一种阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底；下电极，下电极和衬底相连接；阻变层，阻变层和下电极相连接；上电极，上电极和阻变层相连接，阻变层设置在下电极和上电极之间，有益效果在于阻变存储器在高阻态与低阻态之间转变时，吸收或者释放大量氧原子，在阻变存储器从低阻态转变为高阻态时，释放出的大量氧原子可以大大促进阻变层中的导电细丝的断开，并且使得导电细丝断开地更为彻底，通过有效加强阻变层中导电细丝通道的断开，使得增大电极之间的电阻，达到增大阻变存储器的存储窗口的效果。口的效果。口的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于阻变存储器
，更具体地说，本专利技术涉及一种阻变存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]忆阻器，是继电阻、电容和电感后的第四种基本无源电路元件，由于忆阻器的内部电阻可随两端电压改变而改变，所以忆阻器实际上是一种有记忆功能的电阻，可以用作存储元件。阻变存储器是忆阻器的一种，阻变存储器的信息存储是靠改变阻变层的电阻来实现的，阻变层具有高阻和低阻两种状态，可以通过在两个电极之间施加电压来改变阻变层的状态，在撤去电压后，阻变层的电阻状态可以保持。
[0003]阻变存储器之所以能够在不同的电压下实现不同阻态之间的相互转换，是因为阻变层内部形成或断开了细丝导电通道。细丝导电通道的通断状态决定了阻变存储器中的阻变层处于高阻态还是低阻态，也就实现了存储。阻变存储器高阻态和低阻态的阻值比，即为阻变存储器的存储窗口。现有技术中当导电通道断开时，由于阻变层内一些未与氧离子复合的空位的存在，导致电子可在空位陷阱中跳跃导电，使得阻变存储器的高阻态不可避免地有一定电流存在，造成阻值窗口无法进一步提高，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括：衬底；下电极，所述下电极和所述衬底相连接；阻变层，所述阻变层和所述下电极相连接；上电极，所述上电极和所述阻变层相连接，所述阻变层设置在所述下电极和所述上电极之间。2.如权利要求1所述的一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变层包括第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和存储窗口层，所述第一金属氧化物层分别和所述下电极以及所述第二金属氧化物层相连接，所述第二金属氧化物层分别和所述第一金属氧化物层以及所述存储窗口层相连接，所述存储窗口层分别和所述上电极以及所述第二金属氧化物层相连接。3.如权利要求2所述的一种阻变存储器，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料为氧化铝，所述第二金属氧化物层的材料为二氧化钛，所述存储窗口层的材料为金属氧化物。4.如权利要求1所述的一种阻变存储器，其特征在于，所述下电极的材料为Pd、Pt、Ti、Au或TiN，所述上电极的材料为Pd、Pt、Ti、Au或TiN。5.如权利要求1所述的一种阻变存储器，其特征在于，所述衬底的材料为绝缘材料。6.一种制备如权利要求1
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5任一项所述的阻变存储器的方法，其特征在于，包括以下步骤：选择硅片作为衬底并进行清洗，在衬底之上沉积形成下电极；在下电极之上沉积形成阻变层，所述阻变层依次制作第一金属氧化物层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁勇，严麒，陈丽霞，任佳莹，胡颖蔚，蔡舒群，
申请(专利权)人：杭州国家集成电路设计产业化基地有限公司，
类型：发明
国别省市：