【技术实现步骤摘要】
用于超低轮廓铜箔及其覆铜板制备的化学沉积方法
[0001]本专利技术属于铜箔或覆铜板制造
,具体来说涉及一种用于超低轮廓铜箔及其覆铜板制备的化学沉积方法。
技术介绍
[0002]目前用于铜箔及其覆铜板生产的常规方法如下:首先通过电解、压延等方式生产铜箔,再通过压合、胶粘等方式将其粘附于基材表面形成覆铜板。这种生产方式的不足之处在于:
[0003](1)在目前的技术水平下,以该方式得到的铜箔,其表面粗糙度较高,难以满足日益增长的5G通信、自动驾驶以及远程医疗等系统对于高品质铜箔及其覆铜板的迫切需求,无法保证高频高速信号的传输质量。例如,制备的超低轮廓铜箔(VLP)乃至所谓的极低轮廓铜箔(HVLP),其Ra值仍处于100nm以上。尽管曾有文献(Sci.Rep.,2014,4,6230)和(Nanoscale,2014,6,12943)报道,通过溅射或气相沉积等方法制备的覆铜板,其Ra值可低至数十纳米,但因存在过程复杂、制造设备昂贵等缺点,以及缺乏相应工业技术积累,难以实现连续化操作,因而无法直接用于工业化的批量生产 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备超低轮廓铜箔的覆铜板的化学沉积方法,其特征在于,包括以下步骤:1)对基材表面预处理;2)基材表面活化处理:将活化溶液均匀铺展于预处理后的基材表面,在60
‑
200℃下加热处理5
‑
10min,在基材上得到活化层,其中,所述活化溶液包括:0.1
‑
50g/L的含活化金属元素的化合物、50
‑
800g/L的络合溶剂和0
‑
700g/L的助溶剂;3)进行1次或重复多次以下步骤,用于在活化层的表面生成厚度为200nm
‑
6μm的铜箔,得到覆铜板:将铜前驱体溶液铺展在活化层的表面,60
‑
80℃加热处理5
‑
10min。2.根据权利要求1所述的化学沉积方法,其特征在于,在所述步骤1)中,所述预处理包括:电晕、等离子体、酸洗、碱洗和除尘中的一种或几种;在所述步骤1)中,所述基材为表面粗糙度Ra低于20nm的聚合物薄膜材料或刚性材料,所述聚合物薄膜材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯或聚四氟乙烯,刚性材料为玻璃、硅片或陶瓷。3.根据权利要求1所述的化学沉积方法,其特征在于,在所述步骤2)中,所述活化金属元素为金、银、铂、镍和铜中的一种。4.根据权利要求1所述的化学沉积方法,其特征在于,在所述步骤2)中,所述络合溶剂为1,2
‑
丙二胺、仲丁胺、叔丁胺或异丙胺,所述助溶剂为甲醇、乙醇或异丙醇。5.根据权利要求1所述的化学沉积方...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。