光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。的树脂。的树脂。

【技术实现步骤摘要】
光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体
[0001]本申请以日本专利申请2020
‑
139457(申请日：2020年8月20日)为基础并享受优先权。本申请通过参考该申请而包含该申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式整体上涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体。

技术介绍

[0003]存在对入射到半导体区域的光进行检测的光检测器。对于光检测器期望提高可靠性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够提高可靠性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体。
[0005]根据本专利技术的实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。上述第1区域设置在上述第1半导体层的一部分之上。上述第1区域包括：第1导电型的第1半导体区域，具有比上述第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度；以及第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上。上述猝灭部与上述第2半导体区域电连接。上述第2区域设置在上述第1半导体层的另外的一部分之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光检测器，具备：第1导电型的第1半导体层；第1区域，设置在上述第1半导体层的一部分之上，包括：第1导电型的第1半导体区域，具有比上述第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度；以及第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；猝灭部，与上述第2半导体区域电连接；第2区域，设置在上述第1半导体层的另外的一部分之上，包括：第2导电型的第3半导体区域；以及第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第3半导体区域的一部分之上；以及第1层，设置在上述第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。2.根据权利要求1所述的光检测器，其中，还具备设置在上述第1层之上的光透射性的第1部件。3.根据权利要求2所述的光检测器，其中，还具备滤波层，该滤波层设置在上述第1部件之上或者上述第1层与上述第1部件之间，吸收或者反射光。4.根据权利要求3所述的光检测器，其中，在上述第1层中，针对第1范围的波长的光的透射率比针对第2范围的波长的光的透射率低，在上述滤波层中，针对上述第1范围的波长的光的透射率比针对上述第2范围的波长的光的透射率高。5.根据权利要求2所述的光检测器，其中，还具备：第1滤波层，设置在上述第1部件之上；以及第2滤波层，设置在上述第1层与上述第1部件之间，在上述第1层中，针对第1范围的波长的光的透射率比针对第2范围的波长的光的透射率低，在上述第1滤波层以及上述第2滤波层的各自中，针对上述第1范围的波长的光的透射率比针对上述第2范围的波长的光的透射率高。6.根据权利要求2至5中任一项所述的光检测器，其中，还具备透镜，该透镜设置在上述第1区域与上述第1部件之间，上表面弯曲成凸状。7.根据权利要求6所述的光检测器，其中，上述透镜是微透镜或者双凸透镜。8.一种光检测器，具备：第1导电型的第1半导体层；第1区域，设置在上述第1半导体层的一部分之上，包括：第1导电型的第1半导体区域，具有比上述第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度；以及第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；猝灭部，与上述第2半导体区域电连接；第2区域，设置在上述第1半导体层的另外的一部分之上，包括：第2导电型的第3半导体区域；以及第1导电型的第4半导体区域，设置在上述第3半导体区域的一部分之上；以及滤波层，设置在上述第2区域之上，针对第1范围的波长的光的透射率比针对第2范围的
波...

【专利技术属性】
技术研发人员：权镐楠，铃木和拓，佐佐木启太，清水真理子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：