半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制备方法，在第一湿法刻蚀去除显露的Ti金属种子层后，通过对介质层进行第一预处理，以在介质层中形成第一凹槽，以显露位于介质层中的残留Ti金属种子层，并通过第二湿法刻蚀，去除残留Ti金属种子层，以及对介质层进行第二预处理，以形成深度大于残留Ti金属种子层的深度的第二凹槽，从而可有效去除位于介质层中的残留Ti金属种子层，使得第二凹槽的底部与残留Ti金属种子层之间具有深度差，避免由残留Ti金属种子层所造成的短路，提高器件可靠性。提高器件可靠性。提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型集成电路的出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高的密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。
[0003]晶圆级封装(WLP)以晶圆为加工对象，对整个晶圆进行封装和测试，然后将晶圆切割成单个芯片。WLP由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。
[0004]RDL可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小深度差的要求，并使新焊区按照阵列排布。对于高I/O芯片封装结构而言，需要多层RDL金属线，在有限的外形形状及封装尺寸下，RDL金属线的线宽及线深度差越小意味着可以得到越多的供电轨道。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；于所述分离层上形成介质层；于所述介质层上形成Ti金属种子层；于所述Ti金属种子层上形成Cu金属种子层；于所述Cu金属种子层上形成光阻层，并图形化所述光阻层；形成与所述Cu金属种子层相接触的金属层；去除所述光阻层，以显露所述Cu金属种子层；去除所述Cu金属种子层，以显露所述Ti金属种子层；采用第一湿法刻蚀，去除所述Ti金属种子层，以显露所述介质层；对所述介质层进行第一预处理，在所述介质层中形成第一凹槽，以显露位于所述介质层中的残留Ti金属种子层；采用第二湿法刻蚀，去除所述残留Ti金属种子层；对所述介质层进行第二预处理，形成深度大于所述残留Ti金属种子层的深度的第二凹槽。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一预处理包括采用O2、CF4、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理；所述第二预处理包括采用O2、CF4、Ar中的一种对所述介质层所进行的等离子体处理。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一凹槽的深度范围包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范围包括0.3μm～1.2μm。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一湿法刻蚀去除显露的所述Ti金属种子层的温度范围包括30℃～50℃，处理时间包括120s～150s；所述第二湿法刻蚀去除所述残留Ti金属种子层的温度范围包括30℃～50℃，处理时间包括40s～80s。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：