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一种氮化物半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半导体载体之上。半导体载体具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一导电垫和第一斜面。第一导电垫配置于第二平面中。第一斜面将第二平面连接到第...该专利属于英诺赛科(苏州)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(苏州)科技有限公司授权不得商用。
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一种氮化物半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半导体载体之上。半导体载体具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一导电垫和第一斜面。第一导电垫配置于第二平面中。第一斜面将第二平面连接到第...