一种背面照射的单光子雪崩二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P

【技术实现步骤摘要】
一种背面照射的单光子雪崩二极管


[0001]本专利技术属于单光子探测
，具体涉及一种背面照射的低暗计数率单光子雪崩二极管。

技术介绍

[0002]单光子探测技术在国防建设、工业和民用生活领域具有广泛的应用前景，比如:量子密钥分发、激光雷达、荧光寿命成像和三维视觉系统等。基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管(single photonavalanche photodiode,记为SPAD)作为单光子探测的一类核心器件，愈加受到研究人员的关注和重视。盖革模式下的单光子雪崩二极管是一种能探测极微弱光信号的探测器，它具有内部增益大、灵敏度高、响应速度快、探测效率高、噪声低、体积小、结构坚固以及易于集成等优点。随着单光子探测应用领域的不断扩展，对SPAD的性能要求也越来越高，暗计数率特性是判断SPAD器件性能的核心参数之一。暗计数较小的器件，能更好的排除噪声信号的干扰，准确的探测到信号光。
[0003]传统的单光子雪崩二极管暗计数率较高，而且目前研究较多的为光正面照射的单光子雪崩二极管，这种结构的单光子雪崩二极管与淬灭电路和读出电路集成时，电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背面照射的单光子雪崩二极管，其特征在于：包括P型外延层(1)，在所述的P型外延层(1)的内部设置P+重掺杂区(2)，在所述的P+重掺杂区(2)的外围同轴设置P
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低掺杂区(3)，在所述的P
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低掺杂区(3)的下方同轴设置P型雪崩掺杂区(4)，在所述的P+重掺杂区(2)的两侧设置N+重掺杂区(5)，在所述的N+重掺杂区(5)的下方同轴设置N阱区(6)，在所述的P型雪崩掺杂区(4)下方间隔设置N型雪崩掺杂区(7)，在所述的N型雪崩掺杂区(7)的下方设置N
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低掺杂区(8)。2.根据权利要求书1所述的一种背面照射的单光子雪崩二极管，其特征在于：所述的P+重掺杂区(2)被包含在P
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低掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘劲旅，赵天琦，储童，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：