一种光学邻近效应预处理方法、装置、介质及设备制造方法及图纸

本发明专利技术属于微电子技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的装置、介质及设备；通过对电路版图的校正，消除了潜在的断路风险；相关方法、装置等适用于局部版图紧密度高的场景，可避免高的刻蚀率引起的线端退缩，进而保证孔洞包覆率，避免断线等现象的出现。出现。出现。

【技术实现步骤摘要】
一种光学邻近效应预处理方法、装置、介质及设备


[0001]本专利技术属于微电子
，尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法、装置、介质及设备。

技术介绍

[0002]现有技术在OPC（Optical Proximity Correction，光邻近效应校正）的预处理过程中，将版图线端先行处理，而后通过调校一维区域的目标尺寸；当线端面对最小线宽距离时，则无法实现延伸；特别是在局部版图紧密度高的区域，高的刻蚀率将引起线端退缩，造成孔洞包覆率差，进而引发断线。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的处理装置、介质及校正或加工设备。
[0004]在数据采集步骤，本专利技术方法通过获取第一版图区域和第二版图区域的位置数据来初始化相关数据；其中，第二版图区域全部或部分包围第一版图区域；一般而言，第二版图会从三个方向包围第一版图。
[0005]在瑕疵定位步骤，通过获取第一版图区域内第一线端的位置数据；并通过旋转第一延伸方向至第一版图区域内的第二延伸方向和第三延伸方向来界定待修正区域的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近效应预处理方法，其特性在于，包括：获取第一版图区域和第二版图区域的位置数据；其中，所述第二版图区域全部或部分包围所述第一版图区域；获取所述第一版图区域内第一线端（100）的位置数据；其中，所述第一线端（100）延长线的方向为第一延伸方向；旋转所述第一延伸方向至所述第一版图区域内的第二延伸方向和第三延伸方向，所述第一线端（100）被待修正区域包围或与所述待修正区域位置相对；其中，所述待修正区为所述第二版图区域在所述第二延伸方向和所述第三延伸方向之间包围所述第一线端（100）或与所述第一线端（100）相对的区域；获取第一修正区域（101）的位置数据；其中，所述第一修正区域（101）由所述第一线端（100）沿所述第一延伸方向延伸获得；获取第二修正区域（302）的位置数据；其中，所述第二修正区域（302）由所述待修正区域靠近所述第一线端（100）的一侧沿所述第一延伸方向收缩获得；获取第三修正区域（303）的位置数据；其中，所述第三修正区域（303）由所述待修正区域远离所述第一线端（100）的一侧延伸获得；修正原版图位置数据，完成邻近效应修正或其它制程；其中，所述原版图包括所述第一版图区域和所述第二版图区域。2.如权利要求1所述的方法，其中：获取所述第一修正区域（101）、所述第二修正区域（302）和/或所述第三修正区域（303）后，所述第一版图区域和所述第二版图区域的拓扑关系不变；其特征还在于，获取所述第一版图区域和所述第二版图区域的最小线宽；其中，所述最小线宽出现在所述第一线端（100）的所述第一延伸方向。3.如权利要求2所述的方法，其中：所述第一修正区域（101）与所述第二修正区域（302）之间的距离不小于所述最小线宽。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：对所述第一版图区域和所述第二版图区域分别进行光学邻近效应修正；其中，改善后的包覆区域（500）的包覆层厚度为0至10nm。5.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一修正区域（101）由所述第一线端（100）沿所述第一延伸方向延伸第一偏置距离获得；所述第二修正区域（302）由所述待修正区域靠近所述第一线端（100）的一侧沿所述第一延伸方向收缩第二偏置距离获得；所述第三修正区域（303）由所述待修正区域远离所述第一线端（100）的一侧延伸第三偏置距离获得。6.如权利要求5所述的方法，其中：所述第一偏置距离、所述第二偏置距离和所述第三偏置距离三者相等。7.一种光学邻近效应预处理装置，包括：数据采集部（11）、瑕疵定位部（22）、数据处理部（33）、修正输出部（44）；其中，所述数据采集部（11）获取所述第一版图区域和所述第二版图区域的位置数据；
其中，所述第二版图区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪宏，曾鼎程，胡展源，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：