本发明专利技术提供了一种封装方法、芯片识别方法及其装置，其中所述芯片识别方法包括以下步骤：设定搜寻范围，且所述搜寻范围大于芯片的面积；设置标准图形，且在所述搜寻范围内将所述标准图形与芯片的实际图形进行对比；在对比结果的基础上设置标准孔阵列；在对比结果的基础上将所述标准孔阵列与芯片的实际孔阵列进行匹配，以识别芯片的位置。本发明专利技术通过在设置标准孔阵列之前设置标准图形，并将标准图形与芯片的实际图形进行对比的方法，能够准确识别芯片位置，降低顶针拾取芯片时出现由于视觉偏差而带来顶偏的情况，可以提高固晶良率。可以提高固晶良率。可以提高固晶良率。
【技术实现步骤摘要】
封装方法、芯片识别方法及其装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种封装方法、芯片识别方法及其装置。
技术介绍
[0002]自上个世纪60年代以来，半导体技术的发展一直遵循着摩尔定律。但当集成电路的特征尺寸降低到14nm以下时，半导体技术逐渐逼近硅工艺的极限。由此带来的研发费用和用于升级晶圆制造的装置和设备等费用，使得提供这种在半导体器件制造方面的成本是非常昂贵的。未来产品发展的方向是高密度集成和体积微型化，在后摩尔时代要实现产品性能提升有赖于先进封装的技术突破，然而板级扇出式封装便是先进封装代表之一。
[0003]目前，在板级扇出式封装方法过程中，需要在晶圆上贴上半透明树脂膜作为隔离层；再在半透明树脂膜上钻出实际孔使芯片上的RDL pad(redistribution layerpad，重分布层的金属焊盘)裸露出；然后将该晶圆切割成单颗芯片后使用顶针拾取贴膜打孔后的每颗芯片，并将顶出的每颗芯片固定在载板上，这一步骤称为固晶。但是，现有的方法在使用顶针拾取芯片时，容易出现由于视觉偏差而带来顶偏的情况，导致固晶良率低。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种封装方法、芯片识别方法及其装置，以降低顶针拾取芯片时出现由于视觉偏差而带来顶偏的情况，提高固晶良率。
[0005]为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术提供一种芯片识别方法，所述芯片的表面为半透明树脂膜，且所述半透明树脂膜上形成有实际孔阵列，以暴露出所述芯片的重分布层的金属焊盘，所述芯片识别方法包括以下步骤：
[0006]步骤S11：设定搜寻范围，且所述搜寻范围大于芯片的面积；
[0007]步骤S12：设置标准图形，且在所述搜寻范围内将所述标准图形与芯片的实际图形进行对比；
[0008]步骤S13：在对比结果的基础上设置标准孔阵列；
[0009]步骤S14：在对比结果的基础上将所述标准孔阵列与芯片的实际孔阵列进行匹配，以识别芯片的位置。
[0010]可选的，在所述的芯片识别方法中，晶圆经过切割形成多颗所述芯片，在步骤S14中，所述实际孔阵列的识别方法包括以下步骤：
[0011]将摄像头的环光光源投射到所述晶圆正面，以使所述半透明树脂膜和所述实际孔阵列中的每个实际孔内的金属焊盘亮起来；
[0012]将摄像头的点光光源投射到所述晶圆正面，以使所述实际孔阵列中的每个实际孔内的金属焊盘亮度大于所述半透明树脂膜的亮度，构成亮度差，以识别出所述实际孔阵列中的每个实际孔的位置和形状。
[0013]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述标准图形包括标准重分布层图形，在步骤S12中，设置所述标准重分布层图形，且在所述搜寻范围内将所述标准重分布层图形与芯片
的实际重分布层图形进行对比；在步骤S13中，在所述标准重分布层图形与所述实际重分布层图形匹配的基础上设置标准孔阵列。
[0014]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述实际重分布层图形的识别方法包括：通过将所述摄像头的环光光源调暗，识别出芯片的实际重分布层图形。
[0015]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述标准图形包括标准芯片轮廓，在步骤S12中，设置所述标准芯片轮廓，且在所述搜寻范围内将所述标准芯片轮廓与芯片的实际芯片轮廓进行对比；在步骤S13中，在所述标准芯片轮廓与所述实际芯片轮廓匹配的基础上设置标准孔阵列；在步骤S14中，在所述实际芯片轮廓的范围内将所述标准孔阵列与芯片的实际孔阵列进行匹配，以识别芯片的位置。
[0016]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述报错信息包括打孔错误。
[0017]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述实际芯片轮廓的获取方法包括：
[0018]通过在所述晶圆背面进行点光光源或者环光光源投射，与所述晶圆正面的环光光源形成亮度差，以将所述晶圆的实际切割道照亮，确定出所述实际芯片轮廓。
[0019]可选的，在所述的芯片识别方法中，所述标准图形包括标准重分布层图形和标准芯片轮廓，步骤S12包括：
[0020]步骤S121：设置所述标准芯片轮廓，且在所述搜寻范围内将标准芯片轮廓与芯片的实际芯片轮廓进行对比；
[0021]步骤S122：在所述标准芯片轮廓与所述实际芯片轮廓匹配的基础上设置所述标准重分布层图形，且在所述实际芯片轮廓的范围内将所述标准重分布层图形与芯片的实际重分布层图形进行对比。
[0022]可选的，在所述的芯片识别方法中，在步骤S13中，在所述标准重分布层图形与所述实际重分布层图形匹配的基础上设置标准孔阵列。
[0023]可选的，在所述的芯片识别方法中，在步骤S13中，在所述标准图形与所述实际图形不匹配时，则产生报错信息；在步骤S14中，在所述标准孔阵列与所述实际孔阵列不匹配时，则产生报错信息。
[0024]可选的，在所述的芯片识别方法中，在步骤S11之前，还包括步骤S10：对所述芯片识别方法进行预判，所述预判的步骤包括：
[0025]步骤S1011：判断标准孔阵列是否存在误判可能，若无误判可能则采用原始芯片识别方法进行芯片识别，否则执行步骤S1012；
[0026]步骤S1012：判断标准重分布层图形是否存在误判可能，若无误判可能则执行步骤S11～S14，且所述标准图形为标准重分布层图形；否则执行步骤S1013；
[0027]步骤S1013：判断晶圆的实际切割道与标准切割道是否存在差异，若不存在差异则执行步骤S11～S14，且所述标准图形为标准芯片轮廓；否则执行步骤S11～S14，且所述标准图形为标准重分布层图形和标准芯片轮廓。
[0028]为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术还提供了一种封装方法，包括以下步骤：
[0029]提供一具有重分布层以及半透明树脂膜的晶圆，所述半透明树脂膜覆盖所述重分布层，且所述半透明树脂膜上形成有实际孔阵列，以裸露出所述重分布层的金属焊盘；
[0030]将所述晶圆切割成多颗芯片；
[0031]通过上述所述的芯片识别方法获取每颗芯片的位置；
[0032]根据所述芯片的位置使顶针顶出每颗芯片；
[0033]将顶出的每颗芯片固定在载板上。
[0034]为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术还提供了一种上述所述的芯片识别方法的芯片识别装置，包括：
[0035]晶圆承载盘，用于承载晶圆，且所述晶圆被切割成多颗芯片；
[0036]背面光源，位于所述晶圆承载盘下方，用于对所述晶圆背面投射点光光源，和/或，环光光源；
[0037]摄像头，位于所述晶圆承载盘上方，用于对所述晶圆正面投射点光光源和环光光源；
[0038]图形识别装置，位于所述晶圆承载盘的上方，所述图形识别装置用于标准孔阵列和标准图形的设置、在所述摄像头单独作用下或者所述摄像头与所述背面光源协同作用下识别出所述晶圆上的每颗芯片的实际孔阵列和实际图形、实现所述标准孔阵列与所述实际孔阵列的对比以及所述标准图形与所述实际图形的对本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片识别方法，所述芯片的表面为半透明树脂膜，且所述半透明树脂膜上形成有实际孔阵列，以暴露出所述芯片的重分布层的金属焊盘，其特征在于，所述芯片识别方法包括以下步骤：步骤S11：设定搜寻范围，且所述搜寻范围大于芯片的面积；步骤S12：设置标准图形，且在所述搜寻范围内将所述标准图形与芯片的实际图形进行对比；步骤S13：在对比结果的基础上设置标准孔阵列；步骤S14：在对比结果的基础上将所述标准孔阵列与芯片的实际孔阵列进行匹配，以识别芯片的位置。2.如权利要求1所述的芯片识别方法，其特征在于，晶圆经过切割形成多颗所述芯片，在步骤S14中，所述实际孔阵列的识别方法包括以下步骤：将摄像头的环光光源投射到所述晶圆正面，以使所述半透明树脂膜和所述实际孔阵列中的每个实际孔内的金属焊盘亮起来；将摄像头的点光光源投射到所述晶圆正面，以使所述实际孔阵列中的每个实际孔内的金属焊盘亮度大于所述半透明树脂膜的亮度，构成亮度差，以识别出所述实际孔阵列中的每个实际孔的位置和形状。3.如权利要求2所述的芯片识别方法，其特征在于，所述标准图形包括标准重分布层图形，在步骤S12中，设置所述标准重分布层图形，且在所述搜寻范围内将所述标准重分布层图形与芯片的实际重分布层图形进行对比；在步骤S13中，在所述标准重分布层图形与所述实际重分布层图形匹配的基础上设置标准孔阵列。4.如权利要求3所述的芯片识别方法，其特征在于，所述实际重分布层图形的识别方法包括：通过将所述摄像头的环光光源调暗，识别出芯片的实际重分布层图形。5.如权利要求2所述的芯片识别方法，其特征在于，所述标准图形包括标准芯片轮廓，在步骤S12中，设置所述标准芯片轮廓，且在所述搜寻范围内将所述标准芯片轮廓与芯片的实际芯片轮廓进行对比；在步骤S13中，在所述标准芯片轮廓与所述实际芯片轮廓匹配的基础上设置标准孔阵列；在步骤S14中，在所述实际芯片轮廓的范围内将所述标准孔阵列与芯片的实际孔阵列进行匹配，以识别芯片的位置。6.如权利要求5所述的芯片识别方法，其特征在于，所述实际芯片轮廓的获取方法包括：通过在所述晶圆背面进行点光光源或者环光光源投射，与所述晶圆正面的环光光源形成亮度差，以将所述晶圆的实际切割道照亮，确定出所述实际芯片轮廓。7.如权利要求2所述的芯片识别方法，其特征在于，所述标准图形包括标准重分布层图形和标准芯片轮廓，步骤S12包括：步骤S121：设置所述标准芯片轮廓，且在所述搜寻范围内将所述标准芯片轮廓与芯片的实际芯片轮廓进行对比；步骤S122：在所述标准芯片轮廓与所述实际芯片轮廓匹配的基础上设置所述标准重分布层图形，且在所述实际芯片轮廓的范围内将所述标准重分布层图形与芯片的实际重分布层图形进行对比。8.如权利要求7所述的芯片识别方法，其特征在于，在步骤S13中，在所述标准重分布层
图形与所述实际重...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁浩，穆正德，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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