LED转移装置及LED转移方法制造方法及图纸

本申请提供一种LED转移装置及LED转移方法，LED转移装置包括：光热转换层，能够在偏振光的照射下发生形变并在停止照射偏振光后恢复形变；光源，位于光热转换层一侧且用于产生偏振光；及吸附层，形成在光热转换层的远离光源的一表面上；吸附层具有弹性且能够在黏附状态和脱黏附状态之间进行切换；当吸附层处于无磁场环境时，吸附层处于黏附状态，处于黏附状态的吸附层具有黏性；及当吸附层处于磁场环境内时，吸附层处于脱黏附状态，处于脱黏附状态的吸附层不具有黏性。本申请提供的LED转移装置及LED转移方法能够突破巨量转移技术且降低Micro LED的制造工艺难度。LED的制造工艺难度。LED的制造工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
LED转移装置及LED转移方法


[0001]本申请涉及LED转移
，具体涉及一种LED转移装置及LED转移方法。

技术介绍

[0002]近年来，Mini
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LED/Micro
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LED显示技术由于其优势突出、发展迅猛，成为各大面板厂商布局热点，和目前的LCD、OLED显示器件相比，两者具有反应快、高色域、高PPI、低能耗、超高分区数实现精准调光，超高对比度等优势。Mini
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LED显示：将微缩化的RGB三色LED集成到每一个像素可定址的LED显示驱动电路中，形成LED阵列，实现LED微型显示；Micro LED显示：原理与Mini LED相同，差别在于Micro LED芯片更小，其中通过巨量转移技术将LED芯片转移至基板上；Micro LED比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、且功耗更低。Micro LED制造工艺难度大，如何突破巨量转移技术，是其量产化和规模化的关键。

技术实现思路

[0003]因此，本申请提供一种能够突破巨量转移技术且降、降低Micro LED的制造工艺难度，实现量产化和规模化的LED转移装置和LED转移方法。
[0004]第一方面，本申请提供一种LED转移装置，包括：
[0005]光热转换层，能够在偏振光的照射下发生形变并在停止照射所述偏振光后恢复形变；
[0006]光源，位于所述光热转换层一侧且用于产生偏振光；及
[0007]吸附层，形成在所述光热转换层的远离所述光源的一表面上；所述吸附层具有弹性且具有黏附状态和脱黏附状态；其中，
[0008]当所述吸附层处于无磁场环境时，所述吸附层处于黏附状态，处于黏附状态的所述吸附层具有黏性；及
[0009]当所述吸附层处于磁场环境内时，所述吸附层处于脱黏附状态，处于脱黏附状态的所述吸附层不具有黏性。
[0010]在本申请一可选实施例中，所述光热转换层的材质为偏光驱动的多向可控软体复合材料；所述光热转换层包括：
[0011]聚二甲基硅氧烷膜层；
[0012]聚酰亚胺膜层；及
[0013]聚丙烯酰胺膜层，位于所述聚二甲基硅氧烷膜层及所述聚酰亚胺膜层之间；所述聚酰亚胺膜层面向所述吸附层；
[0014]其中，所述聚丙烯酰胺膜层包括聚丙烯酰胺聚合物及分散在所述聚丙烯酰胺聚合物中的第一纳米棒，所述第一纳米棒的材质为Au
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聚乙烯吡咯烷酮
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酚醛缩聚物改性的Fe3O4‑
SiO2涂层复合物。
[0015]在本申请一可选实施例中，所述吸附层的材质为磁控黏附
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脱黏附有机
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无机复合材料，所述吸附层包括聚氨酯及四氧化三铁颗粒，所述四氧化三铁颗粒与所述聚氨酯混合
在一起，所述聚氨酯之间具有多种氢键。
[0016]在本申请一可选实施例中，在所述吸附层中，所述四氧化三铁颗粒所占的百分比为1％
‑
20％,其余为所述聚氨酯。
[0017]在本申请一可选实施例中，所述LED转移装置还包括：
[0018]多个间隔部，依次固定在所述光热转换层的远离所述吸附层的一侧；其中，
[0019]多个所述间隔部不透光，相邻的两个间隔部之间形成有一空腔；所述光源正对所述空腔；及
[0020]在所述光源产生的偏振光的照射下，对应所述空腔的所述光热转换层发生形变；在磁场作用下，所述吸附层的正对所述空腔的部分发生同步形变且由黏附状态转变为脱黏附状态。
[0021]在本申请一可选实施例中，所述光源位于所述空腔内或位于所述空腔外。
[0022]在本申请一可选实施例中，所述LED转移装置还包括：
[0023]至少一透明弹性体，覆盖在所述空腔的一端且固定在所述间隔部的远离所述光热转换层的一端上。
[0024]第二方面，本申请还提供一种LED的转移方法，所述LED的转移方法通过一LED转移装置实现，其中，所述LED包括：光源、光热转换层、吸附层及间隔部；所述光源位于所述光热转换层一侧，所述吸附层形成在所述光热转换层的远离所述光源的一表面上，多个所述间隔部不透光且依次固定在所述光热转换层的远离所述吸附层的一侧，相邻的两个间隔部之间形成有一空腔，所述光源正对所述空腔；其中，所述LED的转移方法包括：
[0025]将处于初始状态的所述LED转移装置移动至目标LED的正上方；
[0026]继续移动所述LED转移装置使处于黏附状态的所述吸附层与所述目标LED接触，所述吸附层黏附上所述目标LED；其中，一个所述空腔对应一个所述目标LED；
[0027]将所述目标LED转移至一受体基板上方，控制所述光源发出偏振光，对应至少一个所述空腔的所述光热转换层在偏振光的照射下发生形变；
[0028]使需要脱黏附的所述目标LED处于磁场中，发生形变的所述吸附层在磁场作用下由黏附状态变为脱黏附状态，位于发生形变的所述吸附层处的所述目标LED进行完全脱黏附；及
[0029]移动所述LED转移装置，使之远离所述受体基板；与此同时，发生形变的部分所述光热转换层及所述吸附层恢复形变，所述吸附层由脱黏附状态恢复成黏附状态。
[0030]在本申请一可选实施例中，所述光热转换层的材质为偏光驱动的多向可控软体复合材料；所述吸附层包括：
[0031]聚二甲基硅氧烷膜层；
[0032]聚酰亚胺膜层；及
[0033]聚丙烯酰胺膜层，位于所述聚二甲基硅氧烷膜层及所述聚酰亚胺膜层之间；所述聚酰亚胺膜层面向所述吸附层；
[0034]其中，所述聚丙烯酰胺膜层包括所述聚丙烯酰胺聚合物及分散在所述聚丙烯酰胺聚合物中的第一纳米棒，所述第一纳米棒的材质为Au
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聚乙烯吡咯烷酮
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酚醛缩聚物改性的Fe3O4‑
SiO2涂层复合物。
[0035]在本申请一可选实施例中，所述吸附层的材质为磁控黏附
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脱黏附有机
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无机复合
材料，所述吸附层包括聚氨酯及四氧化三铁颗粒，所述四氧化三铁颗粒与所述聚氨酯混合在一起，所述聚氨酯之间具有多种氢键；在所述吸附层中，所述四氧化三铁颗粒所占的百分比为1％
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20％,其余为所述聚氨酯。
[0036]本申请提供的LED转移装置及LED转移方法，1)所述LED转移装置包括光热转换层及吸附层，所述光热转换层能够在偏振光的照射下发生形变并在停止照射所述偏振光后恢复形变，通过调控磁场，所述吸附层能够在黏附状态和脱黏附状态之间进行切换，从而能够使得所述LED转移装置在无磁场状态下可以黏附多个目标LED，而在有磁场状态下可以同时与多个目标LED脱黏附，从而能够提高转移LED的效率和准确率，因此，本申请提供的LED转移装置能够突破巨量转移技术且降低Micro LED的制造工艺难度，实现量产化和规模化。2)采用Au
‑
聚乙烯吡咯烷酮...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED转移装置，其特征在于，包括：光热转换层，能够在偏振光的照射下发生形变并在停止照射所述偏振光后恢复形变；光源，位于所述光热转换层一侧且用于产生偏振光；及吸附层，形成在所述光热转换层的远离所述光源的一表面上；所述吸附层具有弹性且能够在黏附状态和脱黏附状态之间进行切换；其中，当所述吸附层处于无磁场环境时，所述吸附层处于黏附状态，处于黏附状态的所述吸附层具有黏性；及当所述吸附层处于磁场环境内时，所述吸附层处于脱黏附状态，处于脱黏附状态的所述吸附层不具有黏性。2.如权利要求1所述的LED转移装置，其特征在于，所述光热转换层的材质为偏光驱动的多向可控软体复合材料；所述光热转换层包括：聚二甲基硅氧烷膜层；聚酰亚胺膜层；及聚丙烯酰胺膜层，位于所述聚二甲基硅氧烷膜层及所述聚酰亚胺膜层之间；所述聚酰亚胺膜层面向所述吸附层；其中，所述聚丙烯酰胺膜层包括聚丙烯酰胺聚合物及分散在所述聚丙烯酰胺聚合物中的第一纳米棒，所述第一纳米棒的材质为Au
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聚乙烯吡咯烷酮
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酚醛缩聚物改性的Fe3O4‑
SiO2涂层复合物。3.如权利要求1所述的LED转移装置，其特征在于，所述吸附层的材质为磁控黏附
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脱黏附有机
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无机复合材料，所述磁控黏附
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脱黏附有机
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无机复合材料包括聚氨酯及四氧化三铁颗粒，所述四氧化三铁颗粒与所述聚氨酯混合在一起，所述聚氨酯之间具有多种氢键。4.如权利要求3所述的LED转移装置，其特征在于，在所述吸附层中，所述四氧化三铁颗粒所占的百分比为1％
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20％,其余为所述聚氨酯。5.如权利要求1所述的LED转移装置，其特征在于，所述LED转移装置还包括：多个间隔部，依次固定在所述光热转换层的远离所述吸附层的一侧；其中，多个所述间隔部不透光，相邻的两个间隔部之间形成有一空腔；所述光源正对所述空腔；及在所述光源产生的偏振光的照射下，对应所述空腔的所述光热转换层发生形变；在磁场作用下，所述吸附层的正对所述空腔的部分发生同步形变且由黏附状态转变为脱黏附状态。6.如权利要求5所述的LED转移装置，其特征在于，所述光源位于所述空腔内或位于所述空腔外。7.如权利要求5所述的LED转移装置，其特征在于，所述LED转移装置还包括：多个透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：周世新，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：