阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组技术

本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组，属于显示技术领域。该阵列基板的制备方法包括提供一衬底基板；在衬底基板的一侧形成金属布线层；在金属布线层远离衬底基板的一侧形成第一平坦化层；在第一平坦化层远离衬底基板的一侧形成电极层，电极层包括依次层叠于衬底基板一侧的铜电极层、第一缓冲金属层和第一铜镍合金层；第一缓冲金属层的材料为钼、钼铌合金、钼钨合金、钼镍钛合金、钼镁铝合金中的一种或者多种的混合；在电极层远离衬底基板的一侧形成第二平坦化层；设置功能器件层；功能器件层设于第二平坦化层远离衬底基板的一侧，且包括多个与电极层电连接的功能器件。该阵列基板的制备方法能够提高阵列基板的品质。的品质。的品质。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro-LED，Micro Light Emitting Diode)背板可以包括依次层叠于衬底基板的第一铜金属层、平坦化层、第二铜金属层、有机保护层和微发光二极管层。然而，在制备过程中，第二铜金属层容易氧化，导致微发光二极管背板的良率降低和品质下降。
[0003]所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和背光模组，提高阵列基板的品质。
[0005]为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：
[0006]根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0007]提供一衬底基板；
[0008]在所述衬底基板的一侧形成金属布线层；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板的一侧形成金属布线层；在所述金属布线层远离所述衬底基板的一侧形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层远离所述衬底基板的一侧形成电极层，所述电极层包括依次层叠于所述衬底基板一侧的铜电极层、第一缓冲金属层和第一铜镍合金层；所述第一缓冲金属层的材料为钼、钼铌合金、钼钨合金、钼镍钛合金、钼镁铝合金中的一种或者多种的混合；在所述电极层远离所述衬底基板的一侧形成第二平坦化层；设置功能器件层；所述功能器件层设于所述第二平坦化层远离所述衬底基板的一侧，且包括多个与所述电极层电连接的功能器件。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一平坦化层远离所述衬底基板的一侧形成电极层包括：在所述第一平坦化层远离所述衬底基板的一侧形成铜电极材料层；对所述铜电极材料层进行图案化操作，形成所述铜电极层；在所述铜电极层远离所述衬底基板的一侧依次形成第一缓冲金属材料层和第一铜镍合金材料层；对所述第一缓冲金属材料层和所述第一铜镍合金材料层进行图案化操作，以形成所述第一缓冲金属层和所述第一铜镍合金层；其中，所述铜电极层在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一缓冲金属层在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述铜电极材料层进行图案化操作包括：在所述铜电极材料层远离所述衬底基板的表面形成第一正性光刻胶层；采用掩膜板，在第一曝光强度下对所述第一正性光刻胶层进行曝光；所述第一正性光刻胶层进行显影；刻蚀所述铜电极材料层以形成所述铜电极层；去除所述第一正性光刻胶层；对所述第一缓冲金属材料层和所述第一铜镍合金材料层进行图案化操作包括：在所述第一铜镍合金材料层远离所述衬底基板的表面形成第二正性光刻胶层；采用所述掩膜板，在第二曝光强度下对所述第二正性光刻胶层进行曝光，其中，所述第二曝光强度小于所述第一曝光强度；所述第二正性光刻胶层进行显影；刻蚀所述第一缓冲金属材料层和所述第一铜镍合金材料层，以形成所述第一缓冲金属层和所述第一铜镍合金层；去除所述第二正性光刻胶层。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述第一平坦化层远离所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪建国，刘松，齐琪，李永飞，曾亭，刘欢，卢鑫泓，董万如，桂和仁，杨健，胡海峰，江玉，徐鹏，储微微，高琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：