清洁表面的方法技术

公开了用于清洁衬底的方法。衬底包括电介质表面和金属表面。该方法包括向反应室提供清洁剂。洁剂。洁剂。

【技术实现步骤摘要】
清洁表面的方法


[0001]本公开总体涉及用于清洁半导体衬底的方法和系统。具体而言，本公开涉及用于半导体衬底后道(back
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end
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of
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line)处理的气相清洁。

技术介绍

[0002]半导体器件工艺特别是例如后道工艺包括使用金属特征，比如互连。可以使用的示例性金属包括铜和钴。一些金属比如铜很容易扩散到整个表面，这可能导致有源器件区域的金属污染，并可能阻碍后续的选择性沉积过程。
[0003]例如，后道(BEOL)工艺可以包括铜沉积步骤，随后是化学机械抛光步骤(CMP)。在CMP之后，在CMP和下一处理步骤之间可能有排队时间。在此期间，铜线可能被氧化，氧化铜可能开始在位于铜线之间的低k电介质上迁移。它还会使后续的选择性沉积过程复杂化。
[0004]电介质比如低k电介质的金属污染也可能由不完美的选择性沉积引起，这可能导致电介质上形成小金属颗粒或金属簇。
[0005]电介质上的金属污染物，例如由金属迁移或不完美的选择性沉积引起的，可能导致可靠性、击穿电压、泄漏电流和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于清洁衬底的方法，该方法包括：向反应室提供包括电介质和氧化金属表面的衬底；向反应室提供还原剂，从而使衬底与还原剂接触，并将氧化金属表面转化为金属表面；向反应室提供氧化剂，从而使衬底与氧化剂接触，并氧化电介质表面上的任何金属污染物，从而形成氧化金属污染物；以及向反应室提供清洁剂，从而使衬底与清洁剂接触，并从衬底去除氧化金属污染物。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化剂是含氧气体或气体混合物。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述氧化剂是选自O2、O3、H2O、H2O2及其混合物的气体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述还原剂包括醇。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述清洁剂包括β二酮。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述清洁剂包括含有环戊二烯基的化合物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述清洁剂包括一氧化碳。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述清洁剂包括羧酸。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，向反应室提供清洁剂的步骤之后是向反应室提供另一种氧化剂的步骤。10.根据权利要求9所述的方法，其中，向反应室提供另一种氧化剂的步骤包括按下列顺序以O2脉冲向反应室提供O2和以H2O脉冲向反应室提供H2O。11.根据权利要求1至10中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓少任，A伊利贝里，D基亚佩，E托伊斯，GA沃尼，M吉文斯，V沙尔玛，朱驰宇，岩下信哉，C德泽拉，V马德希瓦拉，JW梅斯，M图米恩，A钱德拉塞卡兰，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：