半导体装置制造方法及图纸

半导体装置(A1)具有：对漏极电极(11)及源极电极(12)进行接通断开控制的半导体元件(1)、对漏极电极(21)及源极电极(22)进行接通断开控制的半导体元件(2)、搭载了半导体元件(1)的金属部件(31)、搭载了半导体元件(2)的金属部件(32)、以及布线层(411)和布线层(412)隔着绝缘层(421)而层叠的导通基板(4)。布线层(411)包含与漏极电极(11)导通的电力端子部(401)。布线层(412)包含与源极电极(22)导通的电力端子部(402)。在z方向上观察时，电力端子部(401)、电力端子部(402)、绝缘层(421)相互重叠。在z方向上观察时，导通基板(4)包围半导体元件(1)和半导体元件(2)，且在金属部件(31)与金属部件(32)之间重叠。通过这样的结构，能够实现电感的降低。实现电感的降低。实现电感的降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，已知具有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等电力用半导体元件的半导体装置。例如，在专利文献1中公开了具有串联连接的2个半导体元件的半导体装置。这样的半导体装置例如安装于电子设备等的电路基板，用于电源电路(例如DC/DC转换器、逆变器等)、马达驱动电路等。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
158787号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]近年来，随着电子设备的节能化和高性能化，要求半导体装置降低消耗电力、提高开关动作的响应性等。在实现消耗电力的降低、开关动作的响应性的提高方面，降低电感是有效的。
[0008]本公开是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，通过输入到所述第三电极的第一驱动信号，对所述第一电极以及所述第二电极间进行接通断开控制；第二半导体元件，其具有第四电极、第五电极以及第六电极，通过输入到所述第六电极的第二驱动信号，对所述第四电极以及所述第五电极间进行接通断开控制；第一金属部件，其搭载了所述第一半导体元件；第二金属部件，其与所述第一金属部件分离，搭载了所述第二半导体元件；以及导通基板，其包含第一布线层、第二布线层以及第一绝缘层，所述第一布线层和所述第二布线层隔着所述第一绝缘层而层叠，所述第一布线层包含与所述第一电极导通的第一电力端子部，所述第二布线层包含与所述第五电极导通的第二电力端子部，在所述导通基板的厚度方向即第一方向上观察时，所述第一电力端子部、所述第二电力端子部、所述第一绝缘层相互重叠，关于所述导通基板，在所述第一方向上观察时包围所述第一半导体元件和所述第二半导体元件，且，在所述第一方向上观察时在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间重叠。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导通基板还包含与所述第二电极以及所述第四电极导通的第三电力端子部，在所述第一方向上观察时，所述第三电力端子部与所述第一电力端子部以及所述第二电力端子部分离。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：树脂部件，其覆盖所述第一半导体元件以及所述第二半导体元件，在所述第一方向上观察时，所述第一电力端子部以及所述第二电力端子部与所述第三电力端子部隔着所述树脂部件配置。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一布线层包含所述第三电力端子部。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述导通基板形成有：第一贯通孔和第二贯通孔，其分别在所述第一方向上贯通所述导通基板，所述第一金属部件插通于所述第一贯通孔，所述第二金属部件插通于所述第二贯通孔。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在与所述第一方向正交的第二方向上观察时，所述导通基板不与所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第一金属部件以及所述第二金属部件重叠。7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，所述导通基板还包含第三布线层和第二绝缘层，所述第二布线层和所述第三布线层隔着所述第二绝缘层而层叠。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述导通基板还包含使所述第一布线层、所述第二布线层以及所述第三布线层中的至少2个导通的插通部件。9.根据权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：松尾昌明，塚本美久，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：