蚀刻缺陷检测方法技术

本公开提供一种蚀刻缺陷检测方法，涉及半导体技术领域。该检测方法包括：提供衬底，衬底上依次形成有导电层以及介质层；对介质层进行蚀刻处理，以形成沟槽结构；以导电层作为阴极，采用电镀工艺在沟槽结构内填充电镀层，以形成待测产品；采用缺陷密度检测组件测试待测产品，以获取沟槽结构的顶视图像，根据顶视图像确定待测产品的蚀刻缺陷。本公开的蚀刻缺陷检测方法可提高缺陷识别准确率，防止电容因悬空而失效。而失效。而失效。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻缺陷检测方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种蚀刻缺陷检测方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点，被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。电容器作为动态随机存储器的核心部件，主要用于存储电荷。
[0003]通常在制造电容器的过程中，需要在衬底上形成介质层，蚀刻介质层，以便形成具有深度特征的沟槽结构。然而，受制备工艺限制，在沟槽蚀刻过程中容易出现蚀刻不足的缺陷，导致沟槽结构不能很好的形成，而在制备沟槽结构的过程中，有效的识别蚀刻不足缺陷变得越来越关键。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种蚀刻缺陷检测方法，可提高缺陷识别准确率，防止电容因悬空而失效。
[0006]根据本公开的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有导电层以及介质层；对所述介质层进行蚀刻处理，以形成沟槽结构；以所述导电层作为阴极，采用电镀工艺在所述沟槽结构内填充电镀层，以形成待测产品；采用缺陷密度检测组件测试所述待测产品，以获取所述沟槽结构的顶视图像，根据所述顶视图像确定所述待测产品的蚀刻缺陷。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述沟槽结构为多个，且多个所述沟槽结构呈阵列分布。3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述顶视图像确定所述待测产品的蚀刻缺陷包括：根据所述顶视图像中各所述沟槽结构的颜色深浅程度确定所述蚀刻缺陷，并将各所述沟槽结构中颜色较深的沟槽结构识别为蚀刻缺陷。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，以所述导电层作为阴极，采用电镀工艺在所述沟槽结构内填充电镀层，以形成待测产品包括：以所述导电层为阴极，采用电镀工艺在所述沟槽结构内填满电镀层；采用化学机械抛光工艺去除所述电镀层凸出于所述沟槽结构顶表面的部分，以使所述电镀层背离所述导电层的表面与所述介质层背离所述导电层的表面平齐。5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，采用化学机械抛光工艺去除所述电镀层凸出于所述沟槽结构顶表面的部分包括：采用抛光液去除所述电镀层凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，李森，宛强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：