晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构技术

本发明专利技术的实施例提供了一种晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法通过制备带有让位凸起的载板，并直接在载板上形成塑封体，在去除载板后，即得到了形成有让位凹槽的塑封体，采用塑封料进行塑封直接得到让位凹槽，然后将芯片嵌入到让位凹槽中，并在塑封体的表面形成覆盖让位凹槽的钝化层，最后完成布线层和焊球等晶圆级工艺。充分利用了塑封料易塑性和低成本的优势，利用成熟的塑封塑形工艺，结合载板的让位凸起，能够精确地塑造出让位凹槽等结构，且工艺简单，工艺难度低。此外通过芯片嵌入让位凹槽内，正面再通过重新布线方式，将各个讯号接点扇出到塑封体外，提高了塑封的可靠性。提高了塑封的可靠性。提高了塑封的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，晶圆级扇出封装结构广泛应用于半导体行业中。随着芯片变得越来越小，讯号接点数越来越多，传统的封装已不能满足高接点数的需求。晶圆级扇出封装技术(FOWLP)是对晶圆级芯片尺寸封装技术的补充，通过再构圆片的方式将芯片讯号接点端口引出，在重构的塑封体上形成焊球或凸点终端数组，在一定范围内可替代传统的引线键和焊球数组(WBBGA)封装或倒装芯片焊球数组(FCBGA)封装(<500讯号接点数)封装结构，特别适用于蓬勃发展的便携式消费电子领域。
[0003]FOWLP工艺在2008年就开始应用，主要是英飞凌无线(后来的英特尔的无线部门)的eWLB(Embedded Wafer Level BGA)技术，标准的eWLB工艺流程如下:首先在一个载片上贴膜，然后把芯片讯号连接点面朝下放置于膜上，使用晶圆级注塑工艺，将芯片塑封到塑封料中，固化模塑料，移除载片，之后对塑有芯片的塑封料圆片进行晶圆级工艺，在芯片讯号连接点暴露的一侧进行钝化、金属再布线、制备凸点底部金属层、植球，最后切片完成封装。
[0004]对于上述工艺流程，其由于需要将芯片粘接在载片上，在剥离载片时还需要进行胶膜层剥离动作，无疑使得工艺复杂度和工艺难度增大，且材料成本高，容易留下残胶影响后续的晶圆级工艺，降低了封装的可靠性。并且，由于塑封料直接塑封芯片，在塑封过程中容易出现翘曲或偏移问题，影响芯片的内部应力，甚至导致芯片隐裂，影响产品质量。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构，其工艺简单、成本低，同时封装可靠性高，并减缓了翘曲或者偏移的问题，提升了产品质量。
[0006]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0007]第一方面，本专利技术提供一种晶圆级扇出封装方法，包括：
[0008]制备一带有让位凸起的载板；
[0009]在所述载板上形成包覆在所述让位凸起外的塑封体；
[0010]去除所述载板，并在所述塑封体上形成让位凹槽；
[0011]将芯片嵌入所述让位凹槽；
[0012]在所述塑封体上形成覆盖所述让位凹槽的钝化层；
[0013]在所述钝化层上形成布线层；
[0014]在所述布线层上进行植球，以形成焊球；
[0015]其中，所述布线层与所述芯片电连接。
[0016]在可选的实施方式中，所述制备一带有让位凸起的载板的步骤，包括：
[0017]提供一金属板；
[0018]在所述金属板上开槽去除预设区域，以形成所述让位凸起。
[0019]在可选的实施方式中，在所述金属板上开槽去除预设区域的步骤，包括：
[0020]在所述金属板上开槽去除多个不同间距的预设区域，以形成多个不同宽度的所述让位凸起。
[0021]在可选的实施方式中，在所述布线层上进行植球的步骤之后，所述方法还包括：
[0022]在所述塑封体远离所述布线层的一侧表面进行减薄工艺。
[0023]在可选的实施方式中，在所述塑封体上形成钝化层的步骤，包括：
[0024]在所述让位凹槽内和所述塑封体的表面涂覆介质材料，以形成包覆在所述芯片外的钝化层。
[0025]在可选的实施方式中，在所述塑封体上形成钝化层的步骤之后，所述方法还包括：
[0026]在所述钝化层上开槽形成钝化层开口；
[0027]其中，所述钝化层开口贯通至所述芯片的表面。
[0028]在可选的实施方式中，将芯片嵌入所述让位凹槽的步骤之前，所述方法还包括：
[0029]在所述让位凹槽的底壁或所述芯片的表面涂布粘接胶。
[0030]在可选的实施方式中，将芯片嵌入所述让位凹槽的步骤，包括：
[0031]将至少两个所述芯片嵌入所述让位凹槽；
[0032]其中，相邻两个所述芯片间隔设置，且均贴装在所述让位凹槽的底壁上。
[0033]在可选的实施方式中，在所述钝化层上形成布线层的步骤，包括：
[0034]在所述钝化层上形成金属层并图案化；
[0035]在所述金属层上形成介质层；
[0036]其中，所述金属层用于与所述焊球和所述芯片电连接。
[0037]第二方面，本专利技术提供一种晶圆级扇出封装结构，包括：
[0038]在一侧设置有让位凹槽的塑封体；
[0039]设置在所述让位凹槽内的芯片；
[0040]设置在所述塑封体的一侧，并覆盖所述让位凹槽的钝化层；
[0041]设置在所述钝化层远离所述塑封体的一侧的布线层；
[0042]设置在所述布线层上的焊球；
[0043]其中，所述布线层与所述芯片电连接。
[0044]在可选的实施方式中，所述让位凹槽为多个，每个所述让位凹槽内均设置有所述芯片，且多个所述让位凹槽的宽度不同，用于装入不同规格的所述芯片。
[0045]在可选的实施方式中，所述让位凹槽内设置有多个所述芯片，多个所述芯片间隔铺设在所述让位凹槽内。
[0046]本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
[0047]本专利技术实施例提供了一种晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构，通过制备带有让位凸起的载板，并直接在载板上形成塑封体，在去除载板后，即得到了形成有让位凹槽的塑封体，采用塑封料进行塑封直接得到让位凹槽，然后将芯片嵌入到让位凹槽中，并在塑封体的表面形成覆盖让位凹槽的钝化层，最后完成布线层和焊球等晶圆级工艺。充分利用了塑封料易塑性和低成本的优势，利用成熟的塑封塑形工艺，结合载板的让位凸起，能够
精确地塑造出让位凹槽等结构，且工艺简单，工艺难度低。此外通过芯片嵌入让位凹槽内，正面再通过重新布线方式，将各个讯号接点扇出到塑封体外，提高了塑封的可靠性。同时由于未采用直接在芯片外塑封的工艺，而采用了让位凹槽的结构，使得塑封体发生翘曲或偏移时与芯片之间具有一定的缓冲，避免了芯片隐裂等问题。同时塑封体散热性能良好，能够保证产品的散热性。相较于现有技术，本专利技术提供的晶圆级扇出封装方法和晶圆级扇出封装结构，其工艺简单、成本低，同时封装可靠性高，并减缓了翘曲或者偏移的问题，提升了产品质量。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0049]图1为本专利技术第一实施例提供的晶圆级扇出封装方法的步骤框图；
[0050]图2至图8为本专利技术第一实施例提供的晶圆级扇出封装方法的工艺流程图；
[0051]图9为本专利技术第一实施例提供的晶圆级扇出封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级扇出封装方法，其特征在于，包括：制备一带有让位凸起的载板；在所述载板上形成包覆在所述让位凸起外的塑封体；去除所述载板，并在所述塑封体上形成让位凹槽；将芯片嵌入所述让位凹槽；在所述塑封体上形成覆盖所述让位凹槽的钝化层；在所述钝化层上形成布线层；在所述布线层上进行植球，以形成焊球；其中，所述布线层与所述芯片电连接。2.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装方法，其特征在于，所述制备一带有让位凸起的载板的步骤，包括：提供一金属板；在所述金属板上开槽去除预设区域，以形成所述让位凸起。3.根据权利要求2所述的晶圆级扇出封装方法，其特征在于，在所述金属板上开槽去除预设区域的步骤，包括：在所述金属板上开槽去除多个不同间距的预设区域，以形成多个不同宽度的所述让位凸起。4.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装方法，其特征在于，在所述布线层上进行植球的步骤之后，所述方法还包括：在所述塑封体远离所述布线层的一侧表面进行减薄工艺。5.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装方法，其特征在于，在所述塑封体上形成钝化层的步骤，包括：在所述让位凹槽内和所述塑封体的表面涂覆介质材料，以形成包覆在所述芯片外的钝化层。6.根据权利要求5所述的晶圆级扇出封装方法，其特征在于，在所述塑封体上形成钝化层的步骤之后，所述方法还包括：在所述钝化层上开槽形成钝化层开口；其中，所述钝化层开口贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟磊，李利，张超，何正鸿，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：