氮化物半导体器件及其制造方法技术

一种氮化物半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半导体载体之上。半导体载体具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一导电垫和第一斜面。第一导电垫配置于第二平面中。第一斜面将第二平面连接到第一平面。第一共形连接结构配置于第一平面和第一氮化物基芯片上。在第二平面与第一斜面之间形成第一钝角。每个第一共形连接结构中覆盖第一氮化物基芯片的这些第一斜面中的一个和这些第一钝角中的一个，且电连接到第一导电垫。且电连接到第一导电垫。且电连接到第一导电垫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术大体上涉及一种半导体器件。更确切地说，本专利技术涉及一种具有共形连接结构的氮化物半导体器件。

技术介绍

[0002]近年来，例如高电子迁移率晶体管(HEMT)的氮化物半导体器件在例如高电力切换和高频率应用的半导体技术和装置的发展中已经非常普遍。这些装置利用两种具有不同带隙的材料之间的异质结界面，且电子累积在界面处并形成二维电子气体(2DEG)区，这满足高电力/频率装置的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的装置的实例还包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。
[0003]由于氮化物半导体器件的大小和集成已经大有进展，因此装置上的电连接的密度也随之增大。目前，需要改进氮化物装置的连接的灵活性、密度、电阻和良率，由此使其适合于大批量生产。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供一种具有多个共形连接结构的氮化物半导体器件。半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：半导体载体，具有第一平面；第一氮化物基芯片，配置于所述半导体载体之上，其中所述第一氮化物基芯片具有：第二平面；多个第一导电垫，配置于所述第二平面中；以及多个第一斜面，其将所述第二平面连接到所述第一平面；以及多个第一共形连接结构，配置于所述第一平面和所述第一氮化物基芯片上，其中多个第一钝角形成于所述第二平面与所述多个第一斜面之间，且所述多个第一共形连接结构中的每一个覆盖所述第一氮化物基芯片的所述多个第一斜面中的一个和所述多个第一钝角中的一个，且电连接到所述第一导电垫。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，还包括一个或多个第一绝缘层，所述一个或多个第一绝缘层覆盖所述第一氮化物基芯片的所述第一斜面且定位在所述第一共形连接结构下方，其中每一个所述第一绝缘层覆盖所述多个第一斜面中的一个和所述多个第一钝角中的一个以及部分所述第二平面。3.根据权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物基芯片的所述第一导电垫未由所述第一绝缘层覆盖。4.根据权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第二平面上形成绝缘轨，且所述绝缘轨邻近于所述第一钝角且位于所述第二平面上，且所述第一共形连接结构覆盖所述绝缘轨。5.根据权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述一个或多个第一绝缘层各自具有第一绝缘顶面，且所述第一绝缘顶面位于所述第二平面上方。6.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一共形连接结构中的每一个具有第一导电顶面和第一导电斜面，且第二钝角形成于所述第一导电顶面与所述第一导电斜面之间，且所述第一钝角在几何学上相似于所述第二钝角。7.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述半导体载体具有载体金属层、多个第二导电垫和第一介电层，且所述载体金属层和所述多个第二导电垫分别嵌入所述第一介电层中，且所述第一氮化物基芯片位于所述载体金属层上，且所述载体金属层、所述多个第二导电垫和所述第一介电层形成所述第一平面，且所述多个第一共形连接结构覆盖所述载体金属层与所述多个第二导电垫之间的所述第一介电层和所述多个第二导电垫的部分，且所述多个第一共形连接结构分别电连接到所述多个第二导电垫。8.根据权利要求7所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述多个第一斜面朝向所述第一介电层与所述载体金属层之间的界面向外倾斜。9.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，还包括保护层，其中所述保护层将所述第一氮化物基芯片封装在所述半导体载体上，且所述保护层具有保护顶面，且所述多个第一共形连接结构具有多个第一导电顶面，且所述保护顶面与所述多个第一导电顶面平行。10.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物基芯片具有：硅基衬底，具有形成于其上的一个或多个氮化物基半导体层；以及
多个电路，其中所述多个电路和所述多个第一导电垫的部分嵌入所述一个或多个氮化物基半导体层中，且所述硅基衬底的底侧连接到所述载体金属层。11.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物基芯片具有：硅基衬底；外延层，配置于所述硅基衬底上；以及电路层，配置于所述外延层上，其中所述第一导电垫嵌入所述电路层中。12.根据权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物基芯片具有：多个第三平面，其连接所述多个第一斜面；以及多个第二斜面，其将所述多个第三平面连接到所述第一平面，且所述第三平面与所述第二平面平行。13.根据权利要求12所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述多个第一斜面和所述多个第二斜面具有相同的斜率。14.根据权利要求12所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一共形连接结构中的每一个具有第一导电顶面、第一导电斜面、导电平面、第二导电斜面，且所述导电平面将所述第一导电斜面连接到所述第二导电斜面，且所述第一导电斜面将所述导电平面连接到所述第一导电顶面，且多个第二钝角形成于所述第一导电顶面与所述第一导电斜面之间，且第三钝角形成于所述导电平面与所述第二导电斜面之间。15.根据权利要求14所述的氮化物半导体器件，其特征在于，所述第一钝角、所述第二钝角和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹凯，张雷，朱益峰，黄敬源，周春华，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：