电路板水平沉铜去胶工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：膨松、除胶、预中和、中和、清洁、微蚀、活化、还原、沉铜，最后经过风干后出板，得到电路板。本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力，采用本发明专利技术的水平沉铜去胶可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力，获得优良可靠的化学铜沉积层，对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。此外，本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送进行各个加工步骤，自动化程度高，工人工作强度低，水平输送也便于对系统进行密封，减少对周边环境的影响。减少对周边环境的影响。减少对周边环境的影响。

【技术实现步骤摘要】
电路板水平沉铜去胶工艺


[0001]本专利技术涉及电路板加工领域，特别涉及一种电路板水平沉铜去胶工艺。

技术介绍

[0002]在电路板制造技术中，其中一个关键步骤是沉铜工序。它主要的作用就是使双面和多层印制电路板的非金属孔，通过氧化还原反应在孔壁上沉积一层均匀的导电层，再经过电镀加厚镀铜，达到回路的目的。要达到此目的就必须选择性能稳定、可靠的沉铜液和制定正确、可行的以及有效的沉铜工艺。
[0003]传统的沉铜工序是采用垂直龙门沉铜方式，用挂篮盛装电路板，由操作员控制，在膨松池、中和池、微蚀池、活化池、还原池和沉铜池里依次浸泡，完成沉铜工序。传统的这种加工方式对周围环境的影响大，而且自动化程度低，工作强度高，而且对产品的品质难以控制，引发许多诟病之处，急待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种电路板水平沉铜去胶工艺，自动化程度高，工作强度低，能获得高品质的产品。
[0005]根据本专利技术的第一方面实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，所述电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：
[0006]膨松，在超声条件下，使用膨松液对基材进行膨松处理，超声功率为80
‑
100W，膨松温度为75
‑
85℃，膨松时间为50
‑
80S，水洗，得膨松处理后基材；
[0007]除胶，在超声条件下，使用除胶液对膨松处理后基材进行除胶处理，超声功率为80
‑<br/>100W，除胶温度为80
‑
90℃，除胶电流为800
‑
1500A，除胶时间为120
‑
160S，水洗，得除胶处理后基材；
[0008]预中和，使用中和液对除胶处理后基材进行预中和处理，预中和温度为室温，预中和时间为5
‑
10S，水洗，得预中和处理后基材；
[0009]中和，在超声条件下，使用中和液对预中和处理后基材进行中和处理，超声功率为80
‑
100W，中和温度为45
‑
51℃，中和时间为30
‑
40S，水洗，得中和处理后基材；
[0010]清洁，在超声条件下，使用调整液对中和处理后基材进行第一次清洁处理，超声功率为80
‑
100W，清洁温度为45
‑
55℃，第一次清洁时间为30
‑
40S，水洗；在超声条件下，使用中和液对第一次清洁后的基材进行第二次清洁处理，超声功率为80
‑
100W，清洁温度为46
‑
51℃，第一次清洁时间为20
‑
30S，水洗，得清洁处理后基材；
[0011]微蚀，使用微蚀液对清洁处理后基材进行微蚀处理，微蚀温度为28
‑
32℃，微蚀时间为50
‑
60S，水洗，得微蚀处理后基材；
[0012]活化，使用活化液对微蚀处理后基材进行活化处理，活化温度为47
‑
53℃，活化时间为40
‑
50S，水洗，得活化处理后基材；
[0013]还原，使用还原液对活化处理后基材进行还原处理，还原温度为33
‑
37℃，还原时
间为35
‑
45S，水洗，得还原处理后基材；
[0014]沉铜，将还原处理后基材浸入水平沉铜液中进行沉铜，沉铜温度为30
‑
36℃，预接触电压为2.5V，沉铜时间为180
‑
300S，水洗，风干，出板，得到电路板。
[0015]根据本专利技术第一方面实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，至少具有如下有益效果：本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力，采用本专利技术的水平沉铜去胶可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力，获得优良可靠的化学铜沉积层，对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。此外，本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送进行各个加工步骤，自动化程度高，工人工作强度低，水平输送也便于对系统进行密封，减少对周边环境的影响。
[0016]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，所述基材在活化步骤前先进行预浸，使用活化液对微蚀处理后基材进行预浸处理，预浸温度为室温，预浸时间为10
‑
20S，预浸处理后的基材进入活化步骤。
[0017]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，所述水平沉铜液包括有：85
‑
115份的化铜基本剂，7
‑
11份的化铜稳定剂，45
‑
55份的化铜添加剂，13
‑
21份的化铜还原剂。
[0018]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，所述水平沉铜液包括有100份的化铜基本剂，9份的化铜稳定剂，50份的化铜添加剂，17份的化铜还原剂。
[0019]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，往纯水中按份量依次添加所述化铜基本剂、所述化铜稳定剂、所述化铜添加剂和所述化铜还原剂，加热到30
‑
36℃，得到水平沉铜液。
[0020]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，所述水平沉铜液中包括有氢氧化钠溶液。
[0021]根据本专利技术第一方面所述的电路板水平沉铜去胶工艺，所述微蚀液包括80
‑
120份的过硫酸钠，以及15
‑
40份的硫酸。
[0022]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0023]本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0024]图1是本专利技术的电路板水平沉铜去胶工艺步骤示意图。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0026]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和
操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0028]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路板水平沉铜去胶工艺，其特征在于，所述电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：膨松，在超声条件下，使用膨松液对基材进行膨松处理，超声功率为80
‑
100W，膨松温度为75
‑
85℃，膨松时间为50
‑
80S，水洗，得膨松处理后基材；除胶，在超声条件下，使用除胶液对膨松处理后基材进行除胶处理，超声功率为80
‑
100W，除胶温度为80
‑
90℃，除胶电流为800
‑
1500A，除胶时间为120
‑
160S，水洗，得除胶处理后基材；预中和，使用中和液对除胶处理后基材进行预中和处理，预中和温度为室温，预中和时间为5
‑
10S，水洗，得预中和处理后基材；中和，在超声条件下，使用中和液对预中和处理后基材进行中和处理，超声功率为80
‑
100W，中和温度为45
‑
51℃，中和时间为30
‑
40S，水洗，得中和处理后基材；清洁，在超声条件下，使用调整液对中和处理后基材进行第一次清洁处理，超声功率为80
‑
100W，清洁温度为45
‑
55℃，第一次清洁时间为30
‑
40S，水洗；在超声条件下，使用中和液对第一次清洁后的基材进行第二次清洁处理，超声功率为80
‑
100W，清洁温度为46
‑
51℃，第一次清洁时间为20
‑
30S，水洗，得清洁处理后基材；微蚀，使用微蚀液对清洁处理后基材进行微蚀处理，微蚀温度为28
‑
32℃，微蚀时间为50
‑
60S，水洗，得微蚀处理后基材；活化，使用活化液对微蚀处理后基材...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴年升，赖俊崇，
申请(专利权)人：江门市浩远电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：