一种TopCom阵列结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板，玻璃基板上设有栅极GE层，栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层，无机绝缘GI层上设有有源SE层，有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层，刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层，源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层，无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层，并在有机绝缘OC层上开设出OC孔，无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔，有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层，像素电极PE层沉积有无机CH层，无机CH层上沉积有公共电极BC层。本实用新型专利技术在基于现有的Top

【技术实现步骤摘要】
一种Top Com阵列结构


[0001]本技术属于触控面板
，具体涉及一种Top Com阵列结构。

技术介绍

[0002]目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a
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Si的潜力。较a
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Si TFT相比，IGZO
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TFT的载流子迁移率可以达到10
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30cm2/V
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S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a
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Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。
[0003]随着目前显示技术的飞速发展，将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的In
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cell面板技术已经广泛应用在各种智能手机和平板电脑中。这种触控面板技术主要是将触控面板和液晶面板结合为一体，使原本具有显示功能的液晶面板同时具有触控输入功能，并且其最大的优点在于能够有效减少整个显示屏幕的厚度，厚度的减薄不仅可以降低整个手机的重量，而且可以利用腾出更大的空间用于扩大电池或其它零件等等。
[0004]目前市场的设计主流以Mid
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com In cell技术为主，该设计方案共需10道光罩完成阵列制程，主要是把与透明公共电极相连接的触控金属层设计在有机平坦层之上，在Array的制程方面，仅仅只是增加了VA(无机层)和CM(触控金属层)两个Layer。为简化工艺流程，现有量产也采用了9道光罩的Top
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Com设计阵列结构，该方案通过SD制程同时形成TP Line和Data Line，减少CM层和VA层两道制程来简化工艺流程。为降低生产成本和提高产品效益，如何在现有设计的Top
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Com结构上进一步优化制程模式成为方案改善的关键。为此，我们提出一种Top Com阵列结构，以解决上述
技术介绍
中提到的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种Top Com阵列结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板上设有栅极GE层，所述栅极GE层上沉积有无机绝缘GI层，所述无机绝缘GI层上设有有源SE层，所述有源SE层上设有刻蚀阻挡ES层，所述刻蚀阻挡ES层上设有源漏极SD层，所述源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层，所述无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层，并在有机绝缘OC层上开设出OC孔，所述无机绝缘PV层上蚀刻出PV孔，所述有机绝缘OC层上沉积有像素电极PE层，所述像素电极PE层沉积有无机CH层，所述无机CH层上沉积有公共电极BC层。
[0007]所述玻璃基板为TFT侧的素玻璃，其上依序形成TFT等有源器件。
[0008]所述栅极GE层为非透明栅极GE层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以Mo/Al/Mo或Ti/Ai/Ti为例 ；
[0009]所述无机绝缘GI层，具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选SiOx或SiNx；
[0010]所述有源SE层为TFT器件半导体层，如a
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Si、MOx和LTPS等，此设计方案可选IGZO；
[0011]刻蚀阻挡ES层具有较大介电常数的绝缘层，保护沟道区域有源SE层不被源漏极SD层蚀刻气体或液体蚀刻；
[0012]源漏极SD层以Mo/Al/Mo或Ti/Ai/Ti为例 ；
[0013]所述无机绝缘PV层具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选SiOx或SiNx ；
[0014]有机绝缘OC层主要为有机材料，覆盖于绝缘层，用于平坦化TFT器件表面，经曝光显影出OC孔；
[0015]像素电极PE层为透明导电ITO；
[0016]所述无机CH层具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选SiOx和SiNx；
[0017]所述公共电极BC层的材料为透明导电ITO。
[0018]一种Top Com阵列结构的制造工艺，具体包括以下步骤：
[0019]S1、在衬底的玻璃基板上制造出栅极GE层；
[0020]S2、在栅极GE层上沉积无机绝缘GI层；
[0021]S3、在无机绝缘GI层上制造出有源SE层；
[0022]S4、在有源SE层上制造出刻蚀阻挡ES层；
[0023]S5、在刻蚀阻挡ES层层上制造出源漏极SD层；
[0024]S6、在源漏极SD层上沉积出无机绝缘PV层；
[0025]S7、在无机绝缘PV层上涂布一层有机绝缘OC层，并开设OC孔；
[0026]S8、采用同ES层的光罩曝光显影蚀刻出PV孔；
[0027]S9、在有机绝缘OC层上沉积出像素电极PE层；
[0028]S10、在像素电极PE层上沉积出无机CH层；
[0029]S11、在无机CH层上沉积出公共电极BC层。
[0030]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术提供的一种Top Com阵列结构，本技术在基于现有的Top
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Com设计原理及不改变制程工艺的情况下，通过有效使用一道Mask（即刻蚀阻挡ES层和无机绝缘PV层共光罩），使ES层干蚀刻出ES孔和PV层干蚀刻出PV孔，使原有的9道Mask减少到8道，从而达到降低生产成本、提高产品效益的目的。
附图说明
[0031]图1为本技术步骤S1的结构示意图；
[0032]图2为本技术步骤S2的结构示意图；
[0033]图3为本技术步骤S3的结构示意图；
[0034]图4为本技术步骤S4的结构示意图；
[0035]图5为本技术步骤S5的结构示意图；
[0036]图6为本技术步骤S6的结构示意图；
[0037]图7为本技术步骤S7的结构示意图；
[0038]图8为本技术步骤S8的结构示意图；
[0039]图9为本技术步骤S9的结构示意图；
[0040]图10为本技术步骤S10的结构示意图；
[0041]图11为本技术步骤S11的结构示意图；
[0042]图12为现有量产Top
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com设计阵列结构示意图。
[0043]图中：1、玻璃基板；2、栅极GE层；3、无机绝缘GI层；4、有源SE层；5、刻蚀阻挡ES层；6、源漏极SD层；7、无机绝缘PV层；8、有机绝缘OC层；9、像素电极PE层；10、无机CH层；11、公共电极BC层；12、OC孔；13、PV孔。
具体实施方式
[0044]下面将结合本技术实施例中的附图，对本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Top Com阵列结构，包括玻璃基板（1），其特征在于：所述玻璃基板（1）上设有栅极GE层（2），所述栅极GE层（2）上沉积有无机绝缘GI层（3），所述无机绝缘GI层（3）上设有有源SE层（4），所述有源SE层（4）上设有刻蚀阻挡ES层（5），所述刻蚀阻挡ES层（5）上设有源漏极SD层（6），所述源漏极SD层（6）上沉积出无机绝缘PV层（7），所述无机绝缘PV层（7）上涂布一层有机绝缘OC层（8），并在有机绝缘OC层（8）上开设出OC孔（12），所述无机绝缘PV层（7）上蚀刻出PV孔（13），所述有机绝缘OC层（8）上沉积有像素电极PE层（9），所述像素电极PE层（9）沉积有无机CH层（10），所述无机CH层（10）上沉积有公共电极BC层（11）。2.根据权利要求1所述的一种Top Com阵列结构，其特征在于：所述玻璃基板（1）为TFT侧的素玻璃，其上依序形成TFT...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈鑫，朱书纬，潜垚，李澈，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：