引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法，它们能够防止接合材料的流出，同时避免形成工序复杂化。其中，引线框架包括：芯片垫，其具有搭载半导体元件的搭载面；凹部，其设于所述搭载面；以及引脚，其配置于所述芯片垫的周围，所述凹部包括：底面，其在从所述凹部的开口面起的深度小于所述芯片垫厚度的位置；多个突起部，其从所述底面突起；以及凹陷部，其从所述底面凹陷。其从所述底面凹陷。其从所述底面凹陷。

【技术实现步骤摘要】
引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法


[0001]本专利技术涉及引线框架、半导体装置以及引线框架的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，已知有一种半导体装置，其中，将例如IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片等半导体元件，搭载于由金属制作的引线框架。即，例如，将半导体元件搭载在设于引线框架中央的面状芯片垫上，并将该半导体元件，例如通过引线键合(wire bonding)与设于芯片垫周围的多条引脚连接。然后，有时对搭载于引线框架的半导体元件，例如使用环氧树脂等合成树脂进行封装，由此形成半导体装置。
[0003]在这种半导体装置中，一般来说，例如使用焊料或贴片膏等来将半导体元件接合到芯片垫。焊料或贴片膏等接合材料有可能流出至芯片垫上的半导体元件接合区域的周围，对此，以往有在接合区域的周围形成沟槽以防止接合材料流出等方案。
[0004]专利文献1：日本特开2014
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203861号公报
[0005]专利文献2：日本特开2013
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058542号公报
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，其特征在于，包括：芯片垫，其具有用于搭载半导体元件的搭载面；凹部，其设于所述搭载面；以及引脚，其配置于所述芯片垫的周围，所述凹部包括：底面，其位于从所述凹部的开口面起的深度小于所述芯片垫厚度的位置；多个突起部，其从所述底面突起；以及凹陷部，其从所述底面凹陷。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部以第一密度形成在所述底面的一部分，并以第二密度形成在所述底面的另一部分，所述第二密度比所述第一密度低，所述凹陷部形成在所述底面的另一部分。3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部形成为，越靠近所述底面的中心则其密度越高，所述凹陷部形成在所述底面的周缘部。4.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部配置成同心圆状且配置密度在所述底面的中央部较低，所述凹陷部形成在所述底面的中央部。5.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部呈同心状，且连续突起为圆形，所述凹陷部形成在所述底面的中央部。6.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部呈同心状，且连续突起为方形，所述凹陷部形成在所述底面的中央部。7.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述多个突起部的前端位于从所述凹部的开口面起的深度比所述底面浅的位置。8.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹陷部凹陷至从所述凹部的开口面起的深度比所述底面深的位置。9.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述芯片垫包括凸缘部，该凸缘部形成在所述凹部的外周上，且朝所述引脚的方向突出。10.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引脚包括镀层，该镀层形成在与所述搭载面相同侧的表面上。11.一种半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子健太郎，古畑吉雄，小林浩之佑，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：