一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，属于半导体制造技术领域，该修整器包括一个钢基体，设有至少一个具有平面结构的承接面；一个合金焊料层，固着于所述钢基体的承接面，若干均匀固定嵌置于所述合金焊料层的金刚石研磨颗粒，若干所述金刚石颗粒的顶端沿背离所述焊料层方向凸出于所述焊料层外表面，且以相距所述承接面相同距离处于同一平面高度。本实用新型专利技术提供的钎焊金刚石修整器，其结构稳定、使用寿命长，且各个金刚石颗粒顶端齐平，研磨效率高。研磨效率高。研磨效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器


[0001]本技术涉及半导体制造和机械抛光
，尤其涉及一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是目前半导体晶片表面平坦化的关键工艺。在化学机械抛光工艺中，抛光垫将抛光液稳定而均匀地输送至晶片与抛光垫之间，在化学蚀刻与机械磨削两者相互作用下，将芯片上凸出的沉积层去除。
[0003]为了提高化学机械抛光效率以及保持抛光效率的稳定性，抛光垫需要在线实时清洁，移除化学机械抛光的副产物，以保证抛光液分布均匀，恢复抛光垫粗糙面状态，能够稳定作业而不受所去除的材料的堆积影响。目前，现有的修整器大多存在表盘磨粒固接不稳定，使用寿命短和抛光效率低下的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，其表盘金刚石颗粒紧固嵌入合金焊料层，结构稳定、使用寿命长，且各个金刚石颗粒顶端齐平，研磨效率高。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，其特征在于，包括：一个钢基体，设有至少一个具有平面结构的承接面；一个合金焊料层，固着于所述钢基体的承接面，若干均匀固定嵌置于所述合金焊料层的金刚石颗粒，若干所述金刚石颗粒的顶端沿背离所述合金焊料层方向凸出于所述合金焊料层外表面，且以相距所述承接面相同距离处于同一平面高度。2.根据权利要求1所述的用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，其特征在于，所述金刚石颗粒的嵌入厚度为所述金刚石颗粒粒径高度的30％～50％。3.根据权利要求1或2所述的用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，其特征在于，若干所述金刚石颗粒的粒度差不大于20％。4.根据权利要求1所述的用于化学机械抛光的钎焊金刚石修整器，其特征在于，所述金刚石颗粒的排布形状为均匀无序排布或均匀阵列排布。5.根据权利要求4所述的用于化学机械抛光的钎...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，林宗良，郭坤，丁潇杰，蔡昌鹏，
申请(专利权)人：江苏韦尔博新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：