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本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应预处理方法及与之相应的装置、介质及设备；通过对电路版图的校正，消除了潜在的断路风险；相关方法、装置等适用于局部版图紧密度高的场景，可避免高的刻蚀率引起的线端退缩，进而保证孔洞包覆率，避免断线...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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