微电子江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：