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蚀刻缺陷检测方法技术
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文档序号:32607510
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本公开提供一种蚀刻缺陷检测方法,涉及半导体技术领域。该检测方法包括:提供衬底,衬底上依次形成有导电层以及介质层;对介质层进行蚀刻处理,以形成沟槽结构;以导电层作为阴极,采用电镀工艺在沟槽结构内填充电镀层,以形成待测产品;采用缺陷密度检测组件...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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