封装结构及其制备方法、封装模组和电子装置制造方法及图纸

本申请提供一种封装结构，该封装结构包括导电基板、位于导电基板表面上的封装层、位于封装层中的电子元器件以及位于导电基板表面上的线路层，线路层分别与导电基板和电子元器件电性连接，导电基板和/或线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。本申请还提供应用该封装结构的封装模组、应用该封装模组的电子装置以及该封装结构的制备方法。通过在封装结构中不同结构的电阻随电流或温度增大而增大，可在过流(过温)时提高阻抗从而降低电流，防止电子元器件烧毁，从而达到过流或过温自保护的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制备方法、封装模组和电子装置


[0001]本申请涉及一种能够实现过流或过温自保护的封装结构、该封装结构的制备方法、应用该封装结构的封装模组以及应用该封装模组的电子装置。

技术介绍

[0002]功率半导体器件是将芯片封装后形成的一种封装结构，功率半导体器件通常通过表面贴装技术(Surface
‑
mount technology，SMT)与印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)电性连接。
[0003]但是，功率半导体器件尤其是电源类功率半导体器件，一旦过流就可能导致内部封装的芯片烧毁，芯片烧毁后，针对高度封装结构进行维修非常困难，而且，芯片烧毁的热量同时会破坏封装聚合物，使烧毁面进一步延伸至PCB主板，最终导致PCB主板烧毁报废。

技术实现思路

[0004]本申请实施例第一方面提供了一种封装结构，所述封装结构包括导电基板、位于所述导电基板表面上的封装层、位于所述封装层中的电子元器件以及位于所述导电基板表面上的线路层，所述线路层分别与所述导电基板和所述电子元器件电性连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：导电基板；封装层，位于所述导电基板的表面上；电子元器件，位于所述封装层中；以及线路层，位于所述导电基板的表面上，所述线路层分别与所述导电基板和所述电子元器件电性连接；所述导电基板和/或所述线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电基板和/或所述线路层的材质包括正温度系数(PTC)材料。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述线路层包括靠近所述电子元器件设置的第一层和设于所述第一层远离所述电子元器件的表面的第二层，所述第一层和/或所述第二层的电阻随电流或温度的增大而增大。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一区和与所述第一区连接的第二区，所述电子元器件位于所述第一区，所述第二区位于所述第一区远离所述电子元器件的外边缘，所述第一区内的所述导电基板和/或所述线路层的电阻随电流或温度的增大而增大。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电基板包括绝缘层和位于所述绝缘层表面的导电层，所述导电层的电阻随电流或温度的增大而增大。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部均位于所述封装层中，所述第一导电部电性连接所述线路层和所述电子元器件，所述第二导电部电性连接所述线路层和所述导电基板，所述第一导电部和/或所述第二导电部的电阻随电流或温度的增大而增大。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述线路层远离所述电子元器件表面的多个连接垫，至少一个所述连接垫的电阻随电流或温度的增大而增大。8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电基板包括一开口，所述电子元器件位于所述开口内。9.一种封装模组，其特征在于，包括封装结构、电路板以及多个连接部，所述多个连接部电性连接所述封装结构和所述电路板，所述封装结构为权利要求1至8中任一项所述的封装结构。10.根据权利要求9所述的封装模组，其特征在于，所述连接部的电阻随电流或温度的增大而增大。11.一种封装模组，其特征在于，包括：封装结构，所述封装结构包括导电基板、位于所述导电基板的表面上的封装层、位于所述封装层中的电子元器件以及位于所述导电基板的表面上的线路层；电路板；以及多个连接部，所述多个连接部电性连接所述封装结构和所述电路板，至少一个所述连接部的电阻随电流或温度的增大而增大。12.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9至11中任一项所述的封装模组。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴鸣，丁永欢，秦俊良，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：