电机驱动逆变装置和自举充电方法、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种电机驱动逆变装置和自举充电方法、设备及存储介质，涉及电力电子领域。该电机驱动逆变装置包括：电源模块、控制模块、逆变模块和电机，逆变模块包括三路驱动单元和输出单元，每个驱动单元包括自举限流电阻、自举二极管、自举电容、上桥光耦、下桥光耦、上桥IGBT和下桥IGBT，控制模块，用于控制每个驱动单元中的下桥光耦向下桥IGBT输出控制信号对自举电容充电，其中，控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号。本申请用以解决自举充电瞬间冲击电流较大的问题。电流较大的问题。电流较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
电机驱动逆变装置和自举充电方法、设备及存储介质


[0001]本申请涉及电力电子领域，尤其涉及一种电机驱动逆变装置和自举充电方法、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在三相逆变电路驱动系统中，通过自举充电方式实现浮动控制电源的方式，可以将隔离电源的数量由四路降低到一路。
[0003]然而由于现有技术中，通过自举电路实现浮动控制电源时，在初始充电阶段，需要通过软件方式控制下桥IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)持续导通，并保持足够的时间才能完全充满自举电容。但这种方式，瞬间冲击电流较大，当电源功率一定时，瞬间可能造成电压打嗝或电压幅值急聚降低，造成系统运行不正常。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种电机驱动逆变装置和自举充电方法、设备及存储介质，用以解决自举充电瞬间冲击电流较大的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种电机驱动逆变装置，包括：电源模块、控制模块、逆变模块和电机；
[0006]所述逆变模块包括三路驱动单元和输出单元，每个所述驱动单元包括自举限流电阻、自举二极管、自举电容、上桥光耦、下桥光耦、上桥IGBT和下桥IGBT；
[0007]所述电源模块，用于为所述控制模块和所述逆变模块提供电源电压；
[0008]所述控制模块，用于控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，其中，所述控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号；
[0009]所述逆变模块，用于驱动所述电机。
[0010]可选地，所述电源模块的第一电源端连接所述自举限流电阻的第一端，所述自举限流电阻的第二端连接所述自举二极管的阳极，所述自举二极管的阴极连接所述上桥光耦的电源端，所述上桥光耦的发射极输出端连接所述输出单元的输出端，所述上桥光耦的门极输出端连接所述上桥IGBT的栅极，所述自举电容的第一端连接所述自举二极管的阴极，所述自举电容的第二端连接所述输出单元的输出端，所述下桥光耦的电源端连接所述电源模块的第一电源端，所述下桥光耦的门极输出端连接所述下桥IGBT的栅极，所述下桥光耦的发射极输出端连接所述下桥IGBT的漏极，所述上桥IGBT的源极连接所述电源模块的第二电源端，所述上桥IGBT的漏极连接所述输出单元的输出端，所述下桥IGBT的源极连接所述输出单元的输出端，所述下桥IGBT的漏极连接所述电源模块的接地端，所述上桥光耦的正极输入端连接所述下桥光耦的负极输入端，所述上桥光耦的正极输入端连接所述控制模块的第一输出端，所述上桥光耦的负极输入端连接所述下桥光耦的正极输入端，所述下桥光耦的正极输入端连接所述控制模块的第二输出端，所述输出单元的输出端连接所述电机的
输入端。
[0011]第二方面，本申请实施例提供了一种自举充电方法，应用于第一方面所述的电机驱动逆变装置，所述方法包括：
[0012]控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，其中，所述控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号。
[0013]可选地，所述控制信号为随时刻增加，所述占空比从所述第一预设占空比线性增加至所述第二预设占空比的PWM信号、所述占空比从所述第一预设占空比曲线增加至所述第二预设占空比的PWM信号、以及所述占空比从所述第一预设占空比分段线性增加至所述第二预设占空比的PWM信号中的一个。
[0014]可选地，所述第一预设占空比根据预设冲击电流阈值确定。
[0015]可选地，所述第二预设占空比根据所述电源模块的第一电源端输出的第一电源电压，和所述自举电容的预设充电电压确定。
[0016]可选地，所述占空比从所述第一预设占空比增加至所述第二预设占空比的时长为预设占空比增加时长。
[0017]可选地，所述控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，包括：
[0018]在一个周期内，依次分别控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电。
[0019]可选地，所述在一个周期内，依次分别控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，包括：
[0020]在一个周期内，控制第一路所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电；
[0021]延迟第一预设时长，控制第二路所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电；
[0022]延迟第二预设时长，控制第三路所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电；
[0023]其中，所述第一预设时长小于所述周期的时长，所述第二预设时长小于所述周期的时长。
[0024]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器和通信总线，其中，处理器和存储器通过通信总线完成相互间的通信；
[0025]所述存储器，用于存储计算机程序；
[0026]所述处理器，用于执行所述存储器中所存储的程序，实现第二方面所述的自举充电方法。
[0027]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现第二方面所述的自举充电方法。
[0028]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本申请实施例中，控制每个驱动单元中的下桥光耦向下桥IGBT输出控制信号对自举电容充电，其中，控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号。相对于现
有技术中控制下桥IGBT持续导通对自举电容充电，本申请实施例控制下桥光耦向下桥IGBT输出控制信号对自举电容充电，其中，控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号，通过占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比，有效降低冲击电流，解决了自举充电瞬间冲击电流较大的问题。
附图说明
[0029]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为现有技术中三路驱动单元同时进行自举充电的控制信号和自举电容电压的波形示意图；
[0032]图2为现有技术中三路驱动单元依次进行自举充电的控制信号和自举电容电压的波形示意图；
[0033]图3为本申请实施例中电机驱动逆变装置的结构示意图；
[0034]图4为本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电机驱动逆变装置，其特征在于，包括：电源模块、控制模块、逆变模块和电机；所述逆变模块包括三路驱动单元和输出单元，每个所述驱动单元包括自举限流电阻、自举二极管、自举电容、上桥光耦、下桥光耦、上桥IGBT和下桥IGBT；所述电源模块，用于为所述控制模块和所述逆变模块提供电源电压；所述控制模块，用于控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，其中，所述控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM信号；所述逆变模块，用于驱动所述电机。2.根据权利要求1所述的电机驱动逆变装置，其特征在于，所述电源模块的第一电源端连接所述自举限流电阻的第一端，所述自举限流电阻的第二端连接所述自举二极管的阳极，所述自举二极管的阴极连接所述上桥光耦的电源端，所述上桥光耦的发射极输出端连接所述输出单元的输出端，所述上桥光耦的门极输出端连接所述上桥IGBT的栅极，所述自举电容的第一端连接所述自举二极管的阴极，所述自举电容的第二端连接所述输出单元的输出端，所述下桥光耦的电源端连接所述电源模块的第一电源端，所述下桥光耦的门极输出端连接所述下桥IGBT的栅极，所述下桥光耦的发射极输出端连接所述下桥IGBT的漏极，所述上桥IGBT的源极连接所述电源模块的第二电源端，所述上桥IGBT的漏极连接所述输出单元的输出端，所述下桥IGBT的源极连接所述输出单元的输出端，所述下桥IGBT的漏极连接所述电源模块的接地端，所述上桥光耦的正极输入端连接所述下桥光耦的负极输入端，所述上桥光耦的正极输入端连接所述控制模块的第一输出端，所述上桥光耦的负极输入端连接所述下桥光耦的正极输入端，所述下桥光耦的正极输入端连接所述控制模块的第二输出端，所述输出单元的输出端连接所述电机的输入端。3.一种自举充电方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的电机驱动逆变装置，所述方法包括：控制每个所述驱动单元中的所述下桥光耦向所述下桥IGBT输出控制信号对所述自举电容充电，其中，所述控制信号为随时刻增加，占空比从第一预设占空比增加至第二预设占空比的PWM...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小超，何劲贤，陶旭东，
申请(专利权)人：苏州伟创电气科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：