一种新型射频模块、制作方法及电子设备技术

本发明专利技术公开了一种新型射频模块、制作方法及电子设备，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于衬底晶圆上；侧墙，位于衬底晶圆上，且围绕微同轴结构设置；射频芯片，倒装在微同轴结构上，射频芯片的信号端与微同轴结构的第一端口连接，盖板晶圆，与衬底晶圆键合，盖板晶圆中设置有第一硅通孔和第二硅通孔，第一硅通孔通过导体柱与微同轴结构的第二端口连接，接地器件，位于射频芯片与盖板晶圆之间，且接地器件的第一端与射频芯片的接地端连接，第二端与第二硅通孔连接。该射频模块在满足高频通信的基础上，还具有较高的气密性，且通过在射频芯片与盖板晶圆之间设置接地器件，使得射频芯片经过盖板晶圆实现接地，提高了射频模块的性能。提高了射频模块的性能。提高了射频模块的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种新型射频模块、制作方法及电子设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种新型射频模块、制作方法及电子设备。

技术介绍

[0002]电子通信模块日趋向小型化和集成化方向发展。在射频功能模块的集成技术中，对于更高频段的电磁波，尤其是在毫米波和太赫兹频段，减小信号的传输损耗，增加信号隔离度，抑制信号相位畸变，防止信号互相干扰等都成为射频模块集成技术的难点。
[0003]现有技术采取的方案有，将微同轴传输线制作在半导体晶圆上，并连接高频器件，形成集成的射频功能模块，传输高频信号，在二维方向扩展，形成电子系统。现有技术虽然初步实现了高频信号在射频器件间传输的集成，但由于仅在二维空间方向进行连接和集成，与外界系统(如pcb等)的接口仍需要利用传统的金打线、sma接口等实现，使得这种射频模块的射频性能(金打线射频性能差)和集成度(sma接口无法集成制造)都不够理想。且现有技术未提及芯片如何背面接地，背面不接地会严重影响芯片的性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供了一种新型射频模块、制作方法及电子设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型射频模块，其特征在于，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于所述衬底晶圆上；侧墙，位于所述衬底晶圆上，且围绕所述微同轴结构设置；射频芯片，倒装在所述微同轴结构上，所述射频芯片的信号端与所述微同轴结构的第一端口连接；盖板晶圆，与所述衬底晶圆键合，所述盖板晶圆中设置有第一硅通孔和第二硅通孔，所述第一硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构的第二端口连接；接地器件，位于所述射频芯片与所述盖板晶圆之间，且所述接地器件的第一端与所述射频芯片的接地端连接，第二端与所述第二硅通孔连接。2.如权利要求1所述的射频模块，其特征在于，所述接地器件包括相互连接的接地通道与接地背板，所述接地背板与所述射频芯片连接，所述接地通道与所述第二硅通孔连接。3.如权利要求2所述的射频模块，其特征在于，所述接地背板贴附在所述射频芯片的背面；所述接地通道包括设置在所述衬底晶圆上的第一子通道、第二子通道以及第三子通道，所述第一子通道、第二子通道与第三子通道均位于所述衬底晶圆上，所述第一子通道与所述第二子通道连接，所述第二子通道与所述第三子通道连接，所述接地背板与所述第一子通道连接，所述第三子通道与所述第二硅通孔连接。4.如权利要求2所述的射频模块，其特征在于，所述接地背板通过所述接地通道贴附在所述盖板晶圆的下表面，所述接地通道与所述第二硅通孔连接。5.如权利要求2所述的射频模块，其特征在于，所述接地背板为一端宽另一端窄的面板。6.如权利要求2所述的射频模块，其特征在于，所述接地背板为中间宽两端窄的面板。7.一种新型射频模块的制作方法，其特征在于，包括：在衬底晶圆上形成微同轴结构以及围绕所述微同轴结构的侧墙，并在所述微同轴结构上制作垂直于所述衬底晶圆的导体柱；将射频芯片倒装在所述微同轴结构上，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：裘进，王志良，陆原，陈学志，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：