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本发明公开了一种超级闪存字线多晶硅接触孔制作方法，按现有工艺执行至多晶硅刻蚀时，使用指定光罩曝光显影打开字线多晶硅区域，以侧墙作为硬掩模刻蚀第一多晶硅的同时刻蚀第二多晶硅；按现有工艺刻蚀氧化物和多晶硅并清洗；使用自对准多晶硅工艺形成金属硅化...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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