半导体装置的制造方法及利用等离子体的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述氧化膜进行倒角；以及利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的氮化膜。的氮化膜。的氮化膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法及利用等离子体的基板处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法及利用等离子体的基板处理装置。

技术介绍

[0002]为了满足消费者所要求的良好的性能和低廉的价格，半导体装置的集成度正在上升。因此，正在开发具有以三维(立体)方式排列的多个存储单元的三维半导体装置。相反，由于集成度高，所以当在特定空间中填充金属时，可能产生诸如空隙(void)或裂缝(seam)的缺陷。这种缺陷可能会降低半导体装置的电特性和可靠性。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题为，提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。
[0004]本专利技术要解决的另一技术问题为，提供用于实现上述半导体装置的制造方法的、利用等离子体的基板处理装置。
[0005]本专利技术的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以通过下面的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。
[0006]用于解决上述技术问题的本专利技术的半导体装置的制造方法的一个方面包括以下步骤：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述第一氧化膜和所述第二氧化膜进行倒角；以及利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的氮化膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一等离子体工艺利用含氟自由基。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二等离子体工艺利用含氮自由基和含氧自由基。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一等离子体工艺中，所述氮化膜相对于所述第一氧化膜或所述第二氧化膜的选择比是第一选择比，以及在所述第二等离子体工艺中，所述氮化膜相对于所述第一氧化膜或所述第二氧化膜的选择比是大于所述第一选择比的第二选择比。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在去除所述氮化膜的空间中填充金属的步骤。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一等离子体工艺和所述第二等离子体工艺原位进行。7.半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板上形成有：由多个氧化膜和多个氮化膜交替堆叠的绝缘膜结构体、贯通所述绝缘膜结构体并且包括用于存储数据的电荷存储膜的垂直结构体、以及贯通所述绝缘膜结构体的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟槽暴露的所述多个氮化膜的一部分的同时，对由所述沟槽暴露的所述多个氧化膜进行倒角；利用第二等离子体工艺去除在所述第一等离子体工艺之后留下的多个氮化膜，以形成暴露所述垂直结构体的一部分的栅极形成区域；以及在所述栅极形成区域中填充金属以与所述垂直结构体电连接。8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一等离子体工艺利用含氟自由基。9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二等离子体工艺利用含氮自由基和含氧自由基。10.根据权利要求7所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘峻宅，李城吉，朴玩哉，严永堤，金东勳，李知桓，吴东燮，卢明燮，金杜里，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：