一种叠层高分子固态电容及其芯片制造技术

本实用新型专利技术所提供的一种叠层高分子固态电容芯片，包括至少两层依次堆叠的电容晶片，每片所述电容晶片包括相对设置的正极端和负极端，以及位于所述电容晶片的中部的中间段，为便于多层电容晶片依次堆叠形成紧密性、贴合性更好更优的芯片结构，本实用新型专利技术在正极端与中间段之间还形成有颈部结构。所述固态电容芯片的所述电容晶片的所述正极端被压紧至相互贴合，如此能提高叠层效果，提高整个电容的性能。此外，提高电容晶片的正极端与负极端之间的隔离效果，在中间段的靠近所述正极端位置处涂覆有预设宽度和预设长度的隔离层，有效提高电容的安全性能。电容的安全性能。电容的安全性能。

【技术实现步骤摘要】
一种叠层高分子固态电容及其芯片


[0001]本技术涉及电容
，尤其涉及一种叠层高分子固态电容及其芯片。

技术介绍

[0002]电容是计算机系统供电电路中不可或缺的重要元件，主板上的各类板卡、芯片组需要使用多种类型电压的电源，要保证主板及板卡的稳定运行需要采用电容器用于过滤电源，确保电压稳定。与普通液态铝质电解电容相比固态电容采用导电性高分子作为介电材料，该材料不会与氧化铝产生作用，通电后不致于发生爆炸的现象；同时它为固态产品，不存在由于受热膨胀导致爆裂的情况。固态电容具备环保、低阻抗、高低温稳定、耐高纹波及高信赖度等优越特性，是目前电解电容产品中最高阶的产品。
[0003]目前的固态电容的电容晶片之间，尤其是在电容晶片的正极端一侧的贴合性一般，叠层效果因而受到影响，并且电容晶片的正极端与负极端之间缺乏有效的隔离措施，在高温、低温、高压或臭氧等各种恶劣的环境下容易损毁，安全性能有待改善。
[0004]鉴于此，有必要提出一种叠层高分子固态电容及其芯片以解决或至少缓解上述缺陷。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供一种叠层高分子固态电容及其芯片，以解决目前的固态电容的电容晶片之间的贴合性一般，叠层效果不佳，并且电容晶片的正极端与负极端之间缺乏有效的隔离措施，在高温、低温、高压或臭氧等各种恶劣的环境下容易损毁，安全性能有待改善的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了一种叠层高分子固态电容及其芯片，包括至少两层依次堆叠的电容晶片，每片所述电容晶片包括相对设置的正极端和负极端，以及位于所述电容晶片的中部的中间段；其中，
[0007]所述正极端的宽度小于所述中间段，所述中间段与所述正极端之间形成有颈部结构；
[0008]所述中间段以及所述负极端均呈板状，相邻两层的所述电容晶片的所述中间段以及所述负极端相贴合地设置；其中，所述中间段的靠近所述正极端的外表面涂覆有预设宽度和预设长度的隔离层。
[0009]优选地，所述正极端用于连接固态电容的正极引线，所述正极端的厚度小于所述中间段的厚度，所述固态电容芯片的所述电容晶片的所述正极端被压紧至相互贴合。
[0010]优选地，所述电容晶片的正极端自最上层叠放的所述电容晶片向最下层叠放的所述电容晶片所在平面的方向压紧。
[0011]优选地，所述电容晶片的层数为四层。
[0012]优选地，每片所述电容晶片的所述颈部结构为具有预设半径的弧形过渡段，位于最上层的所述电容晶片的弧形过渡段的预设半径至位于最下层的所述电容晶片的弧形过
渡段的预设半径依次增大。
[0013]优选地，所述预设宽度设置在0.5
‑
0.7mm之间，所述预设长度设置在 3.5
‑
3.7mm之间。
[0014]优选地，所述隔离层包括隔离漆、隔离膜中的一种或多种。
[0015]优选地，所述正极端的厚度设置为0.1
‑
0.14mm之间，所述负极端的厚度设置为0.18
‑
0.22mm之间。
[0016]本技术还提供一种叠层高分子固态电容，其特征在于，包括如上述的叠层高分子固态电容芯片，还包括与所述叠层高分子固态电容芯片的负极端连接的负极引线、与所述叠层高分子固态电容芯片的正极端连接的正极引线以及通过注塑方式包裹所述叠层高分子固态电容芯片、所述正极引线以及所述负极引线的塑封体。
[0017]优选地，所述正极引线包括裸露设置于所述叠层高分子固态电容芯片以及所述塑封体的下方的正极片、用于固定所述正极端的第一安装部、以及至少一个连接所述正极片与所述第一安装部的第一连接部；其中，所述正极端通过导电胶与所述第一安装部以及所述第一连接部电性连接；
[0018]所述负极引线包括裸露设置于所述叠层高分子固态电容芯片以及所述塑封体的下方的负极片，用于固定所述负极端的第二安装部，以及至少一个连接所述负极片与所述第二安装部的第二连接部；其中，所述负极端通过导电胶与所述第二安装部以及所述第二连接部电性连接。
[0019]与现有技术相比，本技术所提供的具有如下的有益效果：
[0020]本技术所提供的一种叠层高分子固态电容芯片，包括至少两层依次堆叠的电容晶片，每片所述电容晶片包括相对设置的正极端和负极端，以及位于所述电容晶片的中部的中间段，为便于多层电容晶片依次堆叠形成紧密性、贴合性更好更优的芯片结构，本技术在正极端与中间段之间还形成有颈部结构。所述固态电容芯片的所述电容晶片的所述正极端被压紧至相互贴合，如此能提高叠层效果，提高整个电容的性能。此外，提高电容晶片的正极端与负极端之间的隔离效果，在中间段的靠近所述正极端位置处涂覆有预设宽度和预设长度的隔离层，从而有效提高电容的安全性能。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0022]图1为本技术一个实施例中的芯片整体结构示意图；
[0023]图2为本技术一个实施例中的另一视角下的芯片整体结构示意图；
[0024]图3为本技术一个实施例中的应用场景图；
[0025]图4为本技术一个实施例中的正极引线和负极引线的结构示意图；
[0026]图5为本技术一个实施例中的叠层高分子固态电容结构示意图。
[0027]本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
[0028]附图标号说明：
[0029]电容晶片100；正极端110；负极端120；中间段130；隔离层131；颈部结构140；正极引线210；正极片211；第一安装部222；第一连接部223；负极引线220；负极片221；第二安装部222；第二连接部223；塑封体300。
具体实施方式
[0030]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，包括至少两层依次堆叠的电容晶片，每片所述电容晶片包括相对设置的正极端和负极端，以及位于所述电容晶片的中部的中间段；其中，所述正极端的宽度小于所述中间段，所述中间段与所述正极端之间形成有颈部结构；所述中间段以及所述负极端均呈板状，相邻两层的所述电容晶片的所述中间段以及所述负极端相贴合地设置；其中，所述中间段的靠近所述正极端的外表面涂覆有预设宽度和预设长度的隔离层。2.根据权利要求1所述的叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，所述正极端用于连接固态电容的正极引线，所述正极端的厚度小于所述中间段的厚度，所述固态电容芯片的所述电容晶片的所述正极端被压紧至相互贴合。3.根据权利要求1所述的叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，所述电容晶片的正极端自最上层叠放的所述电容晶片向最下层叠放的所述电容晶片所在平面的方向压紧。4.根据权利要求1所述的叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，所述电容晶片的层数为四层。5.根据权利要求4所述的叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，每片所述电容晶片的所述颈部结构为具有预设半径的弧形过渡段，位于最上层的所述电容晶片的弧形过渡段的预设半径至位于最下层的所述电容晶片的弧形过渡段的预设半径依次增大。6.根据权利要求1所述的叠层高分子固态电容芯片，其特征在于，所述预设宽度设置在0.5
‑
0.7mm之间，所述预设长度设置在3.5
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴陆军，王林，
申请(专利权)人：湖南盛通电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：