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本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底；下电极，下电极和衬底相连接；阻变层，阻变层和下电极相连接；上电极，上电极和阻变层相连接，阻变层设置在下电极和上电极之间，有益效果在于阻变存储器在高阻态与低阻态之间转变时，吸收或者释放大量氧...
该专利属于杭州国家集成电路设计产业化基地有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州国家集成电路设计产业化基地有限公司授权不得商用。

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