一种新型压模结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型压模结构，它包括压模本体(1)，所述压模本体(1)上设置有压模凹槽(2)，所述压模凹槽(2)四周设置有拦锡墙(3)，所述压模凹槽(2)中心设置有中心凸台(4)，所述中心凸台(4)四周向拦锡墙(3)延伸形成压模台阶(5)，所述中心凸台(4)四角位置朝向拦锡墙(3)四角位置开设有导流槽(6)。本实用新型专利技术一种新型压模结构，它能够降低锡厚和锡量成本，改善平整度，提升封装良率，改善关于电感、芯片热阻浪涌的参数值。阻浪涌的参数值。阻浪涌的参数值。

【技术实现步骤摘要】
一种新型压模结构


[0001]本技术涉及一种新型压模结构，属于半导体封装


技术介绍

[0002]现有压模由于压模中心凹陷，四周较浅，压模后四周锡量较少会缩回中心点锡处，受轨道高温影响，步进过程中压模出现不规律缩锡，导致芯片四周锡量分布不均，装片后容易锡回流不良，导致芯片倾斜不良、芯片热阻、电感等失效；增加锡量可有效抑制缩锡，但同时锡厚会增加，改善轨道点锡、压膜、装片处温度，只能抑制缩锡效果，但60％左右的背锡产品会存在破坏性推力失效，缩锡所带来的锡量覆盖不足，同样会导致包封后塑封料填充芯片背部，同时增加芯片裂缝风险。
[0003]压模压锡面四周压模台阶较低，防溢槽长度偏短，深度较深，导致压模四角锡量覆盖不足，锡量分布不均，锡厚&芯片倾斜居高不下，现有锡厚规范为20
‑
65微米，所有产品调试最优值达到50微米左右，处于标准上限。同样芯片倾斜规范≤38微米，常规卡控38微米，装片下道工序键合&焊线频繁反馈光学识别系统异常，芯片表面图形检测不良报警，小压区产品键合打线偏移，产品报废，需进一步优化装片锡厚&芯片平整度
[0004]随着客户关于芯片热阻、电感要求越来越高，迫切需求降低锡厚&倾斜，优化浪涌值。现有压模结构无法满足此类需求。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种新型压模结构，它能够降低锡厚和锡量成本，改善平整度，提升封装良率，改善关于电感、芯片热阻浪涌的参数值。
[0006]本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种新型压模结构，它包括压模本体，所述压模本体上设置有压模凹槽，所述压模凹槽四周设置有拦锡墙，所述压模凹槽中心设置有中心凸台，所述中心凸台四周向拦锡墙延伸形成压模台阶，所述中心凸台四角位置朝向拦锡墙四角位置开设有导流槽。
[0007]可选的，所述压模台阶在靠近拦锡墙内壁位置处设置有防溢槽。
[0008]可选的，所述压模台阶的高度低于中心凸台的高度。
[0009]可选的，所述压模台阶成3～5
°
斜坡。
[0010]可选的，所述压模台阶靠近拦锡墙的一侧较深，靠近中心凸台的一侧较浅。
[0011]可选的，所述压模凹槽的深度为10～30um。
[0012]可选的，所述中心凸台比拦锡墙的高度低10um。
[0013]可选的，所述防溢槽的深度为60～150um。
[0014]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0015]本技术一种新型压模结构，它能够降低BLT&锡量成本，改善平整度，提升封装良率，改善关于电感、芯片热阻浪涌的参数值。
附图说明
[0016]图1为本技术一种新型压模结构的三维示意图。
[0017]图2为本技术一种新型压模结构的腔体示意图。
[0018]图3为图2的A
‑
A剖视图。
[0019]其中：
[0020]压模本体1
[0021]压模凹槽2
[0022]拦锡墙3
[0023]中心凸台4
[0024]压模台阶5
[0025]导流槽6
[0026]防溢槽7。
具体实施方式
[0027]以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。
[0028]如图1～图3所示，本技术涉及的一种新型压模结构，它包括压模本体1，所述压模本体1上设置有压模凹槽2，所述压模凹槽2四周设置有拦锡墙3，所述压模凹槽2中心设置有中心凸台4，所述中心凸台4四周向拦锡墙3延伸形成压模台阶5，所述中心凸台4四角位置朝向拦锡墙3四角位置开设有导流槽6；
[0029]所述压模台阶5在靠近拦锡墙3内壁位置处设置有防溢槽7；
[0030]所述压模台阶5的高度低于中心凸台4的高度；
[0031]所述压模台阶5成3～5
°
斜坡；
[0032]所述压模台阶5靠近拦锡墙3的一侧较深，靠近中心凸台4的一侧较浅；
[0033]所述压模凹槽2的深度为10～30um，根据芯片背材适当选用，优选为15um；
[0034]所述中心凸台4比拦锡墙3的高度低10um；
[0035]所述防溢槽7的深度为60～150um；针对要求BLT低的客户所使用的SIC&IGBT等芯片，一般优选为80um；配合软接触或空抛等方案进行作业；
[0036]鉴于本新型压模头结构特殊，优选压模方案为：AD890A、JAF
‑
300PLUS/AD 832D等ASM系列推荐测高后上抬至少200um两次下压；ESEC2007/2009等ESEC系列推荐测高后下压0.05mm以上，td21、vu21、tu21不再运动，单次下压即可。
[0037]上述实施例外，本技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型压模结构，其特征在于：它包括压模本体(1)，所述压模本体(1)上设置有压模凹槽(2)，所述压模凹槽(2)四周设置有拦锡墙(3)，所述压模凹槽(2)中心设置有中心凸台(4)，所述中心凸台(4)四周向拦锡墙(3)延伸形成压模台阶(5)，所述中心凸台(4)四角位置朝向拦锡墙(3)四角位置开设有导流槽(6)。2.根据权利要求1所述的一种新型压模结构，其特征在于：所述压模台阶(5)在靠近拦锡墙(3)内壁位置处设置有防溢槽(7)。3.根据权利要求1所述的一种新型压模结构，其特征在于：所述压模台阶(5)的高度低于中心凸台(4)的高度。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坤凤，韩成武，王为民，刘红军，
申请(专利权)人：长电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：