焊料凸块及其焊盘、半导体器件及其制备方法、封装件、背光单元及照明设备技术

本发明专利技术涉及半导体器件领域，公开了一种焊料凸块及其焊盘、半导体器件及其制备方法、封装件、背光单元及照明设备，焊料凸块（8400）的上表面（8401）和下表面（8402）均为平面，侧视截面为锥台型结构。本发明专利技术中的焊料凸块具有平整的上表面，增大了焊料凸块表面与蓝膜的接触面积，减少倒膜损失异常；不易出现固晶后晶粒偏移和歪斜的现象，保证了晶粒理想的出光效果，减少因固晶偏移或歪斜而进行返工的成本损失，提高了固晶良率与效率。提高了固晶良率与效率。提高了固晶良率与效率。

【技术实现步骤摘要】
焊料凸块及其焊盘、半导体器件及其制备方法、封装件、背光单元及照明设备
[0001]

[0002]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种焊料凸块及其焊盘、半导体器件及其制备方法、封装件、背光单元及照明设备。

技术介绍

[0003]现有技术中，在LED的电极上印刷印刷的焊料形状通常为穹顶形状的焊料，如图1所示，LED主要分为方形尺寸的LED（图1左）和长条尺寸的LED（图1右）两种，由于方形尺寸的LED一般设计4个焊料点，长条尺寸的LED一般设计2个焊料点，在按照客户要求将LED倒膜出货时，需要将蓝膜贴在焊料一面，如图2，由于焊料的形状为穹顶形状，与蓝膜接触面积小，方形LED由于焊料的接触点多（图2左），焊料点上下左右对称，倒膜时不易出现倒膜损失以及倒膜后晶粒歪斜的情况。客户在固晶时，同样由于焊料点对称的缘故，不会出现固晶歪斜的情况。而长条尺寸的LED由于接触点少（图2左），只上下或左右对称，倒膜时易出现倒膜损失以及受外力作用导致的晶粒歪斜，固晶时由于外力作用以及高温回流的影响，晶粒固晶后会出现偏移歪斜现象，影响晶粒的出光效果，尤其针对出光效果要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的上表面（8401）和下表面（8402）均为平面，侧视截面为锥台型结构。2.根据权利要求1所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的上表面（8401）面积与下表面（8402）面积比大于50%。3.根据权利要求1或2所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的高度h大于其所在半导体器件的芯片整体高度H的5%，小于其所在半导体器件的芯片整体高度H的50%。4. 根据权利要求1至3中任一项所述的用于半导体器件中的焊料凸块，其特征在于，所述焊料凸块（840）的材质为Sn成分大于40%的合金材料。5.一种用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，包括金属反射层（810），具有与所述半导体器件中电极的表面相对的第一表面（811），以及从所述第一表面（811）的边缘延伸并连接至所述电极的第二表面（812）；阻挡层（820），具有与所述第一表面相（811）对的顶面阻挡层（821），该顶面阻挡层（821）覆盖于所述第一表面（811）上；金属间化合物层（830），具有顶面金属间化合物层（831），该顶面金属间化合物层（831）覆盖于所述顶面阻挡层（821）上；权利要求1至4中任一项所述的焊料凸块（840），其键合至所述阻挡层（820），并使所述金属间化合物层（830）介于所述焊料凸块（840）与所述阻挡层（820）之间。6.根据权利要求5所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述阻挡层（820）还具有与所述第二表面（812）相对的侧面阻挡层（822），该侧面阻挡层（822）覆盖所述第二表面（812）的部分或全部。7.根据权利要求6所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述侧面阻挡层（822）的厚度大于或等于所述顶面阻挡层（821）的厚度。8.根据权利要求6所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述金属间化合物层（830）还具有与所述侧面阻挡层（822）相对的侧面金属间化合物层（832），该侧面金属间化合物层（832）覆盖所述侧面阻挡层（822）。9.根据权利要求8所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度大于或等于所述顶面金属间化合物层（831）的厚度。10.根据权利要求9所述的焊用于半导体器件中的盘，其特征在于，所述侧面金属间化合物层（832）的厚度与所述顶面金属间化合物层（831）的厚度之差大于等于所述金属间化合物层（830）与所述焊料凸块（840）互溶的厚度。11.根据权利要求5至10中任一项所述的用于半导体器件中的焊盘，其特征在于，所述金属反射层（8...

【专利技术属性】
技术研发人员：章进兵，廖汉忠，张存磊，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：