半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽；在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内；对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。提升。提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件或线)已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]在一些IC设计中，随着技术节点缩小，实现的一个优势为：在部件尺寸缩小的情况下，用金属栅极来替换典型的多晶硅栅极以提高器件性能。形成金属栅极的一个工艺被称为替换栅极或者“后栅极”工艺，其中，“最后”制造金属栅极，这允许降低随后工艺的数量，包括在形成栅极之后必须实施的高温处理。
[0004]然而，实施这些IC制造工艺还具有一系列的挑战，特别是对于先进工艺节点中的按比例缩小的IC部件，诸如N10，N5等。其中，一个挑战是在替换之后，如何有效地对金属栅极进行隔离。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽；在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内；对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构和第一介质层的形成方法包括：在衬底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层位于所述凹槽内；在初始第一介质层上形成图形化的掩膜结构，所述掩膜结构暴露出部分所述凹槽内的初始第一介质层表面；以所述掩膜结构为掩膜刻蚀所述初始第一介质层，直至暴露出衬底表面，在初始第一介质层内形成隔离开口；在隔离开口内形成所述初始隔离结构；形成初始隔离结构之后，回刻蚀所述初始第一介质层，形成第一介质层，所述第一介质层暴露出部分所述初始隔离结构，且所述第一介质层顶部表面低于所述纳米结构顶部表面。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离结构在所述纳米结构的排列方向上具有第一尺寸，所述隔离结构在所述纳米结构的排列方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一尺寸的范围为大于10纳米；所述第二尺寸的范围为1纳米～5纳米。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始隔离结构进行刻蚀的工艺包括各向同性干法刻蚀工艺或各向同性湿法刻蚀工艺。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括：四氟化碳和氩气，或者四氟化碳和氦气。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述纳米结构包括：第一区、位于第一区上的第二区以及位于第二区上的第三区；所述第一区包括底层纳米线，所述第一介质层位于第一区侧壁且所述第一介质层低于所述第二区的底部平面；所述第二区包括若干复合层，所述复合层包括牺牲层和位于牺牲层上的纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪世良，肖杏宇，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：