一种化学镀铜液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及化学镀铜领域，更具体地，本发明专利技术涉及一种化学镀铜液及其制备方法。所述化学镀铜液，包括铜离子供体、加速剂、含N杂环物质、镍盐、还原剂、含醚基的两亲物质。本申请所述化学镀铜液能够有效消除铜层表面的应力，同时具有合适的镀速以及稳定性，还具有优异的背光效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种化学镀铜液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及化学镀铜领域，更具体地，本专利技术涉及一种化学镀铜液及其制备方法。

技术介绍

[0002]化学镀铜是印制电路板中一种镀铜方法，目前，化学镀在电路板领域具有非常重要的作用。PCB板逐渐向线路窄小、分布密度高的方向发展，目前通过的粗化的方法提高粘结强度已经不适用。在化学镀铜的过程中，镀铜晶粒的增长导致了一定的形变或者杂质的掺杂，其使得镀铜表面产生了内应力，铜层与基体之间的粘附强度降低，影响了化学镀铜的发展。
[0003]化学镀铜液镀液的稳定是化学镀液的关键指标之一，其不仅影响镀层的效果，而且对槽液的寿命具有一定的影响。目前在提高化学镀铜液的稳定上，通过添加稳定剂，然而，稳定剂等加入即使是少量加入的情况下，导致了镀铜速率的迅速降低，影响力化学镀铜的工业生产。在含有稳定剂的基础上加入加速剂来提高镀铜速率，又会造成化学镀液稳定性的下降。因此，需要提供一种稳定性好又不影响镀速的化学镀铜液。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的一些问题，本专利技术第一个方面提供了一种化学镀铜液，包括铜离子供体、加速剂、含N杂环物质、镍盐、还原剂、含醚基的两亲物质。
[0005]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述含醚基的两亲物质选自聚氧乙烯类两亲物质、聚多元醇类两亲物质、聚醚类两亲物质中一种或多种。
[0006]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述镍盐为硫酸镍盐和/或磺酸镍盐。
[0007]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述含N杂环物质为含氮五元环化合物和/或含氮六元环化合物。
[0008]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述含氮五元环化合物为咪唑类物质。
[0009]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述含氮六元环化合物为吡啶类物质。
[0010]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述加速剂包括(a)含S、N、O中至少一种的有机物或无机物和/或(b)含镍有机物。
[0011]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述含S、N、O中至少一种的有机物的结构如式(1)所示，
[0012]其中，R1、R2分别独立选自氢、烷基、取代烷基、苯基、杂环取代基中一种或多种；所述M选自S、N、O中任一种；所述n为1或2。
[0013]作为本专利技术的一种优选的技术方案，所述加速剂的浓度为0.005
‑
0.5g/L。
[0014]本专利技术第二个方面提供了一种所述化学镀铜液的制备方法，包括：将铜离子供体、加速剂、含N杂环物质、镍盐、还原剂、含醚基的两亲物质混合，即得。
[0015]本专利技术与现有技术相比具有以下有益效果：
[0016](1)本申请采用含氮五元环化合物或者含氮六元环化合物，尤其是含氮五元环合物为1,1
‑
磺酰二咪唑，含氮六元环化合物为2,2'
‑
联吡啶
‑
5,5'
‑
二甲醇，尤其是为1,1
‑
磺酰二咪唑时，此时不仅能够增加该化学镀铜液的稳定性，还能使得铜层致密；
[0017](2)本申请中氨基磺酸镍(II)不仅起着加速极的作用，同时还具有应力消除的作用；
[0018](3)本申请采用氨基磺酸镍，显著增加了铜层的剥离强度；
[0019](4)本申请中还原剂，特别是选自甲醛及其衍生物、乙醛酸及其衍生物、硼酸、次磷酸钠、对苯二酚、邻苯二酚中一种或多种时，能够很好的将吸附在基材板面上，尤其是盲孔、通孔中的钯离子还原成钯原子，使其形成活性中心，催化铜沉积；
[0020](5)本申请采用重均分子量为5000
‑
7000的聚乙二醇能够提高铜层的光亮度以及避免氢脆的产生。
附图说明
[0021]图1
‑
9分别为使用本申请1
‑
9化学镀铜液镀铜层的背光效果图；
[0022]图10
‑
18分别为使用本申请实施例1
‑
9化学镀铜液铜层的SEM图。
具体实施方式
[0023]以下通过具体实施方式说明本专利技术，但不局限于以下给出的具体实施例。
[0024]本专利技术第一个方面提供了一种化学镀铜液，包括铜离子供体、加速剂、含N杂环物质、镍盐、还原剂、含醚基的两亲物质。
[0025]在一种实施方式中，所述化学镀铜液还包括pH调节剂。
[0026]在一种实施方式中，所述化学镀铜液还包括络合剂。
[0027]在一种实施方式中，所述化学镀铜液还包括蒸馏水。
[0028]本申请所述络合剂不作特别限定，本领域技术人员可作常规选择。
[0029]在一种实施方式中，所述络合剂为酒石酸钾钠。
[0030]优选的，所述络合剂的浓度为10
‑
50g/L。
[0031]本专利技术所述铜离子供体不作特别限定，本领域技术人员可作常规选择。
[0032]在一种实施方式中，所述铜离子供体选自五水硫酸铜、氯化铜、氧化铜、硝酸铜、碱式碳酸铜、氨基磺酸铜中一种或多种。
[0033]优选的，所述铜离子供体为五水硫酸铜。
[0034]在一种实施方式中，所述铜离子供体的浓度为5
‑
20g/L。
[0035]优选的，所述铜离子供体的浓度为10
‑
15g/L。
[0036]在一种实施方式中，所述加速剂包括(a)含S、N、O中至少一种的有机物或无机物和/或(b)含镍有机物。
[0037]本申请中所述含S、N、O中至少一种的有机物或无机物可以列举的有2
‑
巯基苯并咪唑羧酸、5
‑
乙氧基
‑2‑
巯基苯并吡啶、2,2
‑
二硫二吡啶、N
‑
乙酰硫脲、1，1
‑
硫代羰基二吡啶、硫代草氨酸乙酯、硫代丙酰胺、亚铁氰化钾、硫代硫酸钠、S
‑
羧乙基异硫脲甜菜碱、吡啶酮、2
‑
肼吡啶、磺胺吡啶、2
‑
吡啶酰胺、3
‑
吡啶甲脒、硫代丁二酸、3
‑
吡啶硫脲、2,2'
‑
二吡啶胺、4
‑
甲氨基吡啶、2,5
‑
二胺基吡啶、3
‑
氨基
‑2‑
吡啶酮等。
[0038]优选的，所述含S、N、O中至少一种的有机物的结构如式(1)所示，
[0039]其中，R1、R2分别独立选自氢、烷基、取代烷基、苯基、杂环取代基中一种或多种；所述M选自S、N、O中任一种；所述n为1或2。
[0040]优选的，所述取代烷基选自羧基取代烷基、羟基取代烷基、羧基和羟基取代烷基中一种或多种。
[0041]优选的，所述含S、N、O中至少一种的有机物为2,2
‑
二硫二吡啶、硫代丁二酸、2
‑
巯基苯并咪唑羧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学镀铜液，其特征在于，包括铜离子供体、加速剂、含N杂环物质、镍盐、还原剂、含醚基的两亲物质。2.根据权利要求1所述化学镀铜液，其特征在于，所述含醚基的两亲物质选自聚氧乙烯类两亲物质、聚多元醇类两亲物质、聚醚类两亲物质中一种或多种。3.根据权利要求2所述化学镀铜液，其特征在于，所述镍盐为硫酸镍盐和/或磺酸镍盐。4.根据权利要求1所述化学镀铜液，其特征在于，所述含N杂环物质为含氮五元环化合物和/或含氮六元环化合物。5.根据权利要求4所述化学镀铜液，其特征在于，所述含氮五元环化合物为咪唑类物质。6.根据权利要求4所述化学镀铜液，其特征在于，所述含氮六元环化合物为吡啶类物质。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述化...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宇曦，曾庆明，
申请(专利权)人：广东硕成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：