【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高效率微装置
[0001]本专利技术涉及垂直固态装置及其制造方法。更特定来说,本专利技术涉及高效率微装置。
技术介绍
[0002]侧壁缺陷是微装置的性能降级的主要原因之一。一种用以增强性能的方法是通过对装置周围的栅极进行偏置而使用所述栅极来撤销激活缺陷。挑战是小装置中额外电极的使用。
技术实现思路
[0003]根据一个实施例,提供一种垂直固态装置,其包括p触点、p掺杂层、不同作用层(例如量子阱、势垒等)、n掺杂层、连接垫及包括金属绝缘体半导体(MIS)结构的侧壁,其中所述MIS结构的栅极短接到垂直固态装置的至少一个触点。
[0004]在另一实施例中,MIS结构的所述栅极通过n凸块或n欧姆短接到n触点。
[0005]在一个实施例中,MIS结构的所述栅极可包括覆盖所述MIS结构的所述侧壁的全部或部分栅极。
[0006]在本专利技术的一个方面中,所公开结构可与垂直固态装置的覆晶结构兼容。
[0007]根据一个方面,所述垂直固态装置是微装置。
[0008]在本专利技术的另一方面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用以提高垂直固态装置的效率的方法,所述方法包括:提供包括连接垫及侧壁的固态装置,所述侧壁包括金属绝缘体半导体(MIS)结构;将偏置电压施加到连接到所述MIS结构的栅极电极且将所述MIS结构短接到所述垂直固态装置的n触点;及使所述栅极电极的所述偏置电压保持小于所述MIS结构的阈值电压以提高所述垂直固态装置的所述效率。2.根据权利要求1所述的方法,其中由于侧壁效应导致的泄漏电流基本上在所述垂直固态装置的n触点区域中。3.根据权利要求1所述的装置,其中通过以下各项中的一者而调整所述阈值电压:层工程化、处理步骤或电荷植入。4.根据权利要求1所述的方法,其中由于侧壁效应导致的泄漏电流全部在所述垂直固态装置的n触点区域中。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述栅极电极完全覆盖所述装置的所述侧壁。6.一种垂直固态装置:连接垫;及侧壁,其包括金属绝缘体半导体(MIS)结构;其中所述MIS结构的栅极短接到所述垂直固态装置的至少一个触点且所述MIS结构的阈值电压(VT)经调整以提高所述装置的效率。7.根据权利要求6所述的装置,其中调整短接到n触点的所述栅极的所述阈值电压包括:将所述VT设定为接近于所述n触点的偏置电压且在提供EQE范围的范围内,所述EQE范围在最大EQE的预定义范围内。8.根据权利要求6所述的装置,其中调整短接到p触点的所述栅极的所述阈值电压包括:将所述VT设定为接近于所述p与所述n之间的偏置差且在提...
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