用于异质结太阳能电池的印刷网版制造技术

技术编号:32632953 阅读:11 留言:0更新日期:2022-03-12 18:07
本实用新型专利技术提供一种用于异质结太阳能电池的印刷网版,包括网纱层、用以遮蔽所述网纱层的部分网孔的图案层,所述图案层包括供浆料透过的落料开口、用以阻挡浆料的遮挡部;所述遮挡部包括第一遮挡区和第二遮挡区,所述第一遮挡区位于所述第二遮挡区与所述落料开口之间,所述第一遮挡区的厚度小于所述第二遮挡区的厚度;能够避免印刷过程中,粘附于落料开口下表面的导电浆料对太阳能电池板表面的ITO导电膜的刮擦损伤,从而,防止印刷过程中理想填充因子(PFF)、电池效率的大幅下降。电池效率的大幅下降。电池效率的大幅下降。

【技术实现步骤摘要】
用于异质结太阳能电池的印刷网版


[0001]本技术涉及印刷网版,尤其涉及一种用于异质结太阳能电池的印刷网版。

技术介绍

[0002]太阳光电能是干净、无污染且随手可得的能源,而且是取之不尽、用之不竭的。在化石能源逐渐短缺的今日,选择太阳光电能作为替代能源是解决能源危机的重要途径之一。
[0003]太阳能电池是利用光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置。随着太阳能电池技术的发展,高效电池的开发越来越受重视。其中,用非晶硅本征层(a

Si:H(i))钝化的硅基异质结太阳能电池是重点的研究方向之一。
[0004]众所周知,硅基异质结太阳能电池不仅有高的转化效率、高的开路电压,而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度等优势。另外,硅基异质结太阳能电池在保证高转化效率的同时,硅片厚度可减薄至100μm,有效减少了硅料耗量,并可用来制备可弯曲电池组件。
[0005]但是,硅基异质结太阳能电池的整个工艺均是在低于200℃的低温环境下进行的,在丝网印刷过程中采用的低温导电浆料(银浆)粘性较大,透过网版的落料开口的低温导电浆料易粘附于网版下表面的落料开口周围,在持续印刷的过程中,堆积于网版下表面落料开口周围的导电浆料会摩擦太阳能电池表面的ITO导电膜,而ITO导电膜的耐磨性较差,极易被刮擦导致损伤,造成理想填充因子(PFF)大幅下降,电池效率大幅下降。
[0006]有鉴于此,有必要提供一种新的用于异质结太阳能电池的印刷网版以解决上述问题。/>
技术实现思路

[0007]本技术的目的在于提供一种用于异质结太阳能电池的印刷网版,能够避免印刷过程中,粘附于落料开口下表面的导电浆料对太阳能电池板表面的ITO导电膜的刮擦损伤,从而,防止印刷过程中理想填充因子(PFF)、电池效率的大幅下降。
[0008]为实现上述技术目的,本技术采用如下技术方案:一种用于异质结太阳能电池的印刷网版,包括网纱层、用以遮蔽所述网纱层的部分网孔的图案层,所述图案层包括供浆料透过的落料开口、用以阻挡浆料的遮挡部;所述遮挡部包括第一遮挡区和第二遮挡区,所述第一遮挡区位于所述第二遮挡区与所述落料开口之间,所述第一遮挡区的厚度小于所述第二遮挡区的厚度。
[0009]作为本技术进一步改进的技术方案,所述第一遮挡区远离所述网纱层的一侧为平面。
[0010]作为本技术进一步改进的技术方案,所述第一遮挡区的厚度不大于所述第二遮挡区的厚度的50%。
[0011]作为本技术进一步改进的技术方案,所述第一遮挡区的厚度为2μm

5μm。
[0012]作为本技术进一步改进的技术方案,所述第一遮挡区的宽度为50μm

500μm。
[0013]作为本技术进一步改进的技术方案,所述图案层为经激光处理的聚酰亚胺薄膜。
[0014]作为本技术进一步改进的技术方案,所述图案层为经光刻处理的感光胶层。
[0015]本技术的有益效果是:本技术中的用于异质结太阳能电池的印刷网版,通过在位于所述落料开口的周缘的所述遮挡部形成较薄的第一遮挡区,所述第一遮挡区与所述第二遮挡区共同围设形成缓存腔,且所述缓存腔与所述落料开口相连通。在丝网印刷过程中,透过所述落料开口且粘附于所述落料开口下端的导电浆料会流进所述缓存腔内,不会流至所述第二遮挡区的下表面,从而,避免丝网印刷过程中,导电浆料对ITO导电膜表面的刮擦损伤,能够防止丝网印刷过程中理想填充因子(PFF)、电池效率的大幅下降,提高异质结太阳能电池的质量。
附图说明
[0016]图1所示为本技术中的印刷网版的结构示意图。
[0017]图2所示为图1中A

A向的剖视图。
[0018]其中:10、印刷网版;1、网纱层;2、图案层;21、落料开口;22、遮挡部;221、第一遮挡区;222、第二遮挡区;223、缓存腔。
具体实施方式
[0019]以下将结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细描述,请参照图1至图2所示,为本技术的较佳实施方式。但应当说明的是,这些实施方式并非对本技术的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本技术的保护范围之内。
[0020]本技术内所描述的表达位置与方向的词,“上”、“下”均是以所述印刷网版正常使用时作为参照的。此外,本专利技术中的术语第一、第二等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0021]请参图1所示,本技术提供一种用于异质结太阳能电池的印刷网版10,所述异质结太阳能电池包括基片、设于所述基片的第一面以及第二面上的本征层、分设于所述第一面以及第二面上的本征层上的N型掺杂层、P型掺杂层、设置于所述N型掺杂层以及所述P型掺杂层上的ITO导电膜、设置在所述ITO导电膜上的电极。所述电极通过所述印刷网版10丝网印刷形成。
[0022]具体地,所述印刷网版10包括网纱层1、用以遮蔽所述网纱层1的部分网孔的图案层2,所述图案层2包括供浆料透过的落料开口21、用以阻挡浆料的遮挡部22。在制备异质结太阳能电池的过程中,在所述异质结太阳能电池的ITO导电膜上丝网印刷形成电极时,将所述印刷网版10遮蔽于所述ITO导电膜上,然后将导电浆料置于所述印刷网版10上,利用刮刀将导电浆料刷入且自所述落料开口21落入所述ITO导电膜的表面,干燥固化后形成所述电极。
[0023]进一步地,请参图2所示,所述遮挡部22包括第一遮挡区221和第二遮挡区222,所述第一遮挡区221位于所述第二遮挡区222与所述落料开口21之间,即,所述第一遮挡区221
位于所述落料开口21的周缘,所述第一遮挡区221的厚度小于所述第二遮挡区222的厚度。从而,所述第一遮挡区221的下表面与所述第二遮挡区222的下表面之间具有高度差,所述第一遮挡区221与所述第二遮挡区222共同围设形成缓存腔223,且所述缓存腔223与所述落料开口21相连通。在丝网印刷过程中,透过所述落料开口21且粘附于所述落料开口21下端的导电浆料会流进所述缓存腔223内,不会流至所述第二遮挡区222的下表面,从而,避免丝网印刷过程中,导电浆料对ITO导电膜表面的刮擦损伤,能够防止丝网印刷过程中理想填充因子(PFF)、电池效率的大幅下降,提高异质结太阳能电池的质量。
[0024]进一步地,所述第一遮挡区221远离所述网纱层1的一侧为平面,即,所述缓存腔223的截面呈矩形,能够最大化所述缓存腔223的容积,使所述缓存腔223内能够缓存较多的导电浆料,进一步防止导电浆料流至第二遮挡区222的下表面,从而避免丝网印刷过程中,导电浆料对ITO导电膜表面的刮擦损伤,能够防止丝网印刷过程中理想填充因子(PFF)、电池效率的大幅下降,提高异质结太阳能电池的质量。当然,并不以此为限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于异质结太阳能电池的印刷网版,包括网纱层、用以遮蔽所述网纱层的部分网孔的图案层,所述图案层包括供浆料透过的落料开口、用以阻挡浆料的遮挡部;其特征在于:所述遮挡部包括第一遮挡区和第二遮挡区,所述第一遮挡区位于所述第二遮挡区与所述落料开口之间,所述第一遮挡区的厚度小于所述第二遮挡区的厚度。2.如权利要求1所述的用于异质结太阳能电池的印刷网版,其特征在于:所述第一遮挡区远离所述网纱层的一侧为平面。3.如权利要求1所述的用于异质结太阳能电池的印刷网版,其特征在于:所述第一遮挡区的厚度不大于所述第二遮...

【专利技术属性】
技术研发人员:王俊李兵吴坚蒋方丹
申请(专利权)人:嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
类型:新型
国别省市:

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