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本发明提供电特性和可靠性提高的半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：提供基板，所述基板上依次堆叠有第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜，并且形成有贯通所述第一氧化膜、所述氮化膜和所述第二氧化膜的沟槽；利用第一等离子体工艺去除由所述沟...
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