【技术实现步骤摘要】
超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法
[0001]本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法。
技术介绍
[0002]现有超级闪存技术方案在接触孔刻蚀时，使用一层光罩一种刻蚀条件实现所有区域接触孔刻蚀，而对于超级闪存字线区域接触孔刻蚀来说，氮化硅侧墙位于字线区域接触孔刻蚀通道，由于氮化硅侧墙经退火后刻蚀速率较化学沉积氮化硅的低，字线接触孔开路风险明显增加。
[0003]另一方面，现有超级闪存技术方案经侧墙工艺后，部分字线多晶硅区域上方被氮化硅阻挡，经过湿法刻蚀去除氧化硅后，字线多晶硅上表面难以大面积形成金属硅化物；另外由于侧墙氮化硅位于字线区域接触孔刻蚀通道，其接触孔底部线宽较小，字线区域接触孔与金属硅化物接触面积小，以上因素均增大字线接触电阻，影响超级闪存读和写的速度。
技术实现思路
[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法，其特征在于，包括：按现有工艺执行至多晶硅刻蚀时，使用指定光罩曝光显影打开字线多晶硅区域，以侧墙作为硬掩模刻蚀第一多晶硅的同时刻蚀第二多晶硅；按现有工艺刻蚀氧化物和多晶硅并清洗；使用自对准多晶硅工艺形成金属硅化物，按现有工艺执行后续工艺。2.如权利要求1所述超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法，其特征在于：第一多晶硅是可擦拭栅极多晶硅。3.如权利要求2所述超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法，其特征在于：第二多晶硅是字线多晶硅。4.如权利要求3所述超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法，其特征在于：以侧墙作为硬掩模采用过刻蚀工艺刻蚀第一多晶硅的同时刻蚀第二多晶硅。5.如权利要求1所述超级...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴露平，张亮，曹坚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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