太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法技术

一种太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法，所述硅片的背面顺次沉积有多个钝化膜层，所述检测方法包括：所述硅片的背面钝化工艺中，在所述硅片的背面分别沉积至所述多个钝化膜层的每一层后，进入PL测试步骤，制得沉积有不同钝化膜层数量的多个测试硅片的PL图像；对比所述多个测试硅片的PL图像的暗色区域的相对变化确定所述硅片的钝化效果不佳的钝化膜层。本发明专利技术能更有针对性的对背面钝化工艺的具体步骤进行检测及优化。钝化工艺的具体步骤进行检测及优化。钝化工艺的具体步骤进行检测及优化。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法


[0001]本专利技术属于光伏电池制造的
，尤其涉及太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法及优化方法。

技术介绍

[0002]随着经济和社会的快速发展，能源短缺成为阻碍人类社会发展的阻力，开发清洁的可再生能源已成为世界各国高度关注的问题，光伏行业作为可再生能源利用技术中的一个重要行业，正在飞速发展，此外，光伏行业也在不断革新电池的生产工艺以及开发新的高效能的太阳能电池，尤其是近年SE技术跟PERC技术的结合应用。
[0003]SE
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PERC技术即是指电池硅片先进行选择性发射极技术处理后添加电介质钝化层，该方式制成的SE
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PERC太阳能电池的效率明显提高，添加电介质钝化层的处理步骤在SE
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PERC太阳能电池的处理过程中显得尤为重要。
[0004]通常来说，添加电介质钝化层包括进舟、升温、抽真空、检漏、抽真空、多膜层沉积、抽真空、清洗、充氮和舟退等多个步骤，多膜层沉积需要在硅片上依次添加氧化铝层、氮氧化硅层、氮化硅层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法，其特征在于：所述硅片的背面顺次沉积有多个钝化膜层，所述检测方法包括：所述硅片的背面钝化工艺中，在所述硅片的背面分别沉积至所述多个钝化膜层的每一层后，进入PL测试步骤，制得沉积有不同钝化膜层数量的多个测试硅片的PL图像；对比所述多个测试硅片的PL图像的暗色区域的相对变化确定所述硅片钝化效果不佳的钝化膜层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法，其特征在于，在所述硅片的背面顺次沉积的多个钝化膜层包括：第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层；所述在硅片的背面分别沉积至多个所述钝化膜层的每一层后，进行PL测试步骤包括：对所述硅片背面沉积第一膜层的步骤完成后，进行PL测试，得沉积有第一膜层的测试硅片的PL图像；对所述硅片背面顺次沉积第一膜层和第二硅膜层的步骤完成后，进行PL测试，得沉积有第一膜层和第二膜层的测试硅片的PL图像；对所述硅片背面顺次沉积第一膜层、第二膜层以及第三膜层的步骤完成后，进行PL测试，得沉积有第一膜层、第二硅膜层及第三膜层的测试硅片的PL图像；对所述硅片背面顺次沉积第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层的步骤完成后，进行PL测试，得沉积有第一膜层、第二硅膜层、第三膜层及第四膜层的测试硅片的PL图像。3.根据权利要求2所述的太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法，其特征在于，所述第一膜层为氧化铝膜层，所述第二膜层为氮氧化硅膜层，所述第三膜层为氮化硅膜层、所述第四膜层为氧化硅膜层。4.根据权利要求3所述的太阳能电池硅片的背面钝化工艺的检测方法，其特征在于，沉积所述氮化硅膜层的步骤包括预淀积处理，所述硅片的背面分别沉积至所述多个钝化膜层的每一层后，进行PL测试步骤还包括：在对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王贵梅，朱少杰，许志卫，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：