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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，在第一湿法刻蚀去除显露的Ti金属种子层后，通过对介质层进行第一预处理，以在介质层中形成第一凹槽，以显露位于介质层中的残留Ti金属种子层，并通过第二湿法刻蚀，去除残留Ti金属种子层，以及对介质层进行第二预...
该专利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛合晶微半导体（江阴）有限公司授权不得商用。

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