一种新型的薄型的新型252F结构框架制造技术

本实用新型专利技术涉及252F结构框架技术领域，具体为一种新型的薄型的新型252F结构框架，包括装置主体、电路嵌口和贯穿孔，装置主体的两侧嵌入连接有电路嵌口，装置主体的中部贯穿连接有贯穿孔，由双列直插芯片、转换电路、导输元件、微处理器和金属引脚共同组成一个封装机构，当使用该252F结构框架进行芯片封装时，首先电流通过双列直插芯片进行过滤，然后再通过转换电路进行输送到导输元件上，导输元件受到电流进行激活，从而进行对芯片封装信息的发送和收集，同时微处理器进行运行，在运行过程中带动金属引脚对沟通芯片内部世界与外部电路的功能连接，加入这样的设置，使得可通过该封装机构对封装芯片进行物理保护、电气连接和标准规格化。准规格化。准规格化。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的薄型的新型252F结构框架


[0001]本技术涉及252F结构框架
，具体为一种新型的薄型的新型252F结构框架。

技术介绍

[0002]众所周知,252F结构框架是封装元件框架，252F是一种塑封的贴片封装，常用于功率晶体管，稳压芯片的封装，但现有的新型252F结构框架，体积较厚，在装置中占用空间大，且其进行芯片封装时，功能匹配度不高，进行穿孔安装时，也不能适应多种类型芯片，从而操作起来不够便捷，且控制电压也不稳定，长时间使用会产生损坏芯片的情况。
[0003]现亟需一款，体积较薄，在装置中占用空间小，且其进行芯片封装时，功能匹配度高，进行穿孔安装时，能适应多种类型芯片，从而操作起来更加便捷，且控制电压稳定，从而解决以上问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种新型的薄型的新型252F结构框架，以解决上述
技术介绍
中提出的现有新型252F结构框架，体积较厚，在装置中占用空间大，且其进行芯片封装时，功能匹配度不高，进行穿孔安装时，也不能适应多种类型芯片，从而操作起来不够便捷，且控制电压也不稳定，长时间使用会产生损坏芯片的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种新型的薄型的新型252F结构框架，包括所述装置主体的两侧嵌入连接有电路嵌口，所述装置主体的中部贯穿连接有贯穿孔，所述贯穿孔的另一侧固定连接有导电磁块，所述导电磁块的另一侧固定连接有信号线，所述装置主体的顶部嵌入连接有控电机构，所述控电机构的两侧固定连接有过流芯片，所述过流芯片的中部固定连接有沟道，所述沟道的底部嵌入连接有控制器，所述装置主体的底部嵌入连接有封装机构，所述封装机构的顶部固定连接有双列直插芯片，所述双列直插芯片的底部嵌入连接有转换电路，所述转换电路的底部固定连接有导输元件，所述导输元件的中部嵌入连接有微处理器，所述微处理器的底部固定连接有金属引脚。
[0006]优选的，所述装置主体的底部嵌入连接有导分管。
[0007]优选的，所述装置主体的底部固定连接有反馈线路。
[0008]优选的，所述由过流芯片、沟道和控制器共同组成一个控电机构。
[0009]优选的，所述由双列直插芯片、转换电路、导输元件、微处理器和金属引脚共同组成一个封装机构。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是:
[0011]1.该新型的薄型的新型252F结构框架：由过流芯片、沟道和控制器共同组成一个控电机构，当电流传输到过流芯片上，过流芯片则会将该电流进行调压到一定数值，此时沟道进行工作，一方面输出大电流、另一方面通过PCB散热，同时控制器进行控制额定电流传输到封装机构，从而使该电流与基极相通，则功率能够适用于该高场合，加入这样的设置，
使得通过该控电机构能够稳定电压，降低功率的消耗。
[0012]2.该新型的薄型的新型252F结构框架：由双列直插芯片、转换电路、导输元件、微处理器和金属引脚共同组成一个封装机构，当使用该252F结构框架进行芯片封装时，首先电流通过双列直插芯片进行过滤，然后再通过转换电路进行输送到导输元件上，导输元件受到电流进行激活，从而进行对芯片封装信息的发送和收集，同时微处理器进行运行，在运行过程中带动金属引脚对沟通芯片内部世界与外部电路的功能连接，加入这样的设置，使得可通过该封装机构对封装芯片进行物理保护、电气连接和标准规格化。
附图说明
[0013]图1为本技术的整体结构示意图；
[0014]图2为本技术的整体剖面结构示意图；
[0015]图3为本技术的A处放大图；
[0016]图4为本技术的B处放大图。
[0017]图中标记：1、装置主体；2、电路嵌口；3、贯穿孔；4、导电磁块；5、信号线；6、导分管；7、控电机构；701、过流芯片；702、沟道；703、控制器；8、反馈线路；9、封装机构；901、双列直插芯片；902、转换电路；903、导输元件；904、微处理器；905、金属引脚。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]实施例一，请参阅图1
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4，本技术提供一种技术方案：一种新型的薄型的新型252F结构框架，包括装置主体1的两侧嵌入连接有电路嵌口2，装置主体1的中部贯穿连接有贯穿孔3，贯穿孔3的另一侧固定连接有导电磁块4，导电磁块4的另一侧固定连接有信号线5，装置主体1的顶部嵌入连接有控电机构7，控电机构7的两侧固定连接有过流芯片701，过流芯片701的中部固定连接有沟道702，沟道702的底部嵌入连接有控制器703，装置主体1的底部嵌入连接有封装机构9，封装机构9的顶部固定连接有双列直插芯片901，双列直插芯片901的底部嵌入连接有转换电路902，转换电路902的底部固定连接有导输元件903，导输元件903的中部嵌入连接有微处理器904，微处理器904的底部固定连接有金属引脚905。
[0020]优选的，装置主体1的底部嵌入连接有导分管6，当使用该252F结构框架进行芯片封装时，电流通过控电机构7被过滤到额定电压值，接着该电流再传输到导分管6上，导分管6将该电流进行散布到芯片上，从而芯片受到电流激活，加入这样的设置，使得通过导分管6进行散布电流激活芯片。
[0021]优选的，装置主体1的底部固定连接有反馈线路8，使用该252F结构框架进行芯片封装时，反馈线路8控制与其连接的金属引脚905，当金属引脚905感应到电磁干扰时，会将干扰信号发送到反馈线路8上，从而反馈线路8进行电流增大输送，消除变频器产生的电磁，加入这样的设置，使得通过反馈线路8保障了芯片不受电磁干扰。
[0022]优选的，由过流芯片701、沟道702和控制器703共同组成一个控电机构，当电流传
输到过流芯片701上，过流芯片701则会将该电流进行调压到一定数值，此时沟道702进行工作，一方面输出大电流、另一方面通过PCB散热，同时控制器703进行控制额定电流传输到封装机构9，从而使该电流与基极相通，则功率能够适用于该高场合，加入这样的设置，使得通过该控电机构能够稳定电压，降低功率的消耗。
[0023]优选的，由双列直插芯片901、转换电路902、导输元件903、微处理器904和金属引脚905共同组成一个封装机构，当使用该252F结构框架进行芯片封装时，首先电流通过双列直插芯片901进行过滤，然后再通过转换电路902进行输送到导输元件903上，导输元件903受到电流进行激活，从而进行对芯片封装信息的发送和收集，同时微处理器904进行运行，在运行过程中带动金属引脚905对沟通芯片内部世界与外部电路的功能连接，加入这样的设置，使得可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的薄型的新型252F结构框架，包括装置主体(1)、电路嵌口(2)和贯穿孔(3)，其特征在于：所述装置主体(1)的两侧嵌入连接有电路嵌口(2)，所述装置主体(1)的中部贯穿连接有贯穿孔(3)，所述贯穿孔(3)的另一侧固定连接有导电磁块(4)，所述导电磁块(4)的另一侧固定连接有信号线(5)，所述装置主体(1)的顶部嵌入连接有控电机构(7)，所述控电机构(7)的两侧固定连接有过流芯片(701)，所述过流芯片(701)的中部固定连接有沟道(702)，所述沟道(702)的底部嵌入连接有控制器(703)，所述装置主体(1)的底部嵌入连接有封装机构(9)，所述封装机构(9)的顶部固定连接有双列直插芯片(901)，所述双列直插芯片(901)的底部嵌入连接有转换电路(902)，所述转换电路(902)的底部固定连接有导输元件(90...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪志平，
申请(专利权)人：盛廷微电子江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：